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1. WO2020188010 - DÜNNSCHICHTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DÜNNSCHICHTTRANSISTORS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/188010
Veröffentlichungsdatum 24.09.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/057526
Internationales Anmeldedatum 18.03.2020
IPC
H01L 51/05 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
H01L 51/10 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
10Einzelheiten der Bauelemente
CPC
H01L 51/0545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0545Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed after the gate electrode
H01L 51/055
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
055characterised by the gate conductor
H01L 51/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
10Details of devices
102Electrodes
105Ohmic contacts, e.g. source and drain electrodes
Anmelder
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE]/[DE]
Erfinder
  • WOLTER, Herbert
  • NIQUE, Somchith
  • HOFFMANN, Michael
  • SCHREIBER, Stephanie
  • SCHÜTZE, Falk
Prioritätsdaten
10 2019 107 163.120.03.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) DÜNNSCHICHTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DÜNNSCHICHTTRANSISTORS
(EN) THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING A THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft einen Dünnschichttransistor (20; 40) und ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors, umfassend mindestens eine Halbleiterschicht (14; 44b), mindestens eine Isolatorschicht (13; 43), mindestens eine Source-Elektrode (26; 46), mindestens eine Drain-Elektrode (25; 45) und mindestens eine Gate-Elektrode (12), welche auf einem Substrat (1 1; 41 ) angeordnet sind, wobei die mindestens eine Source-Elektrode (26; 46) und/oder die mindestens eine Drain-Elektrode (25; 45) und/oder die mindestens eine Gate-Elektrode (12) aus einem Schichtsystem besteht, welches eine erste Schicht (27; 42a; 47) aus Molybdänoxid oder Wolframoxid und eine darauf abgeschiedene zweite Schicht (28; 42b; 48) aus Magnesium umfasst.
(EN)
The invention relates to a thin-film transistor (20; 40) and a method for producing a thin-film transistor, comprising at least one semiconductor layer (14; 44b), at least one insulator layer (13; 43), at least one source electrode (26; 46), at least one drain electrode (25; 45) and at least one gate electrode (12), which are arranged on a substrate (11; 41), wherein the at least one source electrode (26; 46) and/or the at least one drain electrode (25; 45) and/or the at least one gate electrode (12) consist(s) of a layer system comprising a first layer (27; 42a; 47) composed of molybdenum oxide or tungsten oxide and, deposited thereon, a second layer (28; 42b; 48) composed of magnesium.
(FR)
La présente invention concerne un transistor à couches minces (20 ; 40) et un procédé de fabrication d’un transistor à couches minces, comportant au moins une couche semi-conductrice (14 ; 44b), au moins une couche d’isolation (13 ; 43), au moins une électrode de source (26 ; 46), au moins une électrode de drain (25 ; 45) et au moins une électrode de grille (12) qui sont disposées sur un substrat (11 ; 41). La ou les électrodes de source (26 ; 46) et/ou la ou les électrodes de drain (25 ; 45) et/ou la ou les électrodes de grille (12) se composent d’un système de couches qui comporte une première couche (27 ; 42a ; 47) d’oxyde de molybdène ou d’oxyde de wolfram et une seconde couche (28 ; 42b ; 48) de magnésium déposée sur la première couche.
Auch veröffentlicht als
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