In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2020200786 - VERFAHREN ZUM BESTIMMEN EINER TEMPERATUR EINER LEISTUNGSELEKTRONIK, VORRICHTUNG, LEISTUNGSELEKTRONIK

Veröffentlichungsnummer WO/2020/200786
Veröffentlichungsdatum 08.10.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/057433
Internationales Anmeldedatum 18.03.2020
IPC
G01K 7/01 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
KMessen der Temperatur; Messen von Wärmemengen; Temperaturfühler, soweit nicht anderweitig vorgesehen
7Temperaturmessungen, die auf der Anwendung elektrischer oder magnetischer, unmittelbar auf Wärme ansprechender Elemente beruhen
01mit halbleitenden Bauteilen, die PN-Übergänge aufweisen
CPC
G01K 7/01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
01using semiconducting elements having PN junctions
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • RUTHARDT, Johannes
  • ROTH-STIELOW, Joerg
Prioritätsdaten
10 2019 204 423.929.03.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM BESTIMMEN EINER TEMPERATUR EINER LEISTUNGSELEKTRONIK, VORRICHTUNG, LEISTUNGSELEKTRONIK
(EN) METHOD FOR DETERMINING THE TEMPERATURE OF A POWER ELECTRONICS UNIT, DEVICE, AND POWER ELECTRONICS UNIT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉTERMINER UNE TEMPÉRATURE D'UNE ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE, DISPOSITIF, ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestimmen einer Temperatur einer Leistungselektronik (1), die zumindest eine Kommutierungsschaltung (2) und eine durch die Kommutierungsschaltung (2) bestromte/bestrombare Last (L) aufweist, wobei die Kommutierungsschaltung (2) einen Halbleiterschalter (4) und eine Diode (3) umfasst, wobei die Diode (3) und die Last (L) parallel zueinander mit dem Halbleiterschalter (4) verbunden sind, wobei im Anschluss an ein Leitendschalten des Halbleiterschalters (4) ein in der Diode (3) bewirkter elektrischer Rückstrom überwacht wird, und wobei in Abhängigkeit von dem Rückstrom eine Temperatur einer Sperrschicht der Diode (3) bestimmt wird. Es ist vorgesehen, dass ein Zeitintervall ermittelt wird, das mit einem ersten Zeitpunkt (to), an dem der Halbleiterschalter (4) leitend geschaltet wird, beginnt und das mit einem ermittelten zweiten Zeitpunkt (t2), an dem der in der Diode (3) bewirkte Rückstrom einen Extremalwert (Lmax) aufweist, endet, und wobei die Temperatur der Sperrschicht der Diode (3) in Abhängigkeit von dem Zeitintervall bestimmt wird.
(EN)
The invention relates to a method for determining the temperature of a power electronics unit (1) which has at least one commutator circuit (2) and a load (L) which is powered/can be powered by the commutator circuit (2). The commutator circuit (2) comprises a semiconductor switch (4) and a diode (3), wherein the diode (3) and the load (L) are connected in parallel to the semiconductor switch (4). An electric reverse current produced in the diode (3) is monitored after the semiconductor switch (4) has been switched so as to become conductive, and on the basis of the reverse current, the temperature of a barrier layer of the diode (3) is determined. A time interval is ascertained that begins at a first point in time (to), at which the semiconductor switch (4) is switched so as to become conductive, and ends at an ascertained second point in time (t2), at which the reverse current produced in the diode (3) has an extremal value (Lmax), and the temperature of the barrier layer of the diode (3) is determined on the basis of the time interval.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de déterminer une température d'une électronique de puissance (1) qui comprend au moins un circuit de commutation (2) et une charge (L) excitée/excitable par le circuit de commutation (2), le circuit de commutation (2) comportant un interrupteur à semi-conducteurs (4) et une diode (3), la diode (3) et la charge (L) étant connectées en parallèle à l'interrupteur à semi-conducteurs (4), après la commutation à l'état passant de l'interrupteur à semi-conducteurs (4), un courant électrique de retour provoqué dans la diode (3) étant surveillé, et une température d'une couche barrière de la diode (3) étant déterminée en fonction du courant de retour. Selon l'invention, on détermine un intervalle de temps qui commence à un premier moment (to) où l'interrupteur à semi-conducteurs (4) est mis en conduction et qui se termine à un deuxième moment (t2) déterminé où le courant de retour provoqué dans la diode (3) comprend une valeur extrême (Lmax), la température de la couche barrière de la diode (3) étant déterminée en fonction de l'intervalle de temps.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten