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1. WO2021052825 - OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS

Veröffentlichungsnummer WO/2021/052825
Veröffentlichungsdatum 25.03.2021
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/075139
Internationales Anmeldedatum 09.09.2020
IPC
H01L 33/48 2010.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
H01L 33/50 2010.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
50Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H01L 33/52 2010.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
52Einkapselungen
H01L 25/075 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H01L 33/44 2010.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
H01L 33/56 2010.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
52Einkapselungen
56Materialien, z.B. Epoxidharze oder Silikonharze
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • RICHTER, Daniel
  • LEISEN, Daniel
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2019 125 411.620.09.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (20) angegeben mit mindestens einem Halbleiterchip (21) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, und einem Träger (22) mit einer Haupterstreckungsebene, wobei der mindestens eine Halbleiterchip (21) auf dem Träger (22) angeordnet ist, ein strahlungsdurchlässiger Verguss (23) den mindestens einen Halbleiterchip (21) zumindest stellenweise bedeckt, in den strahlungsdurchlässigen Verguss (23) erste Partikel (24) und zweite Partikel (25) eingebracht sind, die ersten Partikel (24) eine Reflektivität von mindestens 0,7 aufweisen oder die ersten Partikel (24) Leuchtstoffe sind, in einem ersten Bereich (26) des strahlungsdurchlässigen Verguss (23) die Konzentration der ersten Partikel (24) größer als die Konzentration der zweiten Partikel (25) ist, in einem zweiten Bereich (27) des strahlungsdurchlässigen Verguss (23) die Konzentration der zweiten Partikel (25) größer als die Konzentration der ersten Partikel (24) ist, und der zweite Bereich (27) in einer vertikalen Richtung, welche senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (22) verläuft, über dem ersten Bereich (26) angeordnet ist. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (20) angegeben.
(EN)
The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (20) having at least one semiconductor chip (21) for generating electromagnetic radiation, and a carrier (22) having a main plane of extension, wherein the at least one semiconductor ship (21) is arranged on the carrier (22); a radiation-permeable potting compound (23) covers the at least one semiconductor chip (21) at least in places; first particles (24) and second particles (25) are introduced into the radiation-permeable potting compound (23); the first particles (24) have a reflectivity of at least 0.7 or the first particles (24) are luminescent materials; in a first region (26) of the radiation-permeable potting compound (23), the concentration of the first particles (24) is greater than the concentration of the second particles (25); in a second region (27) of the radiation-permeable potting compound (23), the concentration of the second particles (25) is greater than the concentration of the first particles (24); and the second region (27) is arranged in a vertical direction, which extends perpendicular to the main plane of extension of the carrier (22), over the first region (26). The invention also relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component (20).
(FR)
L'invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (20) comportant au moins une puce à semi-conducteur (21) pour générer un rayonnement électromagnétique, et un support (22) ayant un plan principal d'extension, ladite au moins une puce à semi-conducteur (21) est disposée sur le support (22) ; un composé d'enrobage perméable aux rayonnements (23) recouvre l'au moins une puce à semi-conducteur (21) au moins dans des endroits ; des premières particules (24) et des secondes particules (25) sont introduites dans le composé d'enrobage perméable aux rayonnements (23) ; les premières particules (24) ont une réflectivité d'au moins 0,7 ou les premières particules (24) sont des matériaux luminescents ; dans une première région (26) du composé d'enrobage perméable aux rayonnements (23), la concentration des premières particules (24) est supérieure à la concentration des secondes particules (25) ; dans une seconde région (27) du composé d'enrobage perméable aux rayonnements (23), la concentration des secondes particules (25) est supérieure à la concentration des premières particules (24) ; et la seconde région (27) est disposée dans une direction verticale, qui s'étend perpendiculairement au plan principal d'extension du support (22), sur la première région (26). L'invention concerne également un procédé de production d'un composant semi-conducteur optoélectronique (20).
Auch veröffentlicht als
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