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1. (CN103906579) Pre-collapsed capacitive micro-machined transducer cell with plug

Amt : China
Anmeldenummer: 201280052980.9 Anmeldedatum: 15.10.2012
Veröffentlichungsnummer: 103906579 Veröffentlichungsdatum: 02.07.2014
Veröffentlichungsart : A
Frühere PCT-Anm.: Anmeldenummer:PCTIB2012055605 ; Veröffentlichungsnummer: Anklicken zur Anzeige der Daten
IPC:
B06B 1/02
B Arbeitsverfahren; Transportieren
06
Erzeugen oder Übertragen mechanischer Schwingungen allgemein
B
Erzeugen oder Übertragen mechanischer Schwingungen allgemein
1
Verfahren oder Vorrichtungen zum Erzeugen mechanischer Schwingungen von Infraschall-, Schall- oder Ultraschallfrequenz
02
unter Verwendung von elektrischer Energie
CPC:
B06B 1/0292
Y10T 29/49005
G10K 11/18
H04R 31/00
Anmelder: KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV
Erfinder: DIRKSEN PETER
DEKKER RONALD
HENNEKEN VINCENT ADRIANUS
LEEUWENSTEIN ADRIAAN
MARCELIS BOUT
FRASER JOHN DOUGLAS
Vertreter: cai honggui
Prioritätsdaten: 61/552,485 28.10.2011 US
Titel: (EN) Pre-collapsed capacitive micro-machined transducer cell with plug
(ZH) 具有塞子的预塌陷电容式微加工换能器单元
Zusammenfassung: front page image
(EN) The present invention relates to a pre-collapsed capacitive micro-machined transducer cell (10) comprising a substrate (12), and a membrane (14) covering a total membrane area (Atotal), wherein a cavity (20) is formed between the membrane (14) and the substrate (12), the membrane (14) comprising a hole (15) and an edge portion (14a) surrounding the hole (15), the edge portion (14a) of the membrane (14) being collapsed to the substrate (12). The cell further comprises a plug (30) arranged in the hole (15) of the membrane (14), the plug (30) being located only in a subarea (Asub) of the total membrane area (Atotal). The present invention further relates to a method of manufacturing such pre- collapsed capacitive micro-machined transducer cell (10).
(ZH)

本发明涉及一种预塌陷电容式微加工换能器单元(10),所述单元(10)包括基底(12)和设置在总膜区域(A)上方的膜(14),其中腔室(20)形成于所述膜(14)和所述基底(12)之间,所述膜包括孔(15)和围绕所述孔(15)的边缘部分(14a)。所述膜(14)的边缘部分(14a)塌陷至所述基底(12)。所述单元(10)还包括布置在所述膜(14)的孔(15)中的塞子(30),所述塞子(30)仅位于所述总膜区域(A)的子区域(A)中。本发明还涉及制造这种预塌陷电容式微加工换能器单元(10)的方法。


Also published as:
EP2747904US20140247698MX343897JP2015504620RU2014121503RU0002595800
BR112014009698ID2015/02340IN3090/CHENP/2014WO/2013/061204