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1. WO2022090446 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERKÖRPERS UND HALBLEITERANORDNUNG

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Veröffentlichungsnummer WO/2022/090446
Veröffentlichungsdatum 05.05.2022
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2021/080087
Internationales Anmeldedatum 29.10.2021
IPC
H01L 33/00 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H01L 33/16 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
16mit besonderer Kristallstruktur oder Kristallorientierung, z.B. polykristallin, amorph oder porös
H01L 27/15 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
15mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission
H01L 33/30 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
H01L 33/32 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
32Stickstoff enthaltend
CPC
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 33/0062
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
H01L 33/007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0066with a substrate not being a III-V compound
007comprising nitride compounds
H01L 33/0093
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
H01L 33/0095
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
H01L 33/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
Anmelder
  • AMS-OSRAM INTERNATIONAL GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • AVRAMESCU, Adrian
  • VON MALM, Norwin
  • STAUSS, Peter
Vertreter
  • SJW PATENTANWÄLTE
Prioritätsdaten
10 2020 128 680.530.10.2020DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERKÖRPERS UND HALBLEITERANORDNUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CORPS SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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Zusammenfassung
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörper, bei dem ein Hilfsträger bereitgestellt wird. Auf diesem wird eine Schichtenfolge mit einer ein dotiertes Halbleitermaterial aufweisenden ersten Schicht und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht erzeugt, welche ein undotiertes Halbleitermaterial aufweist. Die erste Schicht der Schichtenfolge wird elektrochemisch porösifiziert, wobei ein Porositätsgrad wenigstens 20 Volumen-% beträgt. Sodann werden Mesa-Strukturen in der ersten porösifizerten ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildet und eine funktionelle Schichtenfolge mit wenigstens einer flächigen dritten Schicht erzeugt, die auf der mit Mesa-Strukturen versehenen zweiten Schicht aufgebracht ist. Die wenigstens eine flächige dritte Schicht weist eine gegenüber der zweiten Schicht unterschiedliche Gitterkonstante auf.
(EN) The invention relates to a method for producing a semiconductor body in which an auxiliary support is provided. On this auxiliary support is produced a layer sequence with a first layer having a doped semiconductor material and, applied thereon, a second layer which has an undoped semiconductor material. The first layer of the layer sequence is electrochemically porosified, a level of porosity being at least 20% by volume. Then mesa structures are formed in the porosified first layer and the second layer, and a functional layer sequence with at least one planar third layer is produced which is applied to the second layer provided with the mesa structures. The at least one planar third layer has a lattice constant which differs from that of the second layer.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur dans lequel est prévu un support auxiliaire. Sur ce support auxiliaire est produite une séquence de couches avec une première couche ayant un matériau semi-conducteur dopé et, appliquée sur celle-ci, une deuxième couche qui a un matériau semi-conducteur non dopé. La première couche de la séquence de couches est porosifiée électrochimiquement, un niveau de porosité étant d'au moins 20 % en volume. Des structures mesa sont ensuite formées dans la première couche porosifiée et la deuxième couche, et une séquence de couches fonctionnelles avec au moins une troisième couche plane est produite qui est appliquée à la deuxième couche pourvue des structures mesa. L'au moins une troisième couche plane a une constante de réseau qui diffère de celle de la deuxième couche.
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