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1. WO2020207801 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER IONENFALLE

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

Ansprüche

1. Verfahren zum Herstellen einer dreidimensionalen lonenfalle (10, 100, 200) mit den folgenden Schritten:

- Bereitstellen eines ersten Substrats (20, 120, 220, 304) und eines zweiten Substrats (22, 122, 222, 306),

- Bilden eines Isolationsbereichs (34, 36, 134, 250, 252, 254, 310, 312) auf einer ersten Oberfläche mindestens eines der Substrate (20, 22, 120, 122, 220, 222, 304, 306),

- Aufbringen und Strukturieren einer Metallisierung (38, 138, 260, 320) auf beiden Substraten (20, 22, 120, 122, 220, 222, 304, 306),

- Ausbilden von Bondflächen auf einander zugewandten Seiten der Substrate (20, 22, 120, 122, 220, 222, 304, 306),

- Ausbilden einer durchgängigen Ausnehmung (26, 28,126, 230, 232) in dem mindestens einen Substrat (20, 22, 120, 122, 220, 222, 304, 306), auf dem der Isolationsbereich (34, 36, 134, 250, 252, 254, 310, 312) gebildet ist,

- Entfernen des Isolationsbereichs (34, 36, 134, 250, 252, 310, 312) im Bereich der Ausnehmung des mindestens einen Substrats (20, 22, 120, 122, 220, 222, 304, 306), auf dem der Isolationsbereich (34, 36, 134, 250, 252, 310, 312) gebildet ist,

- Verbinden der beiden Substrate (20, 22, 120, 122, 220, 222, 304, 306) durch einen Bondprozess.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das zweite Substrat (22, 122, 222, 306) als isolierendes unteres Substrat gebildet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein drittes Substrat (224) gebildet wird und anschließend mit dem zweiten Substrat (22, 122, 222, 306) verbunden wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Isolationsbereich (34, 36, 134, 250, 252, 254, 310, 312) durch folgende Schritte gebildet wird:

- Trenchätzen von Pfeilern,

- Verfüllen mit einem isolierenden Verfüllmaterial,

- Öffnen eines Opferschichtätzzugangs und Opferschichtätzen von

Substratmaterial.

5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der Isolationsbereich (34, 36, 134, 250, 252, 254, 310, 312) mit einer Deckschicht verschlossen wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem in einem

abschließenden Schritt verdeckte Bondpads auf dem zweiten Substrat (22, 122, 222, 306) und ggf. dem dritten Substrat (224) freigelegt werden.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem angrenzend zur Ausnehmung eine weitere Ausnehmung (30, 130, 240, 242) ausgebildet wird.

8. lonenfalle mit

- mindestens zwei übereinander angeordneten Substraten (20, 22, 120, 122, 220, 222, 304, 306), von denen mindestens eines leitfähig ist,

- Elektroden, die auf den mindestens zwei Substraten (20, 22, 120, 122, 220, 222, 304, 306) vorgesehen sind,

- eine im ersten leitfähigen Substrat (20, 120, 220, 304) ausgebildete

durchgängige Substratausnehmung mit leitfähigen Seitenwänden, wobei die Elektroden die Substratausnehmung überragen und wobei zwischen Elektroden-Metallisierung und leitfähigem Substrat abschnittsweise ein Isolationsbereich wenigstens im Bereich der Leiterbahnen angeordnet ist.

9. lonenfalle nach Anspruch 8, bei der der Isolationsbereich eine Dicke von 5 bis 100 pm aufweist.

10. lonenfalle nach Anspruch 8 oder 9, bei der der Isolationsbereich (34, 36, 134,

250, 252, 254, 310, 312) von einer Brückenstruktur aus Pfeilern und einer Deckschicht über einen Hohlraum gebildet ist.