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1. WO2020208146 - WAFERBOOT UND BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR WAFER

Veröffentlichungsnummer WO/2020/208146
Veröffentlichungsdatum 15.10.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/060170
Internationales Anmeldedatum 09.04.2020
IPC
H01L 21/673 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
673unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme
H01L 21/687 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683zum Aufnehmen oder Greifen
687mit mechanischen Mitteln, z.B. Halte-, Klemm- oder Pressvorrichtungen
H01J 37/32 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
JElektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32Gasgefüllte Entladungsröhren
C23C 16/46 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
46gekennzeichnet durch das Verfahren zum Erhitzen des Substrats
C23C 16/509 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
50unter Anwendung elektrischer Entladungen
505unter Anwendung von Hochfrequenzentladungen
509unter Verwendung interner Elektroden
C23C 16/52 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
52Steuern oder Regeln des Beschichtungsvorgangs
CPC
C23C 16/46
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
46characterised by the method used for heating the substrate
C23C 16/509
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
50using electric discharges
505using radio frequency discharges
509using internal electrodes
H01J 37/32091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32091the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
H01J 37/32568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
H01J 37/32577
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32577Electrical connecting means
H01J 37/32724
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
32724Temperature
Anmelder
  • PLASMETREX GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • KLICK, Michael
  • EICHHORN, Lutz
  • SUCHLAND, Dirk
Vertreter
  • KLANG, Alexander H.
Prioritätsdaten
10 2019 002 647.010.04.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) WAFERBOOT UND BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR WAFER
(EN) WAFER BOAT AND TREATMENT DEVICE FOR WAFERS
(FR) BAC DE PLAQUETTES ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE PLAQUETTES
Zusammenfassung
(DE)
Es werden ein Waferboot für die Plasmabehandlung von scheibenförmigen Wafern, insbesondere Halbleiterwafern, eine Plasma-Behandlungsvorrichtung zur Aufnahme eines solchen Waferbootes und ein Verfahren zur Plasmabehandlung von Wafern in einem solchen Waferboot beschrieben. Das Waferboot weist eine Vielzahl von parallel zueinander angeordneten Platten aus einem elektrisch leitenden Material auf, die an ihren zueinander weisenden Seiten jeweils wenigstens eine Aufnahme für einen Wafer aufweisen. Die Platten sind untereinander derart verbunden, dass eine erste Anzahl der Platten eine erste Gruppe von elektrisch leitend miteinander verbundenen Platten bildet, eine zweite Anzahl der Platten eine zweite Gruppe von elektrisch leitend miteinander verbundenen Platten bildet, wobei die Platten der ersten und zweiten Gruppe abwechselnd vorgesehen sind und zwischen Platten der ersten und zweiten Gruppe jeweils wenigstens eine Platte vorgesehen ist, die nicht elektrisch mit den Platten der ersten oder zweiten Gruppe verbunden ist. Bei dem Verfahren ist eine Vielzahl von Wafern in den Aufnahmen des Waferboot aufgenommen und es wird eine Hochfrequenz-Wechselspannung zwischen den Platten der ersten und zweiten Gruppe von Platten angelegt, um während einer Prozessphase zwischen Platten der ersten und zweiten Gruppe von Platten jeweils ein Reihe von wenigstens zwei Plasmen zu erzeugen, welche durch die wenigstens eine Platte getrennt sind, die nicht elektrisch mit den Platten der ersten oder zweiten Gruppe verbunden ist.
(EN)
The invention relates to a wafer boat for the plasma treatment of disk-shaped wafers, in particular semiconductor wafers, to a plasma treatment device for receiving a wafer boat of this type, and to a method for the plasma treatment of wafers in a wafer boat of this type. The wafer boat has a plurality of plates made of an electrically conductive material which are arranged in parallel with one another and each have at least one receptacle for a wafer on the sides of the plates that face one another. The plates are connected to one another in such a way that a first number of the plates forms a first group of electrically interconnected plates and a second number of the plates forms a second group of electrically interconnected plates, the plates of the first group and of the second group being provided in alternation and at least one plate not electrically connected to the plates of the first or second group being provided between plates of the first and second groups in each case. In the method, a plurality of wafers are held in the receptacles of the wafer boat and a high-frequency alternating voltage is applied between the plates of the first and second groups of plates in order to produce, during a process phase, a series of at least two plasmas between plates of the first and second groups of plates in each case, said at least two plasmas being separated by the at least one plate not electrically connected to the plates of the first or second group.
(FR)
La présente invention concerne un bac de plaquettes pour le traitement au plasma de plaquettes en forme de disques, en particulier des plaquettes de semi-conducteurs, un dispositif de traitement au plasma pour recevoir un tel bac de plaquettes et un procédé de traitement au plasma de plaquettes dans un tel bac de plaquettes. Le bac de plaquettes comprend une pluralité de plaques disposées parallèlement les unes aux autres et faites d’un matériau électroconducteur, qui comprennent chacune sur leurs faces tournées les unes vers les autres au moins un réceptacle pour une plaquette. Les plaques sont reliées entre elles de manière qu’une première quantité des plaques forme un premier groupe de plaques reliées entre elles de manière électroconductrice, une seconde quantité des plaques forme un second groupe de plaques reliées entre elles de manière électroconductrice, les plaques des premier et second groupes sont disposées en alternance et entre des plaques des premier et second groupes est disposée à chaque fois au moins une plaque qui n’est pas reliée électriquement aux plaques des premier et second groupes. Lors du procédé, une pluralité de plaquettes sont reçues dans les réceptacles du bac de plaquettes et une tension alternative à haute fréquence est appliquée entre les plaques des premier et second groupes afin de générer, pendant une phase de processus, une série d’au moins deux plasmas respectivement entre des plaques des premier et second groupes de plaques qui sont séparées par la ou les plaques qui ne sont pas reliées électriquement aux plaques des premier et second groupes.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten