(DE) Verfahren zum Klassifizieren von unbekannten Partikeln auf einer Oberfläche einer Halbleiterscheibe umfassend das Aufbringen von Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung unter-schiedlicher Größe auf einer Testscheibe, Bestimmen einer Größe mehrerer Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung und Aufnehmen eines Spektrums einer energiedispersiven Röntgenspektroskopie mehrerer Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung, gefolgt vom jeweiligen Bestimmen eines Stoffgehaltes daraus, und Anpassen einer Ausgleichskurve an Größe und Stoffgehalt der Partikel bekannter chemischer Zusammensetzung, ferner das Bestimmen einer Partikelgröße eines unbekannten Partikels und ein Aufnehmen eines Spektrums einer energiedispersive Röntgenspektroskopie des unbekannten Partikels und daraus ermittein des Stoffgehaltes des unbekannten Partikels auf einer Halbleiterscheibe und Klassifizieren des unbekannten Partikels als Ergebnis des Vergleiches der Größe und des Stoffgehaltes des unbekannten Partikels mit der Ausgleichskurve.
(EN) The invention relates to a method for classifying unknown particles on a surface of a semi-conductor wafer, comprising: applying particles of a known chemical composition and varying size onto a test wafer; determining the size of a plurality of particles of a known chemical composition; recording a spectrum of an energy-dispersive X-ray spectroscopy of a plurality of particles of a known chemical composition; subsequently determining a substance content therefrom in each case; adapting a compensating curve to the size and substance content of the particles of a known chemical composition; furthermore determining the particle size of an unknown particle; recording a spectrum of an energy-dispersive X-ray spectroscopy of the unknown particle; determining therefrom the substance content of the unknown particle on a semi-conductor wafer; and classifying the unknown particle as a result of the comparison of the size and substance content of the unknown particle with the compensating curve.
(FR) L'invention concerne un procédé de classification de particules inconnues sur une surface d'une plaquette de semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes : l'application de particules d'une composition chimique connue et de taille variable sur une plaquette d'essai ; la détermination de la taille d'une pluralité de particules d'une composition chimique connue ; l'enregistrement d'un spectre d'une spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie d'une pluralité de particules d'une composition chimique connue ; la détermination ultérieure d'une teneur en substance de celles-ci dans chaque cas ; l'adaptation d'une courbe de compensation à la granulométrie et à la teneur en substance des particules d'une composition chimique connue ; la détermination de la granulométrie d'une particule inconnue ; l'enregistrement d'un spectre d'une spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie de la particule inconnue ; la détermination à partir de là de la teneur en substance de la particule inconnue sur une plaquette de semi-conducteur ; et la classification de la particule inconnue comme résultat de la comparaison de la granulométrie et de la teneur en substance de la particule inconnue avec la courbe de compensation.
