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1. CN106252335 - Semiconductor Module, Semiconductor Module Arrangement and Method for Operating a Semiconductor Module

Amt China
Aktenzeichen/Anmeldenummer 201610399304.9
Anmeldedatum 07.06.2016
Veröffentlichungsnummer 106252335
Veröffentlichungsdatum 21.12.2016
Erteilungsnummer 106252335
Erteilungsdatum 21.09.2018
Veröffentlichungsart B
IPC
H01L 25/07
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
H01L 23/498
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
48Anordnungen zur Stromleitung zu oder von dem im Betrieb befindlichen Festkörper, z.B. Zuleitungen oder Anschlüsse
488bestehend aus gelöteten oder gebondeten Anordnungen
498Leiter auf isolierenden Substraten
H01L 23/36
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
34Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation
36Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken
CPC
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
H01L 23/49805
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
49805the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
H01L 23/49844
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
49838Geometry or layout
49844for devices being provided for in H01L29/00
H01L 25/072
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
072the devices being arranged next to each other
H01L 23/3107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
H01L 23/3121
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
3121a substrate forming part of the encapsulation
Anmelder INFINEON TECHNOLOGIES AG
英飞凌科技股份有限公司
Erfinder OLAF HOHLFELD
O·霍尔菲尔德
Vertreter 北京市金杜律师事务所 11256
Prioritätsdaten 102015210587.3 10.06.2015 DE
Titel
(EN) Semiconductor Module, Semiconductor Module Arrangement and Method for Operating a Semiconductor Module
(ZH) 半导体模块、半导体模块装置和操作半导体模块的方法
Zusammenfassung
(EN)
A semiconductor module includes a first semiconductor switch, a second semiconductor switch, a circuit carrier arrangement and a non-ceramic dielectric isolation layer. The first semiconductor switch and the second semiconductor switch have a first load terminal and a second load termina. The current path of the first semiconductor switch and the current path of the second semiconductor switch are electrically connected in series between a first circuit node and a second circuit node. A circuit carrier arrangement includes a dielectric first isolation carrier section, a dielectric second isolation carrier section, a first upper metallization layer, a second upper metallization layer and a third upper metallization layer, a first lower metallization layer, and a second lower metallization layer. The non-ceramic dielectric isolation layer is applied to the first lower metallization layer and the second lower metallization layer, and its underside forms a heat dissipating contact area of the semiconductor module.

(ZH)
本发明涉及一种半导体模块,具有第一和第二半导体开关,其中每个具有第一和第二负载接口,在第一和第二负载接口之间形成的负载线路电串联在第一和第二电路节点之间。还包括电路载体装置,具有:介电的第一绝缘载体区段,具有第一顶面和第一底面;介电的第二绝缘载体区段,具有第二顶面和第二底面;施加到第一顶面上的第一上部金属化层;施加到第二顶面上的第二和第三上部金属化层;施加到第一底面上的第一下部金属化层;施加到第二底面上的第二下部金属化层;所述半导体模块具有非陶瓷介电绝缘层,被施加到第一以及第二下部金属化层上,并且非陶瓷介电绝缘层具有背向第一和第二下部金属化层的底面,该底面形成半导体模块的导热接触面。