(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schalten von Leistungstransistoren (HS, LS) in einer Leistungstransistorschaltung (1), wobei die Leistungstransistoren (HS, LS) jeweils ein Gate (G) aufweisen, das bei einer Einschaltsequenz und/oder einer Ausschaltsequenz sequentiell mit mindestens drei Steuerwerten (lg1, lg2, lg3) angesteuert wird, zwischen denen zu bestimmten Zeitpunkten (t1, t2) umgeschaltet wird, wobei die Zeitpunkte (t1, t2) mittels eines Reglers (2.1) bestimmt oder modifiziert werden, der von einem Millerplateau-Detektor (2.2.) zur Detektion eines Millerplateaus (MP) in einer Gate-Source-Spannung (VGS) des jeweiligen Leistungstransistors (HS, LS) angesteuert wird.
(EN) The invention relates to a method for switching power transistors (HS, LS) in a power transistor circuit (1), wherein the power transistors (HS, LS) each have a gate (G), which is driven sequentially in a switch-on sequence and/or a switch-off sequence using at least three control values (lg1, lg2, lg3), there being a switchover between said control values at specific times (t1, t2), wherein the times (t1, t2) are determined or modified by means of a controller (2.1), which is actuated by a Miller plateau detector (2.2) for detecting a Miller plateau (MP) in a gate-source voltage (VGS) of the respective power transistor (HS, LS).
(FR) L'invention concerne un procédé de commutation de transistors de puissance (HS, LS) dans un circuit de transistor de puissance (1), les transistors de puissance (HS, LS) ayant chacun une grille (G), qui est attaquée de manière séquentielle dans une séquence de mise sous tension et/ou une séquence de mise hors tension à l'aide d'au moins trois valeurs de commande (lg1, lg2, lg3), une commutation existant entre lesdites valeurs de commande à des instants spécifiques (t1, t2), les temps (t1, t2) étant déterminés ou modifiés au moyen d'un dispositif de commande (2.1), qui est actionné par un détecteur de plateau de Miller (2.2) pour détecter un plateau de Miller (MP) dans une tension grille-source (VGS) du transistor de puissance respectif (HS, LS).
