In Bearbeitung

Bitte warten ...

PATENTSCOPE ist einige Stunden aus Wartungsgründen am Dienstag 25.01.2022 um 9:00 AM MEZ nicht verfügbar
Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2020221763 - MESS-BELEUCHTUNGSOPTIK ZUR FÜHRUNG VON BELEUCHTUNGSLICHT IN EIN OBJEKTFELD EINER PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE EUV-LITHOGRAFIE

Veröffentlichungsnummer WO/2020/221763
Veröffentlichungsdatum 05.11.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/061791
Internationales Anmeldedatum 28.04.2020
IPC
G03F 7/20 2006.1
GSektion G Physik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken ; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20Belichten; Vorrichtungen dafür
G02B 5/08 2006.1
GSektion G Physik
02Optik
BOptische Elemente, Systeme oder Geräte
5Optische Elemente außer Linsen
08Spiegel
G02B 5/09 2006.1
GSektion G Physik
02Optik
BOptische Elemente, Systeme oder Geräte
5Optische Elemente außer Linsen
08Spiegel
09Mehrflächenspiegel oder Polygonspiegel
G02B 7/182 2006.1
GSektion G Physik
02Optik
BOptische Elemente, Systeme oder Geräte
7Halterungen, Fassungen, Justiereinrichtungen oder lichtdichte Verbindungen für optische Elemente
18für Prismen; für Spiegel
182für Spiegel
CPC
G02B 26/101
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
26Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating
08for controlling the direction of light
10Scanning systems
101with both horizontal and vertical deflecting means, e.g. raster or XY scanners
G02B 26/105
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
26Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating
08for controlling the direction of light
10Scanning systems
105with one or more pivoting mirrors or galvano-mirrors
G02B 7/1827
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
7Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
18for prisms; for mirrors
182for mirrors
1822comprising means for aligning the optical axis
1827Motorised alignment
G03F 7/70075
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane, by using an integrator, e.g. fly's eye lenses, facet mirrors, glass rods, by using a diffusive optical element or by beam deflection
G03F 7/70116
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70058Mask illumination systems
70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane, angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole, quadrupole; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. LCD or DMD
G03F 7/70591
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70591Testing optical components
Anmelder
  • CARL ZEISS SMT GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • FISCHER, Thomas
  • WISCHMEIER, Lars
  • PATRA, Michael
  • HOLDERER, Hubert
Vertreter
  • RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB
Prioritätsdaten
10 2019 206 057.929.04.2019DE
10 2019 217 158.307.11.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) MESS-BELEUCHTUNGSOPTIK ZUR FÜHRUNG VON BELEUCHTUNGSLICHT IN EIN OBJEKTFELD EINER PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE EUV-LITHOGRAFIE
(EN) MEASURING ILLUMINATION OPTICAL UNIT FOR GUIDING ILLUMINATION LIGHT INTO AN OBJECT FIELD OF A PROJECTION EXPOSURE SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) OPTIQUE D'ÉCLAIRAGE DE MESURE POUR LE GUIDAGE DE LUMIÈRE D'ÉCLAIRAGE DANS UN CHAMP D’OBJET D’UNE INSTALLATION D’EXPOSITION PAR PROJECTION POUR LA LITHOGRAPHIE EUV
Zusammenfassung
(DE) Eine Mess-Beleuchtungsoptik dient zur Führung von Beleuchtungslicht (3) in ein Objektfeld einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithografie, in dem eine Lithografiemaske anordenbar ist. Ein Feldfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik hat eine Mehrzahl von Feldfacetten (7, 7') und ein Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik hat eine Mehrzahl von Pupillenfacetten (11). Letztere dienen zur überlagernden Abbildung von Feldfacettenbildern (12) der Feldfacetten (7) in das Objektfeld. Ein Feldfacetten-Abbildungs-Kanal (12a) des Beleuchtungslichts (3) ist über jeweils eine Feldfacette (7) und jeweils eine Pupillenfacette (11) geführt. Eine Feldblende (29) dient zur Vorgabe einer Feldberandung eines Beleuchtungsfeldes (31) in einer Objektebene (17), in der das Objektfeld angeordnet ist. Das Beleuchtungsfeld (31) hat längs einer Felddimension (y) eine größere Erstreckung als jeweils eines der Feldfacettenbilder (12). Mindestens einige der Feldfacetten (7') haben Kippaktoren (7a), die eine Führung des Beleuchtungslichts (3) über verschiedene Feldfacetten (7, 7') und ein und dieselbe Pupillenfacette (11) in das Beleuchtungsfeld (31) gewährleisten. Es resultiert eine Mess-Beleuchtungsoptik, mit der eine Vollausleuchtung eines Beleuchtungsfeldes möglich ist, welches längs einer Felddimension eine größere Erstreckung hat als ein Feldfacettenbild in der Objektebene.
(EN) A measuring illumination optical unit is used to guide illumination light (3) into an object field of a projection exposure system for EUV lithography, in which a lithography mask can be arranged. A field facet mirror of the illumination optical unit has a plurality of field facets (7, 7') and a pupil facet mirror of the illumination optical unit has a plurality of pupil facets (11). The latter are used for superimposed imaging of field facet images (12) of the field facets (7) into the object field. A field facet imaging channel (12a) of the illumination light (3) is guided via one field facet (7) and one pupil facet (11). A field stop (29) is used to define a field boundary of an illumination field (31) in an object plane (17) in which the object field is arranged. The illumination field (31) has a larger extension along a field dimension (y) than one of the field facet images (12). At least some of the field facets (7') have tilting actuators (7a) which ensure that the illumination light (3) is guided via different field facets (7, 7') and one and the same pupil facet (11) into the illumination field (31). The result is a measuring illumination optical unit with which full illumination of an illumination field is possible, which field has a larger extension along a field dimension than a field facet image in the object plane.
(FR) Optique d'éclairage de mesure servant au guidage de lumière d'éclairage (3) dans un champ d’objet d’une installation d’exposition par projection pour la lithographie EUV, dans lequel un masque lithographique peut être disposé. Un réflecteur à facettes de champ de l’optique d'éclairage présente une pluralité de facettes de champ (7, 7') et un réflecteur à facettes de pupille de l’optique d'éclairage présente une pluralité de facettes de pupille (11). Ce dernier sert à la représentation par superposition d’images de facettes de champ (12) des facettes de champ (7) dans le champ d’objet. Un canal de représentation de facettes de champ (12a) de la lumière d'éclairage (3) est guidé sur respectivement une facette de champ (7) et respectivement une facette de pupille (11). Un diaphragme de champ (29) sert à la définition d’une bordure de champ d’un champ d'éclairage (31) dans un plan d’objet (17), dans laquelle le champ d’objet est disposé. Le champ d'éclairage (31) a une extension plus grande le long d’une dimension de champ (y) que respectivement une des images de facette de champ (12). Au moins quelques-unes des facettes de champ (7’) présentent des actionneurs de basculement (7a), qui assurent le guidage de la lumière d'éclairage (3) dans le champ d'éclairage (31) à travers différentes facettes de champ (7, 7’) et une seule et même facette de pupille (11). Le résultat est une optique d'éclairage de mesure au moyen de laquelle un éclairage complet d’un champ d'éclairage est possible, lequel présente une extension plus grande le long d’une dimension de champ que celle d’une image de facette de champ dans le plan d’objet.
Related patent documents
EP2020724013This application is not viewable in PATENTSCOPE because the national phase entry has not been published yet or the national entry is issued from a country that does not share data with WIPO or there is a formatting issue or an unavailability of the application.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten