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1. WO2020207801 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER IONENFALLE

Veröffentlichungsnummer WO/2020/207801
Veröffentlichungsdatum 15.10.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/058341
Internationales Anmeldedatum 25.03.2020
IPC
H01J 49/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
JElektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
49Teilchenspektrometer oder -trennröhren
H01J 49/42 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
JElektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
49Teilchenspektrometer oder -trennröhren
26Massenspektrometer oder -trennröhren
34Dynamische Spektrometer
42Bahnstabilitätsspektrometer, z.B. Monopol-, Quadrupol-, Multipolspektrometer, Farvitrons
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • GENTER, Simon
  • SCHELLING, Christoph
  • PANTEL, Daniel
Prioritätsdaten
10 2019 205 183.911.04.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER IONENFALLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN ION TRAP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN PIÈGE À IONS
Zusammenfassung
(DE)
Verfahren zum Herstellen einer dreidimensionalen Ionenfalle (10) mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Substrats (20) und eines zweiten Substrats (22), Bilden eines Isolationsbereichs (34, 36) auf einer ersten Oberfläche mindestens eines der Substrate(20,22), Aufbringen und Strukturieren einer Metallisierung (38) auf beiden Substraten (20,22), Ausbilden von Bondflächen auf einander zugewandten Seiten der Substrate (20,22), Ausbilden einer durchgängigen Ausnehmung in dem mindestens einen Substrat (20, 22), auf dem der Isolationsbereich (34, 36) gebildet ist, Entfernen des Isolationsbereichs (34,36) im Bereich der Ausnehmung des mindestens einen Substrats(20, 22), auf dem der Isolationsbereich (34, 36) gebildet ist, Verbinden der beiden Substrate (20,22) durch einen Bondprozess.
(EN)
The invention relates to a method for producing a three-dimensional ion trap (10), comprising the following steps: providing a first substrate (20) and a second substrate (22); forming an insulation region (34, 36) on a first surface of at least one of the substrates (20, 22); applying and structuring a metallization (38) on both substrates (20, 22); forming bonding surfaces on sides of the substrates (20, 22) that face one another; forming a through-hole in the at least one substrate (20, 22) on which the insulation region (34, 36) is formed; removing the insulation region (34, 36) in the region of the hole in the at least one substrate (20, 22) on which the insulation region (34, 36) is formed; joining the two substrates (20, 22) by means of a bonding process.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un piège à ions tridimensionnel (10), comprenant les étapes suivantes : la préparation d’un premier substrat (20) et d’un second substrat (22) ; la formation d’une zone d’isolation (34, 36) sur une première surface d’au moins un des substrats (20, 22) ; l’application et la structuration d’une métallisation (38) sur les deux substrats (20, 22) ; la formation de surfaces de liaison sur des faces opposées des substrats (20, 22) ; la formation d’un creux débouchant dans le ou les substrats (20, 22) sur lequel ou lesquels est formée la zone d’isolation (34, 36) ; la suppression de la zone d’isolation (34, 36) dans la zone du creux du ou des substrats (20, 22) sur lequel ou lesquels la zone d’isolation (34, 36) est formée ; la liaison des deux substrats (20, 22) par un processus de liaison.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten