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1. WO2021028132 - OPTISCHES BELEUCHTUNGSSYSTEM ZUR FÜHRUNG VON EUV-STRAHLUNG

Veröffentlichungsnummer WO/2021/028132
Veröffentlichungsdatum 18.02.2021
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/069544
Internationales Anmeldedatum 10.07.2020
IPC
G03F 7/20 2006.1
GSektion G Physik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken ; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20Belichten; Vorrichtungen dafür
G02B 27/42 2006.1
GSektion G Physik
02Optik
BOptische Elemente, Systeme oder Geräte
27Optische Systeme oder Geräte, soweit nicht in einer der Gruppen G02B1/-G02B26/115
42Beugungsoptik
CPC
G02B 27/4272
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
42Diffraction optics ; , i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
4272having plural diffractive elements positioned sequentially along the optical path
G02B 5/09
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
08Mirrors
09Multifaceted or polygonal mirrors ; , e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
G03F 7/70158
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
7015Details of optical elements
70158Diffractive optical elements
G03F 7/70191
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarization, phase or the like
G03F 7/702
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors
G03F 7/70575
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
7055Exposure light control, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control, light interruption
70575Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength, matching of optical components to wavelength
Anmelder
  • CARL ZEISS SMT GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • PATRA, Michael
Vertreter
  • RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB
Prioritätsdaten
10 2019 212 017.209.08.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTISCHES BELEUCHTUNGSSYSTEM ZUR FÜHRUNG VON EUV-STRAHLUNG
(EN) OPTICAL ILLUMINATION SYSTEM FOR GUIDING EUV RADIATION
(FR) SYSTÈME D'ÉCLAIRAGE OPTIQUE SERVANT À GUIDER UN RAYONNEMENT EUV
Zusammenfassung
(DE) Ein optisches Beleuchtungssystem dient zur Führung von EUV-Strahlung (3) zwischen einem Quellbereich (4), einer EUV-Lichtquelle (2) und einem Objektfeld (18), in dem ein abzubildendes Objekt (23) anordenbar ist. Das Beleuchtungssystem hat mindestens zwei (7, 14) für die EUV-Strahlung (3) reflektierende EUV-Spiegel-Komponenten (5, 7, 14, 19), die sequentiell die EUV-Strahlung zwischen dem Quellbereich (4) und dem Objektfeld (18) führen. Auf jeder der beiden EUV-Spiegel-Komponenten (7, 14) ist eine optische Beugungskomponente (31) zur Unterdrückung von Falschlicht-Strahlung angeordnet. Mindestens zwei dieser optischen Beugungskomponenten (31) sind zur Unterdrückung verschiedener Falschlicht-Wellenlängen ausgelegt. Eine erste der beiden optischen Beugungskomponenten, die auf einer ersten der EUV-Spiegel-Komponenten angeordnet ist, ist als Gitter mit mindestens einer ersten Strukturtiefe und eine zweite der beiden optischen Beugungskomponenten, die auf einer zweiten der EUV-Spiegel-Komponenten angeordnet ist, ist als Gitter mit mindestens einer zweiten verschiedenen Strukturtiefe ausgeführt. Es resultiert eine verbesserte Falschlichtunterdrückung.
(EN) The invention relates to an optical illumination system for guiding EUV radiation (3) between a source region (4), an EUV light source (2), and an object field (18) in which an object (23) to be imaged can be arranged. The illumination system has at least two (7, 14) EUV mirror components (5, 7, 14, 19) reflecting the EUV radiation (3), which components guide the EUV radiation sequentially between the source region (4) and the object field (18). An optical diffraction component (31) is arranged on each of the two EUV mirror components (7, 14) to suppress stray light radiation. At least two of these optical diffraction components (31) are designed for the suppression of various stray light wavelengths. A first of the two optical diffraction components, which is arranged on a first of the EUV mirror components, is designed as a raster with at least a first structure depth and a second of the two optical diffraction components, which is arranged on a second of the EUV mirror components, is designed as a raster with at least a second different structure depth. The result is improved stray light suppression.
(FR) L'invention concerne un système d'éclairage optique servant à guider un rayonnement EUV (3) entre une région de source (4), une source de lumière EUV (2), et un champ d'objet (18) dans lequel un objet à imager peut être agencé. Le système d'éclairage a au moins deux (7, 14) composants de miroir EUV (5, 7, 14, 19) qui réfléchissent le rayonnement EUV (3), lesquels composants guident le rayonnement EUV de manière séquentielle entre la région de source (4) et le champ d'objet (18). Un composant de diffraction optique (31) est disposé sur chacun des deux composants de miroir EUV (7, 14) pour supprimer un rayonnement de lumière parasite. Au moins deux de ces composants de diffraction optique (31) sont conçus pour la suppression de diverses longueurs d'onde de lumière parasite. Un premier des deux composants de diffraction optique, qui est disposé sur un premier des composants de miroir EUV, est réalisé sous la forme d'une trame présentant au moins une première profondeur de structure et un second des deux composants de diffraction optique, qui est disposé sur un second des composants de miroir EUV, est conçu sous la forme d'une trame ayant au moins une seconde profondeur de structure différente. Le résultat est une meilleure suppression de la lumière parasite.
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