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1. WO2022089908 - VERFAHREN ZUM SCHALTEN VON LEISTUNGSTRANSISTOREN

Veröffentlichungsnummer WO/2022/089908
Veröffentlichungsdatum 05.05.2022
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2021/077723
Internationales Anmeldedatum 07.10.2021
IPC
H03K 17/16 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
17Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
16Ausbildung von Schaltern zum Eliminieren von Störspannungen oder Störströmen
CPC
H03K 17/163
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
161in field-effect transistor switches
162without feedback from the output circuit to the control circuit
163Soft switching
H03K 17/166
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
161in field-effect transistor switches
165by feedback from the output circuit to the control circuit
166Soft switching
Anmelder
  • VITESCO TECHNOLOGIES GERMANY GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • LOERINCZ, Robert Istvan
  • ANTONGIROLAMI, Diego
  • ARABACKYJ, Marc
  • MASER, Matthias
  • TAISTRA, Eric
  • JOSEPH, Sahaya Kulandai Raj
Vertreter
  • WALDMANN, Alexander
Prioritätsdaten
20465573.227.10.2020EP
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM SCHALTEN VON LEISTUNGSTRANSISTOREN
(EN) METHOD FOR SWITCHING POWER TRANSISTORS
(FR) PROCÉDÉ DE COMMUTATION DE TRANSISTORS DE PUISSANCE
Zusammenfassung
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schalten von Leistungstransistoren (HS, LS) in einer Leistungstransistorschaltung (1), wobei die Leistungstransistoren (HS, LS) jeweils ein Gate (G) aufweisen, das bei einer Einschaltsequenz und/oder einer Ausschaltsequenz sequentiell mit mindestens drei Steuerwerten (lg1, lg2, lg3) angesteuert wird, zwischen denen zu bestimmten Zeitpunkten (t1, t2) umgeschaltet wird, wobei die Zeitpunkte (t1, t2) mittels eines Reglers (2.1) bestimmt oder modifiziert werden, der von einem Millerplateau-Detektor (2.2.) zur Detektion eines Millerplateaus (MP) in einer Gate-Source-Spannung (VGS) des jeweiligen Leistungstransistors (HS, LS) angesteuert wird.
(EN) The invention relates to a method for switching power transistors (HS, LS) in a power transistor circuit (1), wherein the power transistors (HS, LS) each have a gate (G), which is driven sequentially in a switch-on sequence and/or a switch-off sequence using at least three control values (lg1, lg2, lg3), there being a switchover between said control values at specific times (t1, t2), wherein the times (t1, t2) are determined or modified by means of a controller (2.1), which is actuated by a Miller plateau detector (2.2) for detecting a Miller plateau (MP) in a gate-source voltage (VGS) of the respective power transistor (HS, LS).
(FR) L'invention concerne un procédé de commutation de transistors de puissance (HS, LS) dans un circuit de transistor de puissance (1), les transistors de puissance (HS, LS) ayant chacun une grille (G), qui est attaquée de manière séquentielle dans une séquence de mise sous tension et/ou une séquence de mise hors tension à l'aide d'au moins trois valeurs de commande (lg1, lg2, lg3), une commutation existant entre lesdites valeurs de commande à des instants spécifiques (t1, t2), les temps (t1, t2) étant déterminés ou modifiés au moyen d'un dispositif de commande (2.1), qui est actionné par un détecteur de plateau de Miller (2.2) pour détecter un plateau de Miller (MP) dans une tension grille-source (VGS) du transistor de puissance respectif (HS, LS).
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