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1. WO2020193131 - KANTENEMITTIERENDE HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON KANTENEMITTIERENDEN HALBLEITERLASERDIODEN

Veröffentlichungsnummer WO/2020/193131
Veröffentlichungsdatum 01.10.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/056436
Internationales Anmeldedatum 11.03.2020
IPC
H01S 5/20 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
20Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
H01S 5/02 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
H01S 5/10 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
10Aufbau oder Form des optischen Resonators
H01S 5/026 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
026Monolithisch integrierte Komponenten, z.B. Wellenleiter, Monitor-Fotodetektoren oder Treiber
H01S 5/12 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
10Aufbau oder Form des optischen Resonators
12wobei der Resonator eine periodische Struktur aufweist, z.B. bei Lasern mit verteilter Rückkopplung
H01S 5/22 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
20Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
22mit einer Kammstruktur oder einer Streifenstruktur
CPC
H01S 2301/163
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
16Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
163Single longitudinal mode
H01S 2301/166
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
16Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
166Single transverse or lateral mode
H01S 5/0201
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
H01S 5/0207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
0206Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding;
0207Substrates having a special shape
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
H01S 5/0261
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
0261Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • GERHARD, Sven
  • STOJETZ, Bernhard
Vertreter
  • ENGELHARDT, Martin
Prioritätsdaten
10 2019 204 188.427.03.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) KANTENEMITTIERENDE HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON KANTENEMITTIERENDEN HALBLEITERLASERDIODEN
(EN) EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DIODES
(FR) DIODE LASER SEMI-CONDUCTRICE À ÉMISSION LATÉRALE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLURALITÉ DE DIODES LASER SEMI-CONDUCTRICES À ÉMISSION LATÉRALE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird eine kantenemittierende Halbleiterlaserdiode (1) angegeben, mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine Bodenfläche (2a), einen Stegwellenleiter (3) an einer der Bodenfläche (2a) abgewandten Deckfläche (2b) und eine Seitenfläche (2c), die quer zur Deckfläche (2b) angeordnet ist, umfasst, und - einer ersten Ausnehmung (4), die sich von der Bodenfläche (2a) hin zur Deckfläche (2b) erstreckt, wobei - im Bereich derersten Ausnehmung (4) ein erster Bereich der Halbleiterschichtenfolge (5) von der Seitenfläche (2c) her entfernt ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von kantenemittierenden Halbleiterlaserdioden (1) angegeben.
(EN)
The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser diode (1), having: - a semiconductor layer sequence (2), which comprises a bottom surface (2a), a ridge waveguide (3) on a top surface (2b) facing away from the bottom surface (2a), and a side surface (2c) which is arranged transverse to the top surface (2b), and - a first recess (4), which extends from the bottom surface (2a) to the top surface (2b), wherein - a first region of the semiconductor layer sequence (5) is removed from the side surface (2c) in the region of the first recess (4). The invention further relates to a method for producing a plurality of edge-emitting semiconductor laser diodes (1).
(FR)
La présente invention concerne une diode laser semi-conductrice à émission latérale (1) comprenant : - une série de couches semi-conductrices (2), qui comporte une surface de sol (2a), un guide d’ondes à moulure (3) sur une surface de plafond (2b) opposée à la surface de sol (2a), et une surface latérale (2c), qui est disposée transversalement à la surface de plafond (2b), et - un premier évidement (4) qui s’étend de la surface de sol (2a) jusqu’à la surface de plafond (2b), - dans la zone du premier évidement (4), une première zone de la série de couches semi-conductrices (5) étant retirée de la surface latérale (2c). La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d’une pluralité de diodes laser semi-conductrices à émission latérale (1).
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten