(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörper, bei dem ein Hilfsträger bereitgestellt wird. Auf diesem wird eine Schichtenfolge mit einer ein dotiertes Halbleitermaterial aufweisenden ersten Schicht und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht erzeugt, welche ein undotiertes Halbleitermaterial aufweist. Die erste Schicht der Schichtenfolge wird elektrochemisch porösifiziert, wobei ein Porositätsgrad wenigstens 20 Volumen-% beträgt. Sodann werden Mesa-Strukturen in der ersten porösifizerten ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildet und eine funktionelle Schichtenfolge mit wenigstens einer flächigen dritten Schicht erzeugt, die auf der mit Mesa-Strukturen versehenen zweiten Schicht aufgebracht ist. Die wenigstens eine flächige dritte Schicht weist eine gegenüber der zweiten Schicht unterschiedliche Gitterkonstante auf.
(EN) The invention relates to a method for producing a semiconductor body in which an auxiliary support is provided. On this auxiliary support is produced a layer sequence with a first layer having a doped semiconductor material and, applied thereon, a second layer which has an undoped semiconductor material. The first layer of the layer sequence is electrochemically porosified, a level of porosity being at least 20% by volume. Then mesa structures are formed in the porosified first layer and the second layer, and a functional layer sequence with at least one planar third layer is produced which is applied to the second layer provided with the mesa structures. The at least one planar third layer has a lattice constant which differs from that of the second layer.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur dans lequel est prévu un support auxiliaire. Sur ce support auxiliaire est produite une séquence de couches avec une première couche ayant un matériau semi-conducteur dopé et, appliquée sur celle-ci, une deuxième couche qui a un matériau semi-conducteur non dopé. La première couche de la séquence de couches est porosifiée électrochimiquement, un niveau de porosité étant d'au moins 20 % en volume. Des structures mesa sont ensuite formées dans la première couche porosifiée et la deuxième couche, et une séquence de couches fonctionnelles avec au moins une troisième couche plane est produite qui est appliquée à la deuxième couche pourvue des structures mesa. L'au moins une troisième couche plane a une constante de réseau qui diffère de celle de la deuxième couche.