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1. WO2022096332 - VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER EPITAKTISCHEN SCHICHT AUF EINER SUBSTRATSCHEIBE

Veröffentlichungsnummer WO/2022/096332
Veröffentlichungsdatum 12.05.2022
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2021/079756
Internationales Anmeldedatum 27.10.2021
IPC
H01L 21/67 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
C30B 25/16 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
16Steuern oder Regeln
Anmelder
  • SILTRONIC AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • STETTNER, Thomas
Vertreter
  • STAUDACHER, Wolfgang
Prioritätsdaten
20206455.609.11.2020EP
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER EPITAKTISCHEN SCHICHT AUF EINER SUBSTRATSCHEIBE
(EN) METHOD FOR DEPOSITING AN EPITAXIAL LAYER ON A SUBSTRATE WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE ÉPITAXIALE SUR UNE TRANCHE DE SUBSTRAT
Zusammenfassung
(DE) Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus einer Gasphase, umfassend das Messen einer Randgeometrie der Substratscheibe, das einem Rand der Substratscheibe in Abhängigkeit von Randpositionen einen Dickenkennwert zuweist, auch den Dickenkennwert an einer Notchposition; das Ablegen der Substratscheibe auf einer Ablagefläche einer Tasche eines Suszeptors einer Vorrichtung zum Abscheiden der epitaktischen Schicht, wobei die Ablagefläche von einer äußeren Begrenzung umgeben ist; das Erhitzen der Substratscheibe; und das Leiten von Prozessgas über die Substratscheibe; gekennzeichnet durch das Überprüfen ob der Dickenkennwert an der Notchposition um mehr als eine prozentuale Schranke vom Dickenkennwert an einer Randposition mit dem größten Dickenkennwert abweicht; das Ablegen der Substratscheibe auf der Ablagefläche derart, dass der Abstand, den die Substratscheibe zur äußeren Begrenzung der Ablagefläche hat, an der Randposition mit dem größten Dickenkennwert kleiner ist, als an den anderen Randpositionen, sofern die Abweichung größer als die prozentuale Schranke ist, oder derart, dass der Abstand, den die Substratscheibe zur äußeren Begrenzung der Ablagefläche hat, an der Notchposition kleiner ist, als an den anderen Randpositionen, sofern die Abweichung nicht größer als die prozentuale Schranke ist.
(EN) The invention relates to a method for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer from a gas phase, comprising: - measurement of an edge geometry of the substrate wafer, which measurement assigns a thickness characteristic value to an edge of the substrate wafer on the basis of edge positions, and assigns a thickness characteristic value at a notch position; - supporting the substrate wafer on a support surface of a pocket of a susceptor of a device for depositing the epitaxial layer, wherein the support surface is surrounded by an outer boundary; - heating the substrate wafer; and - guiding process gas over the substrate wafer; characterised by checking whether the thickness characteristic value at the notch position deviates by more than a percentage bound from the thickness characteristic value at an edge position having the greatest thickness characteristic value; - supporting the substrate wafer on the support surface such that the distance between the substrate wafer and the outer boundary of the support surface is smaller at the edge position having the greatest thickness characteristic value than at the other edge positions, provided that the deviation is greater than the percentage bound, or such that the distance between the substrate wafer and the outer boundary of the support surface is smaller at the notch position than at the other edge positions, provided that the deviation is not greater than the percentage bound.
(FR) L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche épitaxiale sur une tranche de substrat à partir d'une phase gazeuse, consistant : - à mesurer une géométrie de bord de la tranche de substrat, ladite mesure attribuant une valeur caractéristique d'épaisseur à un bord de la tranche de substrat en fonction de positions de bord, et attribuant une valeur caractéristique d'épaisseur à une position d'encoche ; - à déposer la tranche de substrat sur une surface de support d'une poche de suscepteur d'un dispositif servant à déposer la couche épitaxiale, la surface de support étant entourée par une limite externe ; - à chauffer la tranche de substrat ; et - à guider le gaz de traitement sur la tranche de substrat ; se caractérisant en ce qu'il permet de vérifier si la valeur caractéristique d'épaisseur au niveau de la position d'encoche s'écarte de plus d'un pourcentage lié donné, à partir de la valeur caractéristique d'épaisseur au niveau d'une position de bord présentant la plus grande valeur caractéristique d'épaisseur ; - à déposer la tranche de substrat sur la surface de support de sorte que la distance entre la tranche de substrat et la limite externe de la surface de support soit inférieure au niveau de la position de bord présentant la plus grande valeur caractéristique d'épaisseur par rapport aux autres positions de bord, à condition que l'écart soit supérieur au pourcentage lié, ou de sorte que la distance entre la tranche de substrat et la limite externe de la surface de support soit inférieure au niveau de la position d'encoche que dans les autres positions de bord, à condition que l'écart ne soit pas supérieur au pourcentage lié.
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