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1. WO2020200591 - BESCHALTUNG EINES HALBLEITERSCHALTERS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/200591
Veröffentlichungsdatum 08.10.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/055036
Internationales Anmeldedatum 26.02.2020
IPC
H03K 17/16 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
17Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
16Ausbildung von Schaltern zum Eliminieren von Störspannungen oder Störströmen
H03K 17/082 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
17Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
08Ausbildung von Schaltern zum Schutz vor Überstrom oder Überspannung
082mit Rückführung vom Ausgangskreis zum Steuerkreis
H03K 17/04 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
17Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
04Ausbildung von Schaltern zur Beschleunigung des Schaltvorgangs
H03K 17/042 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
17Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
04Ausbildung von Schaltern zur Beschleunigung des Schaltvorgangs
042mit Rückführung vom Ausgangskreis zum Steuerkreis
CPC
H03K 17/0406
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
04Modifications for accelerating switching
0406in composite switches
H03K 17/04206
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
04Modifications for accelerating switching
042by feedback from the output circuit to the control circuit
04206in field-effect transistor switches
H03K 17/0822
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
0822in field-effect transistor switches
H03K 17/0828
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
0828in composite switches
H03K 17/166
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
161in field-effect transistor switches
165by feedback from the output circuit to the control circuit
166Soft switching
H03K 17/168
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
168in composite switches
Anmelder
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE]
Erfinder
  • HIRSCH, Lucia
  • ROPPELT, Bernd
  • SCHWINN, Thomas
Prioritätsdaten
19166563.701.04.2019EP
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) BESCHALTUNG EINES HALBLEITERSCHALTERS
(EN) WIRING OF A SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) MONTAGE D’UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft eine Beschaltung (1) eines Halbleiterschalters (T1), umfassend ein Gate (G), einen Kollektor (C) oder ein Drain und einen Emitter (E) oder ein Source, wobei die Beschaltung (1) einen Kondensator (CI) zwischen Gate (G) und Kollektor (C) oder Drain umfasst, wobei in Reihe zum Kondensator (C1) eine Parallelschaltung aus einem Widerstand (R3) und einer Diode (V2) vorgesehen ist.
(EN)
The invention relates to a wiring (1) of a semiconductor switch (T1), comprising a gate (G), a collector (C) or a drain, and an emitter (E) or a source, wherein the wiring (1) comprises a capacitor (C1) between the gate (G) and the collector (C) or drain, and a parallel circuit of a resistor (R3) and a diode (V2) is provided in series with the capacitor (C1).
(FR)
L’invention concerne le montage (1) d’un commutateur à semi-conducteur (T1), comprenant une grille (G), un collecteur (C) ou un drain et un émetteur (E) ou une source, le montage (1) comprenant un condensateur (CI) placé entre la grille (G) et le collecteur (C) ou le drain, un circuit parallèle formé d’une résistance (R3) et d’une diode (V2) étant prévue en série avec le condensateur (C1).
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten