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1. WO2022061389 - VERFAHREN ZUM ZÜCHTEN VON EINKRISTALLEN

Veröffentlichungsnummer WO/2022/061389
Veröffentlichungsdatum 31.03.2022
Internationales Aktenzeichen PCT/AT2021/060344
Internationales Anmeldedatum 23.09.2021
IPC
C30B 23/02 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
23Erzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen
02Epitaktisches Schichtenwachstum
C30B 29/36 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
10Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen
36Carbide
CPC
C30B 23/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
C30B 23/025
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
025characterised by the substrate
C30B 25/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
C30B 35/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
Anmelder
  • EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH [AT]/[AT]
Erfinder
  • ARIYAWONG, Kanaparin
  • BARBAR, Ghassan
  • EBNER, Robert
  • HSIUNG, Chih-Yung
Vertreter
  • ANWÄLTE BURGER UND PARTNER RECHTSANWALT GMBH
Prioritätsdaten
A50822/202028.09.2020AT
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM ZÜCHTEN VON EINKRISTALLEN
(EN) METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTALS
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE MONOCRISTAUX
Zusammenfassung
(DE) Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Züchten von Einkristallen, insbesondere aus Siliziumcarbid, umfassend einen Tiegel, welcher Tiegel eine äußere Mantelfläche definiert und weiters einen Aufnahmeraum mit einer Axialerstreckung zwischen einem Bodenabschnitt und einem Öffnungsabschnitt umgrenzt, wobei der Aufnahmeraum zum Züchten der Einkristalle ausgebildet ist, wobei die Vorrichtung zumindest eine Keimkristall Schicht (507) aufweist, wobei die Keimkristall Schicht (405, 507) aus mehreren Keimkristallplatten (507a, 507b, 507c) mosaikartig zusammengesetzt ist.
(EN) The invention relates to a device for growing single crystals, in particular of silicon carbide, comprising a crucible, which crucible defines an outer lateral surface and furthermore delimits a receiving chamber having an axial extension between a bottom section and an opening section, the receiving chamber being designed to grow the single crystals, wherein the device has at least one seed crystal layer (507), the seed crystal layer (405, 507) being composed of a plurality of seed crystal plates (507a, 507b, 507c) in the form of a mosaic.
(FR) L'invention concerne un dispositif de croissance de monocristaux, en particulier de carbure de silicium, comprenant un creuset, lequel creuset définit une surface latérale externe et délimite en outre une chambre de réception ayant une extension axiale entre une section inférieure et une section d'ouverture, la chambre de réception étant conçue pour faire croître les monocristaux, le dispositif comportant au moins une couche de germe (507), la couche de germe (405, 507) étant composée d'une pluralité de plaques de germe (507a, 507b, 507c) en forme de mosaïque.
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