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1. WO2020188010 - DÜNNSCHICHTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DÜNNSCHICHTTRANSISTORS

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

Patentansprüche

1 . Dünnschichttransistor (20; 40), umfassend mindestens eine Halbleiterschicht (14; 44b), mindestens eine Isolatorschicht (13; 43), mindestens eine Source-Elektrode (26; 46), mindestens eine Drain-Elektrode (25; 45) und mindestens eine Gate-Elektrode (12), welche auf einem Substrat (1 1 ; 41 ) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Source-Elektrode (26; 46) und/oder die mindestens eine Drain- Elektrode (25; 45) und/oder die mindestens eine Gate-Elektrode (12) aus einem Schichtsystem besteht, welches eine erste Schicht (27; 42a; 47) aus Molybdänoxid oder Wolframoxid und eine darauf abgeschiedene zweite Schicht (28; 42b; 48) aus

Magnesium umfasst.

2. Dünnschichttransistor nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die

mindestens eine Halbleiterschicht ein organisches Material umfasst.

3. Dünnschichttransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die

mindestens eine Halbleiterschicht (14) Pentacen enthält.

4. Dünnschichttransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die

mindestens eine Halbleiterschicht (44b) Chinacridon enthält.

5. Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Isolatorschicht (13) Poly(4-vinylphenol) enthält.

6. Dünnschichttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Isolatorschicht (43) und/oder das Substrat (41 ) ein

anorganisch-organisches Hybridpolymer umfasst.

7. Dünnschichttransistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das

Hybridpolymer erhältlich ist durch Umsetzung eines Silans der Formel (1 )

R1aSiR4-a (1 )

wobei die Gruppe R1 oder jede der Gruppen R1 unabhängig voneinander

- über ein Sauerstoffatom an das Silicium gebunden ist.

- eine geradkettige oder verzweigte, kohlenwasserstoffhaltige Kette ist, welche durch mindestens zwei -C(0)0-Gruppen unterbrochen ist und wobei in den durch die Unterbrechungen gebildeten Kohlenwasserstoff-Einheiten maximal 8

Kohlenstoffatome aufeinander folgen,

- R eine hydrolytisch kondensierbare Gruppe der Formel R'COO ist, wobei R' Alkyl bedeutet, und

- a = 1 , 2, 3 oder 4 ist.

8. Dünnschichttransistor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das

Hybridpolymer einen Vernetzer umfasst.

9. Dünnschichttransistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das

Hybridpolymer eine Umsetzung eines Gemisches aus einem Vernetzer und einem Silan der Formel (2) nach dessen Hydrolyse/Kondensation ist:

R2bSiR4-b (2)

wobei die Gruppe R2 oder jede der Gruppen R2 unabhängig voneinander

- über ein Sauerstoffatom an das Silicium gebunden ist,

- eine geradkettige oder verzweigte, kohlenwasserstoff haltige Kette mit einem oder mehreren Elementen aufweist, die entweder

(a) jeweils nicht mehr als 8, aufeinander folgende Kohlenstoffatome besitzen, wobei jedes von mehreren Elementen der kohlenwasserstoff haltigen Kette durch eine spaltbare Gruppe vom nächsten Element getrennt ist, und/oder

(b) eine oder mehrere spaltbare Gruppen besitzen und alle bei Spaltung dieser Gruppe(n) verbleibenden kohlenwasserstoff haltigen Ketten wasserlöslich sind, wobei die spaltbaren Gruppen ausgewählt sind unter Ester-, Anhydrid-, Amid-, Carbonat-, Carbamat-, Ketal-, Acetal-, Disulfid-, Imin-, Hydrazon-, und Oxim- Gruppen,

- mindestens eine Thiol- oder primäre oder sekundäre Aminogruppe aufweist, die Gruppe R oder jede der Gruppen R unabhängig voneinander eine hydrolytisch kondensierbare Gruppe ist, und

b = 1 , 2, 3 oder 4 ist.

10. Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors (20; 40), umfassend mindestens eine Halbleiterschicht (14; 44b), mindestens eine Isolatorschicht (13; 43), mindestens eine Source-Elektrode (26; 46), mindestens eine Drain-Elektrode (25; 45) und mindestens eine Gate-Elektrode (1 2), welche auf einem Substrat ( 1 1 ; 41 ) angeordnet werden, dadurch gekennzeichnet, dass zum Ausbilden der mindestens einen Source- Elektrode (26; 46) und/oder der mindestens einen Drain-Elektrode (25; 45) und/oder der mindestens einen Gate-Elektrode (12) zunächst eine erste Schicht (27; 42a; 47) aus Molybdänoxid oder Wolframoxid und darauf eine zweite Schicht (28; 42b; 48) aus Magnesium abgeschieden wird.