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1. WO2020182885 - VERFAHREN ZUR BEWERTUNG DER THERMISCHEN BELASTUNG EINES UMRICHTERS

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]
Verfahren zur Bewertung der thermischen Belastung eines Umrichters

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bewertung des Schädigungszustandes einer betrieblich belasteten Halbleiterbaugruppe, insbesondere eines Antriebsumrichters , mit zumindest einem auf oder in einem Trägeraufbau angeordneten Halbleiterbauelement, wobei eine innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur in Form einer Zeitreihe als hochzyklischer Last-Zeit-Verlauf ermittelt wird, dem mithilfe an sich bekannter Auswertealgorithmen ein erster Schädigungskennwert LCPC zugeordnet wird, und eine im Trägeraufbau auftretende Temperatur in Form einer Zeitreihe als niederzyklischer Last-Zeit-Verlauf ermittelt wird, dem mithilfe der an sich bekannten Auswertealgorithmen ein zweiter Schädigungskennwert LCTC zugeordnet wird, gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.

Halbleiterbauelemente beinhalten in klassischer Bauweise einen oder mehrere unterschiedlich dotierte Bereiche zur Erzielung ihrer Funktion, etwa als Dioden oder Transistoren. Während ihres Betriebes entsteht Verlustleistung, die zu einer Erwärmung des Halbleiterbauelements führt, die in der Regel mithilfe der Sperrschichttemperatur des betreffenden Halbleiterbauelements quantifiziert wird. Im Folgenden werden unter Halbleiterbauelemente aber nicht nur einzelne Bauteile wie Dioden oder Transistoren verstanden, sondern auch Kombinationen einer Mehrzahl elektrisch verbundener Halbleiterbauelemente in Form integrierter Schaltungen. Solche Halbleiterbauelemente werden auch als „Chips" (engl. „die") bezeichnet. Diese Chips sind auf oder in einem Trägeraufbau gehalten, der die Stromführung zum Halbleiterbauelement bewerkstelligt und vom Halbleiterbauelement abgegebene Wärme aufnimmt und abführt. Die Anordnung aus Halbleiterbauelement und Trägeraufbau wird im Folgenden als Halbleiterbaugruppe bezeichnet. Ein Beispiel für einen solchen Trägeraufbau sind Leiterplatten, auf denen die Halbleiterbauelemente zumeist in Form gehäuster Chips befestigt und elektrisch kontaktiert sind. Ein weiteres Beispiel für einen möglichen Trägeraufbau sind DCB (direct copper bonded) -Substrate, auf denen die Halbleiterbauelemente zumeist in Form ungehäuster Chips („bare dies") befestigt und mit Bond-Drähten verbunden sind. Des Weiteren sind insbesondere zur Herstellung von Leistungsmodulen Einbetttechnologien bekannt, bei denen Halbleiterbauelemente wie beispielsweise MOSFETs oder IGBTs in den Trägeraufbau eingebettet werden (z.B. „p2 -Packs"). Der Trägeraufbau weist in der Regel eine Bodenplatte auf, die mit einem Kühlkörper versehen ist, um die im Trägeraufbau vorliegende Wärme abzuführen.

Während des Betriebes von Halbleiterbauelementen ergeben sich in vielen Anwendungen Probleme aufgrund der Wärmeentwicklung durch Leit- und Schaltverluste, die das Halbleiterbauelement und den Trägeraufbau thermisch belasten. Diese thermische Belastung kann die Lebensdauer der Halbleiterbaugruppe reduzieren und bis zum Ausfall der betreffenden Halbleiterbaugruppe führen. Ein Beispiel sind etwa Antriebsumrichter für Motoren oder Generatoren. Die thermischen Belastungen eines Halbleiterbauelements sind dabei einerseits von den Betriebsbedingungen abhängig, unter denen das betreffende Halbleiterbauelement betrieben wird, und andererseits von der Auslegung des Halbleiterbauelements selbst .

Da diese thermischen Belastungen die Lebensdauer der Halbleiterbaugruppe reduzieren können, stellt sich daher die Frage der Ausfallswahrscheinlichkeit und somit der Betriebssicherheit der Halbleiterbaugruppe. Dabei wäre es wünschenswert über Methoden zur Bewertung des thermischen Schädigungszustandes einer betrieblich belasteten Halbleiterbaugruppe zu verfügen, die einen Rückschluss auf die verbrauchte Lebensdauer der Halbleiterbaugruppe erlauben. Mithilfe solcher Methoden könnten etwa Wartungsintervalle optimiert werden. Eine andere Nutzungsmöglichkeit solcher Methoden wäre aber auch die Detektion unerwünschter oder seitens des Herstellers unerwarteter Belastungszustände, etwa infolge einer ungeeigneten Belastung seitens des Anwenders, oder auch infolge einer falschen Auslegung der Halbleiterbauelemente. Idealerweise erhält der Anwender bereits während des Betriebes Rückmeldung über den thermischen Schädigungszustand, um bereits frühzeitig Vorkehrungen für einen längeren, ausfallssicheren Betrieb der Halbleiterbaugruppe treffen zu können, etwa mithilfe einer Änderung der Betriebsparameter oder eines Austausches der betreffenden Halbleiterbaugruppe. Der Schädigungszustand stellt dabei gewissermaßen das Integral über vergangene und aktuelle thermische Belastungen der Halbleiterbaugruppe dar.

Die Anforderungen an die Betriebssicherheit von Halbleiterbaugruppen sind dabei mitunter sehr hoch. In der Luftfahrt beispielsweise wird in der Regel eine Ausfallssicherheit über 24 Jahre bei 100.000 Flugstunden vorgegeben. In der Automobilindustrie werden in der Regel 15 Jahre bei 10.000 Betriebsstunden, was einer Fahrleistung von etwa 300.000 km entspricht, vorgegeben. Bei industriellen Antrieben liegen die Vorgaben an die ausfallssichere Betriebszeit in der Regel bei 5-20 Jahren oder 60.000 Betriebsstunden unter Volllast. Bekannte Methoden zur Bewertung der verbleibenden Lebensdauer einer Halbleiterbaugruppe beruhen zumeist auf Zähler, die etwa die Anzahl der Ein- und Ausschaltvorgänge oder die Betriebszeit detektieren und mit vorgegebenen Werten vergleichen, um eine restliche Lebensdauer abzuschätzen. Die Anzahl der Ein- und Ausschaltvorgänge oder die Betriebszeit lassen allerdings nur begrenzten Rückschluss auf die tatsächliche thermische Belastung einer Halbleiterbaugruppe zu und liefern daher nur unzuverlässige Resultate.

Daher wurde seitens der Hersteller von Halbleiterbauelementen versucht, die Lebensdauer von Halbleiterbauelementen anhand von Belastungstests zu ermitteln, und dem Anwender die aus den Belastungstests gewonnenen Informationen bezüglich der zu erwartenden Lebensdauer eines Halbleiterbauelements bereit zu stellen. Beispielsweise können die in solchen Tests erreichten Sperrschichttemperaturen mit der zu erwartenden Lebensdauer des betreffenden Halbleiterbauelements in Zusammenhang gebracht werden. Je höher die Sperrschichttemperatur im Zuge des Betriebes ist, desto kürzer wird auch die Lebensdauer sein. Diese Vorgangsweise setzt aber voraus, dass die Belastungen im Zuge der Belastungstests seitens des Herstellers mit den tatsächlichen betrieblichen Belastungen durch den Anwender vergleichbar sind, was aber zumeist nicht der Fall ist. Tatsächlich erfolgt der Betrieb von Halbleiterbaugruppen mitunter unter gänzlich anderen Betriebsbedingungen als vom Hersteller erwartet.

Zudem stellt sich das Problem, dass nicht nur das Halbleiterbauelement ausfallsgefährdet ist, sondern auch der Trägeraufbau der Halbleiterbaugruppe. Da Halbleiterbaugruppen aus Materialien mit verschiedenen thermischen Eigenschaften, insbesondere verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, hergestellt werden, kann es aufgrund der zeitlich veränderlichen Belastung zu mechanischen Spannungszuständen kommen. Eine zyklische thermische Belastung kann folglich mechanische Beschädigungen, wie etwa Schichtablösung, Ablösung von Anschlüssen oder Ermüdungsbrüche bewirken. Auch diese Belastungen müssen daher in einer Bewertung des thermischen Belastungszustandes einer betrieblich belasteten Halbleiterbaugruppe berücksichtigt werden, um eine zuverlässige Abschätzung der verbleibenden Lebensdauer zu erhalten.

Es ist daher das Ziel der Erfindung Verfahren zur Bewertung des Schädigungszustandes einer betrieblich belasteten Halbleiterbaugruppe bereitzustellen, die es nicht nur ermöglichen den Schädigungszustand für die gesamte Halbleiterbaugruppe abzuschätzen, sondern auch hinreichend genau sind, um auch unerwartete oder unerwünschte Belastungszustände und somit eine vorschnelle Minderung der verbleibenden Lebensdauer der Halbleiterbaugruppe zu detektieren. Diese Verfahren sollen dabei bereits während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe laufende Belastungsevaluierungen ermöglichen. Diese Ziele werden durch die Merkmale von Anspruch 1 erreicht.

Anspruch 1 betrifft ein Verfahren zur Bewertung des Schädigungszustandes einer betrieblich belasteten Halbleiterbaugruppe, insbesondere eines Antriebsumrichters, mit zumindest einem auf oder in einem Trägeraufbau angeordneten Halbleiterbauelement, wobei eine innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj in Form einer Zeitreihe als hochzyklischer Last-Zeit-Verlauf ermittelt wird, dem mithilfe an sich bekannter Auswertealgorithmen ein erster Schädigungskennwert LCPC zugeordnet wird, und eine im Trägeraufbau auftretende Temperatur Tc in Form einer Zeitreihe als niederzyklischer Last-Zeit-Verlauf ermittelt wird, dem mithilfe der an sich bekannten Auswertealgorithmen ein zweiter Schädigungskennwert LCTC zugeordnet wird. Erfindungsgemäß wird hierbei vorgeschlagen, dass der erste Schädigungskennwert LCPC zur Identifizierung eines hochzyklischen Ist-Betriebszustandsbereiches der Halbleiterbaugruppe durch Vergleich des ersten Schädigungskennwertes LCPC mit einem vorgegebenen ersten Referenzwert LCPC, ref einem unkritischen, einem kritischen . und einem überkritischen Betriebszustandsbereich für hochzyklische Belastungen der Halbleiterbaugruppe zugeordnet wird, und der zweite Schädigungskennwert LCTC zur Identifizierung eines niederzyklischen Ist-Betriebszustandsbereiches der Halbleiterbaugruppe durch Vergleich des zweiten Schädigungskennwertes LCTC mit einem vorgegebenen zweiten Referenzwert LCTC, ref einem unkritischen, einem kritischen und einem überkritischen Betriebszustandsbereich für niederzyklische Belastungen der Halbleiterbaugruppe zugeordnet wird, und in weiterer Folge ein erstes Anzeigesignal generiert wird, falls sowohl der hochzyklische als auch der niederzyklische IST-Betriebszustandsbereich einem unkritischen Betriebszustandsbereich entsprechen, ein zweites Anzeigesignal generiert wird, falls der hochzyklische oder der niederzyklische IST-Betriebszustandsbereich einem kritischen Betriebszustandsbereich und beide keinem überkritischen Betriebszustandsbereich entsprechen, und ein drittes Anzeigesignal generiert wird, falls der hochzyklische oder der niederzyklische IST-Betriebszustandsbereich einem überkritischen Betriebszustandsbereich entspricht, wobei

-) es sich beim zeitlichen Verlauf des ersten Referenzwertes ( LCPC, ref ) sowie des zweiten Referenzwertes ( LCTC, ref ) während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe jeweils um eine vorgegebene, monoton ansteigende Funktion handelt, die bei Erreichen der maximalen Lebensdauer den Wert 1 annimmt, und

-) die Ermittlung des ersten Schädigungskennwertes ( LCPC ) während des Betriebes des Umrichters oftmals in vorgegebenen Zeitabständen anhand von aktuell ermittelten hochzyklischen Last-Zeitverläufen wiederholt und mit dem ersten Referenzwert ( LCPC, ref ) verglichen wird, und

-) die Ermittlung des zweiten Schädigungskennwertes (LCTC) während des Betriebes des Umrichters oftmals in vorgegebenen Zeitabständen anhand von aktuell ermittelten niederzyklischen Last-Zeitverläufen wiederholt und mit dem zweiten Referenzwert ( LCTC, ref) verglichen wird, um jeweils ein Anzeigesignal zum aktuellen Belastungszustand zu generieren.

Erfindungsgemäß wird somit zur Bewertung· des

Schädigungszustandes der Halbleiterbaügruppe aufgrund thermischer Belastungen, der im Folgenden auch als thermischer Schädigungszustand bezeichnet wird, zwischen akkumulierten Schäden aufgrund hochzyklischer und niederzyklischer Belastungen unterschieden. Dabei handelt es sich jeweils um zeitveränderliche thermische Belastungen, deren Schwingzyklen - im Folgenden auch als Belastungszyklen bezeichnet - unterschiedlich rasch verlaufen, wobei die Schwingzyklen der hochzyklischen Belastungen rascher verlaufen als jene der niederzyklischen Belastungen. Das Konzept der Charakterisierung von Schwingzyklen und der Ableitung von Schädigungskennwerten wurde an sich in der Werkstoffkunde entwickelt, wo Materialien einer schwingenden Belastung ausgesetzt werden und deren Ermüdung bewertet wird. Dabei werden Materialien beispielsweise in Dauerschwingversuchen auf Zug und/oder Druck zyklisch belastet, wobei auch von

Schwingspielen gesprochen wird. Zyklische Belastungen mit hohen Lastwechseln werden dabei als hochzyklische Ermüdung bezeichnet, und zyklische Belastungen mit niedrigen Lastwechseln als niederzyklische Ermüdung. Dabei wurde beobachtet, dass statisch-mechanische Kennwerte eines Materials wie Streckgrenze oder Zugfestigkeit für die Festigkeitsberechnung kaum oder nur bedingt tauglich sind. Stattdessen müssen zyklische Festigkeitsdaten berücksichtigt werden, die in so genannten Wöhler-Versuchen ermittelt werden und in Wöhlerdiagrammen als Wöhlerkurven graphisch dargestellt werden. Des Weiteren wurden in der Werkstoffkunde Modelle entwickelt, aus denen Lebensdauergleichungen abgeleitet werden, die anhand zyklischer Festigkeitsdaten eine Berechnung der Lebensdauer des Bauteiles zumeist in Form der Anzahl der Schwingzyklen erlauben. Diese Modelle orientieren sich zumeist an Wöhlerkurven und beschreiben sie mithilfe eines Potenzansatzes. Das in der Werkstoffkunde bekannte Coffin-Manson-Modell beispielsweise stellt einen Zusammenhang zwischen der plastischen Dehnung sowie der Lebensdauer her, wobei die plastische Dehnung mit einem Exponenten und einem Koeffizienten versehen wird, die beide experimentell oder durch Simulation zu bestimmen sind.

Erfindungsgemäß werden diese Konzepte der Werkstoffkunde auf die Bewertung der thermischen Schäden von Halbleiterbaugruppen übertragen, wobei freilich keine Schwingspiele mechanischer Schwingungen der Halbleiterbaugruppe betrachtet werden, sondern Schwingspiele der Temperatur. Erfindungsgemäß werden des Weiteren die Schwingspiele einer innerhalb des Halbleiterbauelements auftretenden Temperatur und einer im Trägeraufbau auftretenden Temperatur herangezogen. Bei der innerhalb des Halbleiterbauelements auftretenden Temperatur handelt es sich in der Regel um eine Sperrschichttemperatur, und bei der im Trägeraufbau auftretenden Temperatur beispielsweise um eine an der Bodenplatte des Trägeraufbaus gemessene Temperatur.

Zunächst wird auf die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj eingegangen, bei der es sich in der Regel um eine Sperrschichttemperatur handeln wird und die im Folgenden auch als „innere" Temperatur Tj bezeichnet wird. Diese innere Temperatur Tj beruht in erster Linie auf der Verlustleistung infolge eines elektrischen Stromdurchflusses durch das Halbleiterelement. Da die Belastungen des Halbleiterbauelements in der Regel zeitlich mit der Stromperiode und bei Antriebsumrichter auch mit der Motordrehzahl variieren, zeigt beispielsweise auch die Sperrschichttemperatur und somit die Temperaturbelastung des gesamten Halbleiterbauelements eine Zeitabhängigkeit. Während der elektrischen Belastung steigt die innere Temperatur Tj an und erreicht bei Beendigung der elektrischen Belastung eine Maximaltemperatur Tj , max . Die innere Temperatur Tj wird in weiterer Folge wieder abnehmen und erreicht vor Beginn der neuerlichen Belastung einen Minimalwert Tj , min . Die Differenz ist der Temperaturhub DTj . Des Weiteren kann auch ein Mittelwert Tj , m gebildet werden. Die Anzahl der Belastungszyklen wird im Folgenden mit Nj bezeichnet, wobei die maximale Anzahl der Belastungszyklen bis zum Ausfall des Halbleiterbauelements als Nj , f bezeichnet wird. Der Temperaturhub DTj und der Mittelwert Tj , m können während des Betriebes des Halbleiterbauelements ermittelt werden. Aus diesen Werten kann die maximale Anzahl Nj,f abgeleitet werden, wofür unterschiedliche und an sich bekannte mathematische Modelle zur Verfügung stehen, wie noch näher ausgeführt werden wird. Aus dieser maximalen Anzahl Nj , f kann ein erster Schädigungskennwert LCPC abgeleitet werden, der die verbrauchte Lebensdauer des Halbleiterbauelements kennzeichnet, wie ebenfalls noch näher erläutert werden wird. Ein Ausfall des Halbleiterbauelements kann beispielsweise durch Beschädigung des Halbleiters selbst, aber auch durch das Ablösen der Bond-Drähte verursacht werden, oder durch Beschädigung der Lötstellen des Chips am Trägeraufbau.

In weiterer Folge wird auf die außerhalb des Halbleiterbauelements im Trägeraufbau auftretende Temperatur Tc eingegangen, die im Folgenden als „äußere" Temperatur Tc bezeichnet wird. Halbleiterbauelemente werden in der Regel so am oder im Trägeraufbau befestigt, dass die Wärmeübertragung vom Halbleiterbauelement auf den Trägeraufbau optimiert wird, um Wärme effizient abzuführen und beispielsweise einem Kühlkörper zuzuführen. Dadurch kommt es auch zu einer Erwärmung des Trägeraufbaus , die erfindungsgemäß anhand einer im Trägeraufbau auftretenden, äußeren Temperatur Tc charakterisiert wird, beispielsweise anhand einer an der Bodenplatte des Trägeraufbaus gemessenen Temperatur Tc. Auch diese äußere Temperatur Tc des Trägeraufbaus weist einen zyklischen Verlauf auf, der jedoch aufgrund höherer thermischer Kapazitäten des Aufbaus durch langsamere Veränderungen im Vergleich zur inneren Temperatur Tj des Halbleiterbauelements gekennzeichnet ist. Dennoch können auch für die äußere Temperatur Tc ein Maximalwert Tc,max, ein Minimalwert Tc,min, ein Temperaturhub DTC und eine mittlere Temperatur Tc,m ermittelt werden. Die Anzahl der Belastungszyklen für den Trägeraufbau wird im Folgenden mit Nc bezeichnet, wobei die maximale Anzahl der Belastungszyklen bis zum Ausfall des Trägeraufbaus als Nc,f bezeichnet wird. Der Temperaturhub DTC und der Mittelwert Tc,m können während des Betriebes des Halbleiterbauelements ermittelt werden. Aus diesen Werten kann die maximale Anzahl der Belastungszyklen Nc,f abgeleitet werden, wofür wie bereits erwähnt unterschiedliche und an sich bekannte mathematische Modelle zur Verfügung stehen, wie noch näher ausgeführt werden wird. Aus dieser maximalen Anzahl Nc,f kann ein zweiter Schädigungskennwert LCTC abgeleitet werden, der die verbrauchte Lebensdauer des Trägeraufbaus kennzeichnet, wie ebenfalls noch näher erläutert werden wird. Ein Ausfall des Trägeraufbaus kann beispielsweise durch Beschädigung der Lötstellen innerhalb des Trägeraufbaus oder durch Beschädigung der thermischen Schnittstelle zwischen dem Trägeraufbau und dem Kühlkörper verursacht werden.

Erfindungsgemäß wird in weiterer Folge der erste Schädigungskennwert LCPC zur Identifizierung eines hochzyklischen Ist-Betriebszustandsbereiches der Halbleiterbaugruppe einem unkritischen, einem kritischen und einem überkritischen Betriebszustandsbereich für hochzyklische Belastungen der Halbleiterbaugruppe zugeordnet, und der zweite Schädigungskennwert LCTC zur Identifizierung eines niederzyklischen Ist-Betriebszustandsbereiches der Halbleiterbaugruppe einem unkritischen, einem kritischen und einem überkritischen Betriebszustandsbereich für niederzyklische Belastungen der Halbleiterbaugruppe.

In weiterer Folge bedarf es eines Kriteriums, anhand dessen die Bewertung und Anzeige eines Schädigungs zustandes der Halbleiterbaugruppe vorgenommen wird. Erfindungsgemäß wird hierfür vorgeschlagen, dass ein erstes Anzeigesignal generiert wird, falls sowohl der hochzyklische als auch der niederzyklische IST-Betriebszustandsbereich einem unkritischen Betriebszustandsbereich entsprechen, ein zweites Anzeigesignal generiert wird, falls der hochzyklische oder der niederzyklische IST-Betriebszustandsbereich einem kritischen Betriebszustandsbereich und beide keinem überkritischen Betriebszustandsbereich entsprechen, und ein drittes Anzeigesignal generiert wird, falls der hochzyklische oder der niederzyklische IST-Betriebszustandsbereich einem überkritischen Betriebszustandsbereich entspricht. Dieses Kriterium sieht somit vor, dass immer der höhere des hochzyklischen und des niederzyklischen Ist-Betriebszustandsbereiches die Bewertung des Belastungszustandes sowie das Anzeigesignal bestimmt. Bei dem ersten Anzeigesignal kann es sich etwa um ein grünes Leuchtsignal handeln, bei dem zweiten Anzeigesignal um ein gelbes Leuchtsignal und bei dem dritten Anzeigesignal um ein rotes Leuchtsignal.

