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1. (CN1476136) Driving circuit for power semiconductor element

Amt : China
Anmeldenummer: 03152349.8 Anmeldedatum: 29.07.2003
Veröffentlichungsnummer: 1476136 Veröffentlichungsdatum: 18.02.2004
Erteilungsnummer: 100517902 Erteilungsdatum: 22.07.2009
Veröffentlichungsart : C
IPC:
H02H 11/00
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H
Schutzschaltungsanordnungen
11
Schutzschaltungsanordnungen zum Verhindern des Einschaltens für den Fall, dass sich daraus eine unerwünschte elektrische Betriebsbedingung ergeben würde
Anmelder: Mitsubishi Electric Corp.
三菱电机株式会社
Erfinder: Oi Kenshi
大井健史
Uchiyama Osamu
中山靖
Tanaka Ki
田中毅
Vertreter: wang yonggang
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Prioritätsdaten: 221723/2002 30.07.2002 JP
Titel: (EN) Driving circuit for power semiconductor element
(ZH) 电力半导体元件的驱动电路
Zusammenfassung: front page image
(EN) To solve the problem that if a drive circuit for power semiconductor device is applied to an IGBT 1 high in breakdown voltage, diodes (5) high in the breakdown voltage must be connected in series in multiple stages, and this leads to an increase in the cost and degradation in reliability, short circuit detection by a collector voltage detection circuit (6) is significantly delayed, and the IGBT 1 cannot be protected sometimes. During a period for which a sampling circuit (16) permits detection of gate voltage Vge, the gate voltage Vge is detected. If the gate voltage Vge exceeds a reference value, an abnormality is recognized to have occurred in the IGBT 11.
(ZH)

在适用于耐压高的IGBT(1)的情况下,产生把耐压高的二极管(5)串联连接成多级的需要,存在导致成本高或者可靠性降低的课题,另外,由集电极电压检测电路(6)进行的短路探测显著滞后,存在有时不能够保护IGBT(1)的课题,解决的方法是抽样电路(16)在允许栅极电压(Vge)的检测处理期间中,检测该栅极电压(Vge),如果该栅极电压(Vge)超过基准值,则认定在IGBT(11)中发生了异常。