(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Spalten eines Kristalls (2), umfassend: Einstrahlen eines gepulsten Laserstrahls auf den Kristall (2) zum Modifizieren, insbesondere zum Abtragen, von Material des Kristalls (2). Beim Einstrahlen des gepulsten Laserstrahls wird das Material des Kristalls (2) bis zu einer Eindringtiefe modifiziert, die mindestens 30%, bevorzugt mindestens 40% einer Dicke des Kristalls (2) entspricht, wobei durch das Einstrahlen des gepulsten Laserstrahls der Kristall (2) entlang einer vorgegebenen Bruchkante gespalten wird.
(EN) The invention relates to a method for splitting a crystal (2), comprising: irradiating the crystal (2) with a pulsed laser beam in order to modify, in particular remove, material of the crystal (2). Upon irradiation with the pulsed laser beam, the material of the crystal (2) is modified as far as a penetration depth that corresponds to at least 30%, preferably at least 40% of a thickness of the crystal (2), wherein the crystal (2) is split along a specified breaking edge due to being irradiated with the pulsed laser beam.
(FR) L'invention concerne un procédé de clivage d'un cristal (2), comportant: l'irradiation du cristal (2) avec un faisceau laser pulsé afin de modifier, en particulier d'enlever, du matériau du cristal (2). Suite à l'irradiation avec le faisceau laser pulsé, le matériau du cristal (2) est modifié jusqu'à une profondeur de pénétration qui correspond à au moins 30%, de préférence au moins 40% d'une épaisseur du cristal (2), le cristal (2) étant clivé le long d'une arête de rupture spécifiée du fait de l'irradiation avec le faisceau laser pulsé.