Vorzugsweise erfolgt die Zuordnung zu einem unkritischen, einem kritischen und einem überkritischen Betriebszustandsbereich durch Vergleich des ersten Schädigungskennwertes LCPC mit einem vorgegebenen ersten Referenzwert LCPC,ref und des zweiten Schädigungskennwertes LCTC mit einem vorgegebenen zweiten Referenzwert LCTC, ref wobei ein unkritischer Betriebszustandsbereich jeweils dann vorliegt, falls der jeweilige Schädigungskennwert LCPC , LCTC unterhalb eines Abweichungsbereiches des ihm jeweils zugeordneten Referenzwertes LCPC, ref, LCTC, ref liegt, ein kritischer Betriebszustandsbereich jeweils dann vorliegt, falls der Schädigungskennwert LCPC , LCTC innerhalb des Abweichungsbereiches des ihm jeweils zugeordneten Referenzwertes LCPC, ref, LCTC, ref egt, und ein überkritischer Betriebszustandsbereich jeweils dann vorliegt, falls der Schädigungskennwert LCPC , LCTC oberhalb des Abweichungsbereiches des ihm jeweils zugeordneten Referenzwertes LCPC, ref, LCTC, ref liegt. Der Abweichungsbereich der Referenzwerte LCPC, ref, LCTC, ref kann beispielsweise im Wertebereich von 80-100% der Referenzwerte LCPC, ref, LCTC, ref liegen. Ein unkritischer Betriebszustandsbereich würde in diesem Fall dann vorliegen, falls beispielsweise der erste Schädigungskennwert LCPC weniger als 80% des ersten Referenzwertes LCPC, ref beträgt. Ein kritischer Betriebszustandsbereich würde dann vorliegen, falls der erste Schädigungskennwert LCPC innerhalb des Abweichungsbereiches von 80-100% des ersten Referenzwertes LCPC, ref liegt. Ein überkritischer Betriebszustandsbereich würde dann vorliegen, falls der erste Schädigungskennwert LCPC oberhalb des ersten Referenzwertes LCPC, ref liegt. Letzteres stellt eine unerwartet starke Belastung der Halbleiterbaugruppe dar, über die der Anwender Bescheid wissen sollte, um in geeigneter Weise intervenieren zu können. Freilich können die unkritischen, kritischen und überkritischen Betriebszustandsbereiche auch in Form anderer Prozentabweichungen für den Abweichungsbereich gewählt werden, zudem könnten für hochzyklische und niederzyklische Belastungen jeweils unterschiedliche Prozentabweichungen zur Festlegung der unkritischen, kritischen und überkritischen Betriebszustandsbereiche gewählt werden.

In weiterer Folge werden bevorzugte Methoden zur Ermittlung der Schädigungskennwerte LCPC , LCTC und der Referenzwerte LCPC, ref, LCTC, reforgeschlagen .

Zur Ermittlung des ersten Schädigungskennwertes LCPC wird vorzugsweise vorgeschlagen, dass die Auswertealgorithmen eine anhand des hochzyklischen Last-Zeitverlaufes durchgeführte Rainflow-Zählung umfassen, mittels der für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj die Häufigkeit eines Temperaturhubes DTj einer bestimmten Größenordnung für unterschiedliche Größenordnungen gezählt wird, sowie eine rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für einen Temperaturhub DTj einer jeden Größenordnung, wobei es sich beim ersten Schädigungskennwert LCPC um die Summe der Quotienten aus der Häufigkeit eines Temperaturhubes DTj einer bestimmten Größenordnung für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj zur maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für einen Temperaturhub DTj derselben Größenordnung handelt. Mittels Rainflow-Zählung werden einzelne Schwingspiele (geschlossene Hysterseschleifen) eines Last-Zeitverlaufes separiert und deren Häufigkeit gezählt, wofür geeignete Software zur Verfügung steht. Die vorgeschlagene Methode der Rainflow-Zählung hat sich als sehr robust gegenüber der Abtastrate des zu analysierenden Last-Zeitverlaufes erwiesen und liefert im Rahmen der vorliegenden Erfindung eine Matrix, bei der für unterschiedliche Größenordnungen des Temperaturhubs DTj die entsprechende Häufigkeit ihres Auftretens angegeben wird. Die Größenordnungen können auch als Klassen bezeichnet werden, denen ein ermittelter Temperaturhub DTj zugeordnet wird. Bei der Summenbildung der erwähnten Quotienten handelt es sich um eine Abwandlung der als „Miner' s Rule" bekannten Vorgangsweise. Dabei wird davon ausgegangen, dass jeder Belastungszyklus einen kumulativen Schaden verursacht, wobei ein kleinerer Temperaturhub DTj einen vergleichsweise kleineren Schaden verursacht als ein größerer Temperaturhub DTj . Wird die Häufigkeit eines bestimmten Temperaturhubes DTj in Relation zur errechneten maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für den betreffenden Temperaturhub DTj gesetzt, so ergibt sich ein Kennwert für den Verbrauch an Lebenszeit. Die Summe dieses Verbrauches für jede Größenordnung des Temperaturhubes DTj ergibt den ersten Schädigungskennwert LCPC, der während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe stetig zunimmt und bei Erreichen der maximalen Lebensdauer den Wert 1 annimmt.

Für die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für den Temperaturhub DTj einer bestimmten Größenordnung wird vorgeschlagen, dass aus dem Temperaturhub DTj einer bestimmten Größenordnung für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj zunächst ein Mittelwert Tj,m für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj für die betreffende Größenordnung ermittelt wird, und die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für den Temperaturhub DTj einer jeden Größenordnung gemäß der folgenden Formel errechnet wird:


wobei es sich bei A, c und a um empirisch oder mittels Simulation für die betreffende Halbleiterbaugruppe bestimmte Parameter handelt und kB=1.38.10-23 J/K ist.

Bei der vorgeschlagenen Formel handelt es sich um das bereits erwähnte Coffin-Manson-Modell hinsichtlich des Terms
, der aber gemäß des vorgeschlagenen Modells um eine Exponentialfunktion, die eine Aktivierungsenergie c und die Boltzmann-Konstante kB enthält, erweitert wurde. Anhand der angegebenen Formel lässt sich für gegebene Werte für den Temperaturhub DT und den Mittelwert Tm für jede Größenordnung des Temperaturhubes DT eine maximale Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für hochzyklische Belastungen errechnen, bis es zum Versagen der Halbleiterbaugruppe kommt. Die Ermittlung des Mittelwertes Tm erfolgt bei bekanntem Temperaturhub DT anhand der Formel

