(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers, insbesondere eines optoelektronischen Bauelements, umfassend ein Bereitstellen eines Hilfsträgers. Anschließend wird auf diesem eine Schichtenfolge erzeugt aufweisend eine erste Schicht mit einem dotierten Halbleitermaterial, insbesondere einem III-V Halbleitermaterial sowie eine zweite Schicht mit einem undotierten Halbleitermaterial auf der ersten Schicht. Die erste Schicht wird elektrochemisch porösifiziert, wobei ein Porositätsgrad wenigstens 40 Volumen-% beträgt. Auf der zweiten Schicht wird im Folgenden ein zur Lichtemission geeigneten Halbleiterkörper ausgebildet und dieser von dem Träger abgelöst.
(EN) The invention relates to a method for producing a semiconductor body, in particular an optoelectronic component, comprising the provision of an auxiliary support. Then a layer sequence is produced thereon having a first layer with a doped semiconductor material, in particular a III-V semiconductor material, and a second layer with an undoped semiconductor material on the first layer. The first layer is electrochemically porosified, a level of porosity being at least 40% by volume. Subsequently, on the second layer is formed a semiconductor body suitable for light emission, and this semiconductor body is removed from the support.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un corps semi-conducteur, en particulier d'un composant optoélectronique, qui comprend la mise à disposition d'un support auxiliaire. Puis, une séquence de couches est produite sur celui-ci et comporte une première couche avec un matériau semi-conducteur dopé, en particulier un matériau semi-conducteur III-V, et une seconde couche avec un matériau semi-conducteur non dopé sur la première couche. La première couche est rendue poreuse de manière électrochimique, un niveau de porosité étant d'au moins 40 % en volume. Ensuite, un corps semi-conducteur approprié pour une émission de lumière est formé sur la seconde couche, et est retiré du support.