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1. WO2022090445 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS UND HALBLEITERANORDNUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2022/090445
Veröffentlichungsdatum 05.05.2022
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2021/080085
Internationales Anmeldedatum 29.10.2021
IPC
H01L 33/00 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H01L 33/16 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
16mit besonderer Kristallstruktur oder Kristallorientierung, z.B. polykristallin, amorph oder porös
H01L 33/30 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
H01L 33/32 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
32Stickstoff enthaltend
CPC
H01L 33/0062
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
H01L 33/007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0066with a substrate not being a III-V compound
007comprising nitride compounds
H01L 33/0093
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
H01L 33/0095
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
H01L 33/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
H01L 33/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
Anmelder
  • AMS-OSRAM INTERNATIONAL GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • STAUSS, Peter
  • AVRAMESCU, Adrian
  • VON MALM, Norwin
Vertreter
  • GHARAIBEH, Mohannad
Prioritätsdaten
10 2020 128 678.330.10.2020DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS UND HALBLEITERANORDNUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers, insbesondere eines optoelektronischen Bauelements, umfassend ein Bereitstellen eines Hilfsträgers. Anschließend wird auf diesem eine Schichtenfolge erzeugt aufweisend eine erste Schicht mit einem dotierten Halbleitermaterial, insbesondere einem III-V Halbleitermaterial sowie eine zweite Schicht mit einem undotierten Halbleitermaterial auf der ersten Schicht. Die erste Schicht wird elektrochemisch porösifiziert, wobei ein Porositätsgrad wenigstens 40 Volumen-% beträgt. Auf der zweiten Schicht wird im Folgenden ein zur Lichtemission geeigneten Halbleiterkörper ausgebildet und dieser von dem Träger abgelöst.
(EN) The invention relates to a method for producing a semiconductor body, in particular an optoelectronic component, comprising the provision of an auxiliary support. Then a layer sequence is produced thereon having a first layer with a doped semiconductor material, in particular a III-V semiconductor material, and a second layer with an undoped semiconductor material on the first layer. The first layer is electrochemically porosified, a level of porosity being at least 40% by volume. Subsequently, on the second layer is formed a semiconductor body suitable for light emission, and this semiconductor body is removed from the support.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur, en particulier d'un composant optoélectronique, qui comprend la mise à disposition d'un support auxiliaire. Puis, une séquence de couches est produite sur celui-ci et comporte une première couche avec un matériau semi-conducteur dopé, en particulier un matériau semi-conducteur III-V, et une seconde couche avec un matériau semi-conducteur non dopé sur la première couche. La première couche est rendue poreuse de manière électrochimique, un niveau de porosité étant d'au moins 40 % en volume. Ensuite, un corps semi-conducteur approprié pour une émission de lumière est formé sur la seconde couche, et est retiré du support.
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