Tm= Tmin + ( Tmax— Tmin) / 2

Zur Ermittlung des ersten Referenzwertes LCPC,ref für den ersten Schädigungskennwert LCPC kann in analoger Weise vorgegangen werden, wobei jedoch ein erwarteter hochzyklischer Referenz-Last-Zeitverlauf herangezogen wird, und anhand des erwarteten hochzyklischen Referenz-Last-Zeitverlaufes eine Rainflow-Zählung durchgeführt wird, mittels der für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj,ref die Häufigkeit eines Temperaturhubes DTj,ref einer bestimmten Größenordnung für unterschiedliche Größenordnungen gezählt wird, sowie eine rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj, f,ref für einen Temperaturhub DTj,ref einer jeden Größenordnung, wobei es sich beim ersten Referenzwert LCPC,ref um die Summe der Quotienten aus der Häufigkeit eines Temperaturhubes DTj,ref einer bestimmten Größenordnung für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj,ref zur maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj, f,ref für einen Temperaturhub DTj,ref derselben Größenordnung handelt. Zur Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj, f,ref für den Temperaturhub einer jeden Größenordnung kann wiederum zunächst aus dem Temperaturhub DTj,ref einer bestimmten Größenordnung für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj,ref ein Mittelwert Tj,m,ref für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj , ref für die betreffende Größenordnung ermittelt werden, und die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj, f,ref für den Temperaturhub DTj,ref einer jeden Größenordnung gemäß der folgenden Formel errechnet werden :

Nj, f,ref A. DTj,refa . exp (c/ ( kB . Tj,m,ref ) )

wobei es sich bei A, c und a um empirisch oder mittels Simulation für die betreffende Halbleiterbaugruppe bestimmte Parameter handelt und kB=1.38.10-23 J/K ist.

Diese Ermittlung des ersten Referenzwertes LCPC,ref wird für einen bestimmten Anwendungsfall nur einmal vorgenommen werden, und zwar in der Regel seitens des Herstellers des Antriebsumrichters. Bei Berücksichtigung des zeitlichen Verlaufes des Referenzwertes LCPC,ref während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe ergibt sich eine monoton ansteigende Funktion, die bei Erreichen der maximalen Lebensdauer den Wert 1 annimmt, und die im Speicher eines Mikroprozessors des Umrichters gespeichert ist . Die Ermittlung des ersten Schädigungskennwertes LCPC wird hingegen während des Betriebes des Umrichters oftmals in vorgegebenen Zeitabständen anhand von aktuell ermittelten hochzyklischen Last-Zeitverläufen wiederholt und mit dem ersten Referenzwert LCPC,ref verglichen, um ein Anzeigesignal zum aktuellen Belastungszustand zu generieren. Bei Berücksichtigung des zeitlichen Verlaufes des ersten Schädigungskennwertes LCPC während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe ergibt sich ebenfalls eine monoton ansteigende Funktion, die bei Erreichen der maximalen Lebensdauer den Wert 1 annimmt, die aber steiler oder flacher als jene des ersten Referenzwertes LCPC,ref sein kann. Falls sie steiler ist, wird der entsprechende Umrichter stärker als erwartet belastet, sodass mit einem frühzeitigen Ausfall der Halbleiterbaugruppe zu rechnen ist. Falls sie flacher ist, wird der entsprechende Umrichter weniger als erwartet belastet, sodass mit einem sicheren Betrieb der Halbleiterbaugruppe bis zur erwarteten Höchstlebensdauer zu rechnen ist.

Zur Ermittlung des zweiten Schädigungskennwertes LCTC wird eine analoge Vorgangsweise vorgeschlagen, indem die Auswertealgorithmen eine anhand des niederzyklischen Last-Zeitverlaufes durchgeführte Rainflow-Zählung umfassen, mittels der für die im Trägeraufbau auftretende Temperatur Tc die Häufigkeit eines Temperaturhubes DTC einer bestimmten Größenordnung für unterschiedliche Größenordnungen gezählt wird, sowie eine rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nc,f für einen Temperaturhub DTC einer jeden Größenordnung, wobei es sich beim zweiten Schädigungskennwert LCTC um die Summe der Quotienten aus der Häufigkeit eines Temperaturhubes DTC einer bestimmten Größenordnung für die im Trägeraufbau auftretende Temperatur Tc zur maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nc,f für einen Temperaturhub DTC derselben Größenordnung handelt.

Zur Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nc,f für den Temperaturhub DTC einer jeden Größenordnung kann wiederum zunächst aus dem Temperaturhub DTC einer bestimmten Größenordnung für die im Trägeraufbau auftretende Temperatur Tc ein Mittelwert TC,m für die im Trägeraufbau auftretende Temperatur Tc für die betreffende Größenordnung ermittelt werden, und die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nc, f für den Temperaturhub ATC einer jeden Größenordnung gemäß der folgenden Formel errechnet werden:

Nc,f= B. DTCb.exp(d/(kB.TC,m) )

wobei es sich bei B, d und b um für die betreffende Halbleiterbaugruppe empirisch oder mittels Simulation bestimmte Parameter handelt und kB=1.38.10-23 J/K ist.

Zur Ermittlung des zweiten Referenzwertes LCTC, ref für den zweiten Schädigungskennwert LCTC kann in analoger Weise zum ersten Referenzwert LCPC, ref vorgegangen werden, wobei jedoch ein erwarteter niederzyklischer Referenz-Last-Zeitverlauf herangezogen wird, und anhand des erwarteten niederzyklischen Referenz-Last-Zeitverlaufes eine Rainflow-Zählung durchgeführt wird, mittels der für die im Trägeraufbau auftretende Temperatur Tc, ref die Häufigkeit eines Temperaturhubes DTC, ref einer bestimmten Größenordnung für unterschiedliche Größenordnungen gezählt wird, sowie eine rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nc, f, ref für einen Temperaturhub DTC, ref einer jeden Größenordnung, wobei es sich beim zweiten Referenzwert LCTC, ref um die Summe der Quotienten aus der Häufigkeit eines Temperaturhubes DTC , ref einer bestimmten Größenordnung für die im Trägeraufbau auftretende Temperatur Tc, ref zur maximalen Anzahl an Belastungszyklen NC , f , re f für einen Temperaturhub DTC , ref derselben Größenordnung handelt.

Zur Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen NC , f , re f für den Temperaturhub DTC, ref einer jeden Größenordnung kann

wiederum aus dem Temperaturhub DTC, ref einer bestimmten Größenordnung für die im Trägeraufbau auftretende Temperatur TC, ref ein Mittelwert TC, m, ref für die im Trägeraufbau auftretende Temperatur TC, ref für die betreffende Größenordnung ermittelt werden, und die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen NC , f , re f für den Temperaturhub DTC, ref einer jeden Größenordnung gemäß der folgenden Formel errechnet werden :

NC , f , re f = B . DTC , ref b . exp ( d/ ( kB · TC, m, ref ) )

wobei es sich bei B, d und b um für die betreffende Halbleiterbaugruppe empirisch oder mittels Simulation bestimmte Parameter handelt und kB=1.38.10-23 J/K ist.

Diese Ermittlung des zweiten Referenzwertes LCTC , re f wird für einen bestimmten Anwendungsfall wiederum nur einmal vorgenommen werden, und zwar in der Regel seitens des Herstellers des Antriebsumrichters. Bei Berücksichtigung des zeitlichen Verlaufes des zweiten Referenzwertes LCTC, re f während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe ergibt sich wiederum eine monoton ansteigende Funktion, die bei Erreichen der maximalen Lebensdauer den Wert 1 annimmt, und die im Speicher eines Mikroprozessors des Umrichters gespeichert ist. Die Ermittlung des zweiten Schädigungskennwertes LCTC wird hingegen während des Betriebes des Umrichters oftmals in vorgegebenen Zeitabständen anhand von aktuell ermittelten niederzyklischen Last-Zeitverläufen wiederholt und mit dem zweiten Referenzwert LCTC , re f verglichen, um ein Anzeigesignal zum aktuellen Schädigungszustand zu generieren. Bei Berücksichtigung des zeitlichen Verlaufes des zweiten Schädigungskennwertes LCTC während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe ergibt sich ebenfalls eine monoton ansteigende Funktion, die bei Erreichen der maximalen Lebensdauer den Wert 1 annimmt, die aber steiler oder flacher als jene des zweiten Referenzwertes LCTC , re f sein kann. Falls sie steiler ist, wird der entsprechende Umrichter stärker als erwartet belastet, sodass mit einem frühzeitigen Ausfall der Halbleiterbaugruppe zu rechnen ist. Falls sie

unterhalb der Referenzkurve liegt, wird der entsprechende Umrichter weniger als erwartet belastet, sodass mit einem sicheren Betrieb der Halbleiterbaugruppe bis zur erwarteten Höchstlebensdauer zu rechnen ist.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen mithilfe der beiliegenden Figuren näher erläutert. Hierbei zeigen die

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer möglichen Ausführungsform einer Halbleiterbaugruppe,

Fig. 2 eine schematische Darstellung zur Illustration der Belastungszyklen im Zuge der thermischen Beanspruchung von Halbleiterbauelementen und Trägeraufbau während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe, und die

Fig. 3 eine Blockdarstellung zur Illustration einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.

Zunächst wird auf die Fig. 1 Bezug genommen, die eine schematische Darstellung einer möglichen Ausführungsform einer Halbleiterbaugruppe mit einem Halbleiterbauelement 1 und einem Trägeraufbau 2 zeigt. Der Trägeraufbau 2 umfasst im gezeigten Ausführungsbeispiel ein DCB-Substrat , auf dem die Halbleiterbauelemente 1 in Form ungehäuster Chips („bare dies") befestigt und mit Bond-Drähten 3 verbunden sind. DCB-Substrate bestehen aus einem keramischen Isolator 4, beispielsweise Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid, auf den in einem Hochtemperaturschmelz- und Diffusionsverfahren eine Kupferbeschichtung 5 aufgebracht und haftfest mit dem keramischen Isolator 4 verbunden wird. DCB-Substrate zeigen eine hohe Strombelastbarkeit aufgrund der dicken Kupfermetallisierung und werden insbesondere in Hochleistungs-Halbleitermodulen gerne verwendet. Die Halbleiterbauelemente 1 sind an einer Seite des keramischen Isolators 4 über Lötstellen 6 an der Kupferbeschichtung 5 befestigt. Auf der den Halbleiterbauelementen 1 entgegengesetzten Seite ist über weitere Lötstellen 6 eine Bodenplatte 7 an der Kupferbeschichtung 5 des keramischen Isolators 4 befestigt, die über eine thermische Schnittstelle 8 mit einem Kühlkörper 9 verbunden ist. Wie aus dem Aufbau gemäß der Fig. 1 ersichtlich ist, werden Halbleiterbaugruppen aus Materialien mit verschiedenen thermischen Eigenschaften, insbesondere verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, hergestellt. Daher kann es aufgrund der zeitlich veränderlichen Belastung zu mechanischen Spannungszuständen kommen, die die Halbleiterbaugruppe belasten. Eine zyklische thermische Belastung kann folglich mechanische Beschädigungen, wie etwa Schichtablösung, Ablösung von Anschlüssen oder Ermüdungsbrüche bewirken. Ein Ausfall des Halbleiterbauelements 1 kann beispielsweise durch Beschädigung des Halbleiters selbst, aber auch durch das Ablösen der Bond-Drähte 3 verursacht werden, oder durch Beschädigung der Lötstellen 6 des Halbleiterbauelements 1 am Trägeraufbau 2. Ein Ausfall des Trägeraufbaus 2 kann beispielsweise durch Beschädigung der Lötstellen 6 innerhalb des Trägeraufbaus oder durch Beschädigung der thermischen Schnittstelle 8 zwischen der Bodenplatte 7 und dem Kühlkörper 9 verursacht werden.

Die thermischen Belastungen der Halbleiterbaugruppe zeigen während des Betriebes eine zeitliche Periodizität, die auf die zeitlichen Änderungen der elektrischen Last IP zurückzuführen sind und im Falle eines Antriebsumrichters auch auf die Drehzahl der Maschine. Diese Belastungszyklen der thermischen Belastung werden anhand der Fig. 2 erläutert. Während der elektrischen Belastung („ton") steigt die Temperatur T an und erreicht bei Beendigung der elektrischen Belastung eine Maximaltemperatur Tmax. Die Temperatur T wird in weiterer Folge wieder abnehmen („toff") und erreicht vor Beginn der neuerlichen Belastung einen Minimalwert Tmin. Die Differenz ist der Temperaturhub DT . Des Weiteren kann auch ein Mittelwert Tm gebildet werden.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung werden diese Belastungszyklen für zwei unterschiedliche Temperaturen betrachtet, bei denen sich Änderungen unterschiedlich rasch vollziehen, nämlich in Form sich vergleichsweise rasch verändernder hochzyklischer Last-Zeitverläufe für eine innerhalb des Halbleiterbauelements 1 auftretende Temperatur Tj und in Form sich vergleichsweise langsam verändernder niederzyklischer Last-Zeitverläufe für eine im Trägeraufbau 2 auftretende Temperatur Tc. Bei der innerhalb des Halbleiterbauelements 1 auftretenden Temperatur Tj handelt es sich in der Regel um eine Sperrschichttemperatur, und bei der im Trägeraufbau 2 auftretenden Temperatur Tc beispielsweise um eine an der Bodenplatte 7 des Trägeraufbaus 2 gemessene Temperatur .

Die an der Bodenplatte 7 des Trägeraufbaus 2 gemessene Temperatur Tc kann leicht gemessen und in Form von niederzyklischen Last-Zeitverläufen angegeben werden, wie sie vereinfacht in der Fig. 2 dargestellt sind. Freilich sind tatsächliche Last-Zeitverläufe komplexer aufgebaut und zeigen beispielsweise eine Überlagerung mehrerer Belastungszyklen mit jeweils unterschiedlichem Temperaturhub und unterschiedlichen Perioden .

Die Sperrschichttemperatur als eine innerhalb des Halbleiterbauelements 1 auftretende Temperatur Tj ist keiner unmittelbaren Temperaturmessung zugänglich. Es kann allerdings andernorts eine für die Sperrschichttemperatur möglichst repräsentative Temperatur gemessen werden, um in weiterer Folge auf die Sperrschichttemperatur rückschließen zu können. Hierfür kann sich der Anwender auf unterschiedliche thermische Modelle stützen. So existieren beispielsweise detaillierte thermische Modelle, die mit der Schaltfrequenz, also mit einer üpdaterate von mehreren kHz, neu berechnet werden. Auch vereinfachte thermische Modelle mit geringeren üpdateraten sind verfügbar, die freilich auch geringere Genauigkeiten besitzen .

Eine weitere Möglichkeit wurde in der AT 518.115 der Anmelderin beschrieben. Hierbei wird in einem ersten Schritt aus Schaltungsparametern Si (i=1,2...N) eine über die Stromperiode gemittelte Verlustleistung errechnet, und aus der Verlustleistung mithilfe an sich bekannter thermischer Simulationsmodelle ein über die Stromperiode gemittelter Durchschnittswert der thermischen Belastung ermittelt. In einem zweiten Schritt wird aus vorgegebenen Interpolationsfunktionen für die Schaltungsparameter Si ein Korrekturwert für den über die Stromperiode gemittelten Durchschnittswert der thermischen Belastung zu einem Maximalwert der thermischen Belastung während der Stromperiode ermittelt, wobei der Maximalwert der thermischen Belastung die Summe oder das Produkt des über die Stromperiode gemittelten Durchschnittswerts der thermischen Belastung und des Korrekturwerts ist. Die Verlustleistung kann aus den über eine Stromperiode im Wesentlichen zeitunabhängigen Schaltungsparametern Si ermittelt werden. Zur Erstellung der genannten Interpolationsfunktionen können mithilfe an sich bekannter thermischer Simulationsmodelle für Kombinationen zu erwartender Schaltungsparameter Si die maximale Abweichung der thermischen Belastung vom Mittelwert punktweise errechnet und durch Vergleich mit dem Mittelwert ein Korrekturwert ermittelt werden, wobei ausgewählte Korrekturwerte für ausgewählte Kombinationen der Schaltungsparameter Si die Stützpunkte der Interpolationsfunktionen sind. Mithilfe dieses Verfahrens kann einerseits die Genauigkeit von an sich bekannten thermischen Simulationsmodellen weitest gehend beibehalten werden, wobei allerdings die Notwendigkeit hoher Rechenleistungen während des Betriebes der Schaltung vermieden wird. Stattdessen sind während des Betriebes der Schaltung lediglich die Verlustleistung aus im Wesentlichen zeitunabhängigen Mittelwerten der Schaltungsparameter Si, sowie in weiterer Folge ein Mittelwert der thermischen Belastung zu errechnen, wobei es sich dabei um vergleichsweise einfache Rechenoperationen handelt. Für eine hinreichend genaue Abschätzung der thermischen Belastung sind allerdings auch die oben erwähnten Wechselbelastungen zu berücksichtigen. Diese Wechselbelastungen werden im Rahmen der vorgeschlagenen Methodik mithilfe von Interpolationsfunktionen erfasst, die vorher (off-line) für jeden für die Wechselbelastung relevanten Schaltungsparameter Si bestimmt wurden und für jedes Halbleiterbauelement in einer Speichereinheit eines entsprechenden Prozessors, der bei Leistungsschaltungen in der Regel ohnehin vorgesehen ist, abgespeichert sind. Dabei wird aber die Wechselbelastung nicht in ihrer Zeitabhängigkeit nachvollzogen, sondern lediglich ausgehend von einem Mittelwert ein Korrekturwert zur Berechnung des Maximalwerts ermittelt, indem mithilfe an sich bekannter thermischer Simulationsmodelle für Kombinationen zu erwartender Schaltungsparameter Si die maximale (positive) Abweichung der thermischen Belastung vom Mittelwert punktweise errechnet und als Stützwerte einer Interpolationsfunktion in Bibliotheken bereit gestellt wird. Während des Betriebes der Schaltung wird für konkrete Schaltungsparameter Si mithilfe dieser Interpolationsfunktionen der Korrekturwert zur Berechnung des Maximalwerts ermittelt. Auch dieser Vorgang kann vergleichsweise rasch und ohne große Rechenleistung während des Betriebes der Schaltung erfolgen. Aufgrund des geringen Rechenaufwandes während des Betriebes der Schaltung besteht mithilfe der vorgeschlagenen Methodik auch die Möglichkeit, die thermische Belastung eines jeden Halbleiterbauelements 1 auch während des Betriebes oftmals zu bestimmen.

Das Ergebnis dieser Berechnungen lässt sich in hochzyklischen Last-Zeitverläufen darstellen, wie sie vereinfacht in der Fig. 2 dargestellt sind. Freilich sind tatsächliche Last-Zeitverläufe komplexer aufgebaut und zeigen beispielsweise eine Überlagerung mehrerer Belastungszyklen mit jeweils unterschiedlichem Temperaturhub und unterschiedlichen Perioden .

Der so ermittelte hochzyklische Last-Zeitverlauf für eine innerhalb des Halbleiterbauelements 1 auftretende Temperatur Tj und der niederzyklische Last-Zeitverlauf für eine im Trägeraufbau 2 auftretende Temperatur Tc sind Ausgangspunkt des erfindungsgemäßen Verfahrens, wie in weiterer Folge anhand der Fig. 3 erläutert wird. Die Ermittlung der hochzyklischen und niederzyklischen Last-Zeitverläufe findet dabei in dem mit „Thermisches Modell" bezeichneten, ersten Block der Fig. 3 statt .

Diese Last-Zeitverläufe werden jeweils einer Rainflow-Zählung unterworfen. Beim hochzyklischen Last-Zeiverlauf wird mittels der Rainflow-Zählung für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj die Häufigkeit eines Temperaturhubes DTj einer bestimmten Größenordnung für unterschiedliche Größenordnungen gezählt. Das Ergebnis ist eine Matrix, bei der unterschiedlichen Größenordnungen für den Temperaturhub DTj eine entsprechende Häufigkeit zugeordnet wird. Die hochzyklischen Last-Zeitverläufe werden in vorgegebenen Abständen während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe ermittelt und analysiert, wobei die Häufigkeiten eines Temperaturhubes DTj einer bestimmten Größenordnung über die Zeit aufsummiert werden. Die so ermittelten Häufigkeiten können in Relation zur maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für einen Temperaturhub DTj einer bestimmten Größenordnung gesetzt werden. Dieser Quotient, der für jede Größenordnung ermittelt werden kann, kann in weiterer Folge über alle Größenordnungen aufsummiert werden und ergibt einen Wert, der zu Beginn des Betriebes der Halbleiterbaugruppe klein sein wird und sich während der Laufzeit der Halbleiterbaugruppe dem Wert 1 annähern wird. Dieser Wert ist der erste Schädigungskennwert LCPC.

Für die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für den Temperaturhub DTj einer bestimmten Größenordnung kann zunächst aus dem Temperaturhub DTj einer bestimmten Größenordnung für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj zunächst ein Mittelwert Tj , m für die innerhalb des Halbleiterbauelements auftretende Temperatur Tj für die betreffende Größenordnung ermittelt werden. Die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nj , f für den Temperaturhub DTj einer jeden Größenordnung kann in weiterer Folge gemäß der folgenden Formel errechnet werden:

Nj,f = A. DTja. exp (c/ (kB. Tj,m) )

wobei es sich bei A, c und a um empirisch oder mittels Simulation für die betreffende Halbleiterbaugruppe bestimmte

Parameter handelt und kB=1.38.10-23 J/K ist.

In analoger Weise kann beim niederzyklischen Last-Zeitverlauf vorgegangen werden. Beim niederzyklischen Last-Zeiverlauf wird mittels der Rainflow-Zählung für die Temperatur Tc der Bodenplatte 7 die Häufigkeit eines Temperaturhubes DTC einer bestimmten Größenordnung für unterschiedliche Größenordnungen gezählt. Das Ergebnis ist wiederum eine Matrix, bei der unterschiedlichen Größenordnungen für den Temperaturhub DTC eine entsprechende Häufigkeit zugeordnet wird. Die niederzyklischen Last-Zeitverläufe werden in vorgegebenen Abständen während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe ermittelt und analysiert, wobei die Häufigkeiten eines Temperaturhubes DTC einer bestimmten Größenordnung über die Zeit aufsummiert werden. Die so ermittelten Häufigkeiten können in Relation zur maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nc,f für einen Temperaturhub DTC einer bestimmten Größenordnung gesetzt werden. Dieser Quotient, der für jede Größenordnung ermittelt werden kann, kann in weiterer Folge über alle Größenordnungen aufsummiert werden und ergibt einen Wert, der zu Beginn des Betriebes der Halbleiterbaugruppe klein sein wird und sich während der Laufzeit der Halbleiterbaugruppe dem Wert 1 annähern wird. Dieser Wert ist der zweite Schädigungskennwert LCTC.

