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1. WO2020229177 - HALBLEITERLEISTUNGSMODUL

Veröffentlichungsnummer WO/2020/229177
Veröffentlichungsdatum 19.11.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/061868
Internationales Anmeldedatum 29.04.2020
IPC
H01L 23/66 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
58Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
64Impedanz-Anpassung
66Hochfrequenz-Anpassung
H01L 23/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
H01L 25/07 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
H02M 7/00 2006.01
HElektrotechnik
02Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
MAnlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
7Umformung von Wechselstrom in Gleichstrom; Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom
H05K 1/02 2006.01
HElektrotechnik
05Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
KGedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
1Gedruckte Schaltungen
02Einzelheiten
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • SUENNER, Thomas
  • KAISER, Alexander
  • SCHIELE, Christian
Prioritätsdaten
10 2019 206 821.910.05.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HALBLEITERLEISTUNGSMODUL
(EN) SEMICONDUCTOR POWER MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsmodul (1) mit einem ersten Leistungstransistor (5LA) und einem zweiten Leistungstransistor (5LB), welche parallel zwischen einer ersten Kollektorleiterbahn (11L) und einer ersten Emitterleiterbahn (9L) angeordnet sind, wobei jeweils eine erste Anschlussoberfläche der Leistungstransistoren (5LA, 5LB) mit der ersten Kollektorleiterbahn (11L) und jeweils eine zweite Anschlussoberfläche der Leistungstransistoren (5LA, 5LB) mit der ersten Emitterleiterbahn (9L) elektrisch leitend verbunden ist, so dass sich ein zwischen der ersten Kollektorleiterbahn (11L) und der ersten Emitterleiterbahn (9L) fließender Strom auf die beiden Leistungstransistoren (5LA, 5LB) aufteilt, wenn die Leistungstransistoren (5LA, 5LB) jeweils über eine angelegte Steuerspannung leitend geschaltet sind, wobei ein erster externer Leistungskontakt (P) direkt an einem ersten Kontaktbereich (KB1) mit der ersten Kollektorleiterbahn (11) kontaktiert ist, wobei ein zweiter externer Leistungskontakt (TL) über ein erstes Verbindungselement (13) an einem zweiten Kontaktbereich (KB2) mit der ersten Emitterleiterbahn (9L) kontaktiert ist, und wobei in der ersten Emitterleiterbahn (9L) zumindest eine Aussparung (15LA, 15LB) eingebracht ist, welche den ohmschen Widerstand und die parasitäre Induktivität der ersten Emitterleiterbahn (9L) gezielt beeinflusst und eine vorgebbare Verschiebung von Störfrequenzen bewirkt.
(EN)
The invention relates to a semiconductor power module (1) comprising a first power transistor (5LA) and a second power transistor (5LB) which are arranged in parallel between a first collector conductor track (11L) and a first emitter conductor track (9L), wherein a first terminal surface of each of the power transistors (5LA, 5LB) is electrically conductively connected to the first collector conductor track (11L) and a second terminal surface of each of the power transistors (5LA, 5LB) is electrically conductively connected to the first emitter conductor track (9L), such that a current flowing between the first collector conductor track (11L) and the first emitter conductor track (9L) is divided between the two power transistors (5LA, 5LB) when the power transistors (5LA, 5LB) are switched into the conducting state in each case by means of an applied control voltage, wherein a first external power contact (P) is contacted with the first collector conductor track (11) directly at a first contact region (KB1), wherein a second external power contact (TL) is contacted with the first emitter conductor track (9L) at a second contact region (KB2) via a first connecting element (13), and wherein at least one recess (15LA, 15LB) is formed in the first emitter conductor track (9L), said recess specifically influencing the ohmic resistance and the parasitic inductance of the first emitter conductor track (9L) and causing a predefinable shift of interference frequencies.
(FR)
L'invention concerne un module de puissance à semi-conducteurs (1) comportant un premier transistor de puissance (5LA) et un deuxième transistor de puissance (5LB) disposés en parallèle entre une première piste conductrice de collecteur (11L) et une première piste conductrice d'émetteur (9L). Respectivement une première surface de connexion des transistors de puissance (5LA, 5LB) est connectée électriquement à la première piste conductrice de collecteur (11L) et une deuxième surface de connexion des transistors de puissance (5LA, 5LB) est connectée électriquement à la première piste conductrice d'émetteur (9L) de telle manière qu'un courant circulant entre la première piste conductrice de collecteur (11L) et la première piste conductrice d'émetteur (9L) se répartit sur les deux transistors de puissance (5LA, 5LB) lorsque les transistors de puissance (5LA, 5LB) sont mis en circuit de façon conductrice respectivement au moyen d'une tension de commande appliquée. Un premier contact de puissance externe (P) est mis en contact avec la première piste conductrice de collecteur (11) directement au niveau d'une première zone de contact (KB1), et un deuxième contact de puissance externe (TL) est mis en contact avec la première piste conductrice d'émetteur (9L) au moyen d'un premier élément de connexion (13) au niveau d'une deuxième zone de contact (KB2). Au moins un évidement (15LA, 15LB) est pratiqué dans la première piste conductrice d'émetteur (9L), lequel infuence de façon ciblée la résistance ohmique et l'inductivité parasitaire de la première piste conductrice d'émetteur (9L) et provoque un décalage prédéfini de fréquences parasites.
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