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1. WO2021043542 - PLASMABEHANDLUNGSANLAGE UND PLASMABEHANDLUNGSVERFAHREN

Veröffentlichungsnummer WO/2021/043542
Veröffentlichungsdatum 11.03.2021
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/072492
Internationales Anmeldedatum 11.08.2020
IPC
H01J 37/32 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
JElektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32Gasgefüllte Entladungsröhren
C23C 14/54 2006.01
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
54Steuern oder Regeln des Beschichtungsvorganges
CPC
C23C 14/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
54Controlling or regulating the coating process
H01J 37/32082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/3211
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
Anmelder
  • SINGULUS TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • MAY, Frank
  • CORD, Bernhard
  • HÜBNER, Simon
  • WOHLFART, Peter
Vertreter
  • VOSSIUS & PARTNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE MBB
Prioritätsdaten
10 2019 213 591.906.09.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) PLASMABEHANDLUNGSANLAGE UND PLASMABEHANDLUNGSVERFAHREN
(EN) PLASMA TREATMENT SYSTEM AND PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PLASMA
Zusammenfassung
(DE)
Eine Behandlungsanlage (100) weist eine Prozesskammer (101) zur dynamischen oder statischen Behandlung wenigstens eines Substrats auf. Eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle, ICP-Quelle (120, 120') weist wenigstens einen Induktor (130a, 130b), der sich entlang der Längsrichtung der ICP-Quelle (120, 120') erstreckt, eine Gaszuführeinrichtung (141, 142) für ein oder mehrere Prozessgase und eine in der Prozesskammer (101) angeordnete Gaslenkanordnung (150) auf, die sich entlang der Längsrichtung der ICP-Quelle (120, 120') erstreckt und den wenigstens einen Induktor (130a, 130b) teilweise umgibt.
(EN)
A treatment system (100) has a process chamber (101) for dynamic or static treatment of at least one substrate. An inductively coupled plasma source, ICP source (120, 120'), has at least one inductor (130a, 130b) that extends in the longitudinal direction of the ICP source (120, 120'), a gas supply device (141, 142) for one or more process gases and a gas directing arrangement (150) which is disposed in the process chamber (101) and extends in the longitudinal direction of the ICP source (120, 120') and partly surrounds the at least one inductor (130a, 130b).
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement plasma (100) comportant une chambre de traitement (101) pour le traitement dynamique ou statique d'au moins un substrat. Une source de plasma inductif (source ICP) (120, 120') comporte au moins un inducteur (130a, 130b) s'étendant le long de la direction longitudinale de la source ICP (120, 120'), un dispositif d'alimentation en gaz (141, 142) pour un ou plusieurs gaz de traitement, et un dispositif de guidage de gaz (150) disposé dans la chambre de traitement (101), s'étendant le long de la direction longitudinale de la source ICP (120, 120') et entourant au moins partiellement l'au moins un inducteur (130a, 130b).
Auch veröffentlicht als
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