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1. WO2020182444 - AUFWACHSSTRUKTUR FÜR EIN STRAHLUNG EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND STRAHLUNG EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2020/182444
Veröffentlichungsdatum 17.09.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2020/054648
Internationales Anmeldedatum 21.02.2020
IPC
H01L 21/02 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H01L 33/12 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
12mit spannungsabbauender Struktur, z.B. einer Pufferschicht
H01S 5/323 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
30Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
323in AIIIBV-Verbindungen, z.B. AlGaAs-Laser
CPC
H01L 21/02395
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02395Arsenides
H01L 21/02463
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02463Arsenides
H01L 21/02507
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
02507Alternating layers, e.g. superlattice
H01L 21/02543
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02543Phosphides
H01L 21/02546
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02546Arsenides
H01L 21/02576
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02576N-type
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • KOLLER, Andreas
  • MAYER, Bernd
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2019 106 521.614.03.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) AUFWACHSSTRUKTUR FÜR EIN STRAHLUNG EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND STRAHLUNG EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) GROWTH STRUCTURE FOR A RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROTUBÉRANCE POUR UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
Zusammenfassung
(DE)
Es wird eine Aufwachsstruktur (1) für ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben umfassend - ein Halbleitersubstrat (2), das - einauf Arsenid-Verbindungshalbleitern basierendes Material enthält, - eine Pufferstruktur (3), die - auf dem Halbleitersubstrat (2) angeordnet ist, - ein auf Arsenid-Verbindungshalbleitern basierendes Material enthält und - eine Pufferschicht (4) mit zumindest einer n-dotierten Schicht (5) aufweist, wobei die n-dotierte Schicht (5) Sauerstoff enthält. Ferner wird ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement (10) mit einer Aufwachsstruktur (1) angegeben.
(EN)
A growth structure (1) for a radiation-emitting semiconductor component (10) is specified, comprising – a semiconductor substrate (2) containing – a material based on arsenide compound semiconductors, and – a buffer structure (3), which – is arranged on the semiconductor substrate (2), – contains a material based on arsenide compound semiconductors and – has a buffer layer (4) comprising at least one n-doped layer (5), wherein the n-doped layer (5) contains oxygen. Furthermore, a radiation-emitting semiconductor component (10) comprising a growth structure (1) is specified.
(FR)
L’invention concerne une protubérance (1) pour un dispositif semi-conducteur (10) émettant un rayonnement, ladite protubérance comprenant - un substrat semi-conducteur (2) contenant un matériau à base de composés semi-conducteurs à base d’arséniure, - une structure tampon (3) disposée sur le substrat semi-conducteur (2) et contenant un matériau à base de composés semi-conducteurs à base d'arséniure, et - une couche tampon comportant au moins une couche dopée n (5), la couche dopée n (5) contenant de l’oxygène. L’invention concerne en outre un dispositif semi-conducteur (10) émettant un rayonnement, lequel dispositif comporte une protubérance (1).
Auch veröffentlicht als
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