Für die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nc,f für den Temperaturhub DTC einer bestimmten Größenordnung kann zunächst aus dem Temperaturhub DTC einer bestimmten Größenordnung für die Temperatur Tc der Bodenplatte 7 zunächst ein Mittelwert Tc,m für die betreffende Größenordnung ermittelt werden. Die rechnerische Ermittlung der maximalen Anzahl an Belastungszyklen Nc,f für den Temperaturhub DTC einer jeden Größenordnung kann in weiterer Folge gemäß der folgenden Formel errechnet werden:

Nc,f = B. DTCb.exp(d/ (kB.Tc,m) )

wobei es sich bei B, d und b um für die betreffende Halbleiterbaugruppe empirisch oder mittels Simulation bestimmte Parameter handelt und kB=1.38.10-23 J/K ist.

Die Ermittlung des ersten Referenzwertes LCPC, ref und des zweiten Referenzwertes LCTC, ref wird in analoger Weise wie die Ermittlung des ersten Schädigungskennwertes LCPC und des zweiten Schädigungskennwertes LCTC vorgenommen, wie anhand des unteren Teils der Fig. 3 mit den fett umrandeten Blöcken gezeigt ist. Es wird lediglich ein erwarteter hochzyklischer oder niederzyklischer Referenz-Last-Zeitverlauf herangezogen, und anhand des erwarteten hochzyklischen oder niederzyklischen Referenz-Last-Zeitverlaufes eine Rainflow-Zählung durchgeführt. Die Ermittlung des ersten Referenzwertes LCPC, ref und des zweiten Referenzwertes LCTC, ref wird für einen bestimmten Anwendungsfall zudem nur einmal vorgenommen werden, und zwar in der Regel seitens des Herstellers des Antriebsumrichters. Bei Berücksichtigung des zeitlichen Verlaufes der Referenzwerte LCPC, ref und LCTC, ref während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe ergibt sich jeweils eine monoton ansteigende Funktion, die bei Erreichen der maximalen Lebensdauer den Wert 1 annimmt, und die im Speicher eines Mikroprozessors des Umrichters gespeichert ist. Die Ermittlung des ersten Schädigungskennwertes LCPC und des zweiten Schädigungskennwertes LCTC wird hingegen während des Betriebes des Umrichters oftmals in vorgegebenen Zeitabständen anhand von aktuell ermittelten Last-Zeitverläufen wiederholt und mit dem ersten Referenzwert LCPC, ref und dem zweiten Referenzwert LCTC, ref verglichen, um ein Anzeigesignal zum aktuellen Belastungszustand zu generieren. Bei Berücksichtigung des zeitlichen Verlaufes des ersten Schädigungskennwertes LCPC und des zweiten Schädigungskennwertes LCTC während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe ergibt sich jeweils eine monoton ansteigende Funktion, die bei Erreichen der maximalen Lebensdauer den Wert 1 annimmt, die aber steiler oder flacher als jene der entsprechenden Referenzwerte LCPC, ref, LCTC, refsein kann. Falls sie steiler ist, wird der entsprechende Umrichter stärker als erwartet belastet, sodass mit einem frühzeitigen Ausfall der Halbleiterbaugruppe zu rechnen ist. Falls sie flacher ist, wird der entsprechende Umrichter weniger als erwartet belastet, sodass mit einem sicheren Betrieb der Halbleiterbaugruppe bis zur erwarteten Höchstlebensdauer zu rechnen ist.

Dabei kann der absolute Wert verglichen werden, oder die zeitliche Ableitung, was dem Anstieg der genannten monotonen Funktionen entspricht. Sowohl der absolute Wert als auch die zeitliche Ableitung eignen sich für einen Vergleich des ersten und zweiten Schädigungskennwertes LCPC , LCTC mit den jeweiligen Referenzwerten LCPC, ref , LCTC, ref .

Anhand dieses Vergleiches erfolgt die Zuordnung zu einem unkritischen, einem kritischen und einem überkritischen Betriebszustandsbereich durch Vergleich des ersten Schädigungskennwertes LCPC mit dem ersten Referenzwert LCPC, ref und des zweiten Schädigungskennwertes LCTC mit dem zweiten Referenzwert LCTC, ref , wobei ein unkritischer

Betriebszustandsbereich jeweils dann vorliegt, falls der jeweilige Schädigungskennwert LCPC, LCTC unterhalb eines Abweichungsbereiches des ihm jeweils zugeordneten

Referenzwertes LCPC, ref, LCTC, ref liegt. Ein kritischer Betriebszustandsbereich liegt jeweils dann vor, falls der

Schädigungskennwert LCPC, LCTC innerhalb des

Abweichungsbereiches des ihm jeweils zugeordneten

Referenzwertes LCPC, ref, LCTC, refliegt, und ein überkritischer

Betriebszustandsbereich liegt jeweils dann vor, falls der

Schädigungskennwert LCPC , LCTC oberhalb des Abweichungsbereiches des ihm jeweils zugeordneten Referenzwertes LCPC, ref, LCTC, ref liegt. Der Abweichungsbereich der Referenzwerte LCPC, ref, LCTC, ref kann beispielsweise im Wertebereich von 80-100% der Referenzwerte LCPC, ref, LCTC, ref liegen. Ein unkritischer Betriebszustandsbereich würde in diesem Fall dann vorliegen, falls beispielsweise der erste Schädigungskennwert LCPC weniger als 80% des ersten Referenzwertes LCPC,ref beträgt. Ein kritischer Betriebszustandsbereich würde dann vorliegen, falls der erste Schädigungskennwert LCPC innerhalb des Abweichungsbereiches von 80-100% des ersten Referenzwertes LCPC,ref liegt. Ein überkritischer Betriebszustandsbereich würde dann vorliegen, falls der erste Schädigungskennwert LCPC oberhalb des ersten Referenzwertes LCPC,ref liegt. Letzteres stellt eine unerwartet starke Belastung der Halbleiterbaugruppe dar, über die der Anwender Bescheid wissen sollte, um in geeigneter Weise intervenieren zu können. Freilich können die unkritischen, kritischen und überkritischen Betriebszustandsbereiche auch in Form anderer Prozentabweichungen für den Abweichungsbereich gewählt werden, zudem könnten für hochzyklische und niederzyklische Belastungen jeweils unterschiedliche Prozentabweichungen zur Festlegung der unkritischen, kritischen und überkritischen Betriebszustandsbereiche gewählt werden.

Mithilfe der Erfindung ist es somit möglich den thermischen Schädigungszustand einer betrieblich belasteten Halbleiterbaugruppe zu bewerten, wobei es nicht nur möglich ist eine verbrauchte Lebensdauer für die gesamte Halbleiterbaugruppe abzuschätzen, sondern auch unerwartete oder unerwünschte Belastungszustände und somit eine vorschnelle Minderung der verbleibenden Lebensdauer der Halbleiterbaugruppe zu detektieren. Dadurch werden bereits während des Betriebes der Halbleiterbaugruppe laufende Belastungsevaluierungen ermöglicht, die zeitgerechte Interventionen erlauben.