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1. WO2020127932 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONIKMODULS UND ELEKTRONIKMODUL

Veröffentlichungsnummer WO/2020/127932
Veröffentlichungsdatum 25.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/086617
Internationales Anmeldedatum 20.12.2019
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 29.05.2020
IPC
H01L 23/373 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
34Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation
36Auswahl des Materials oder der Form, um die Kühlung oder Heizung zu erleichtern, z.B. Wärmesenken
373wobei die Kühlung durch das gewählte Material des Bauelements bewirkt wird
H01L 25/07 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
CPC
H01L 2224/04105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
H01L 2224/12105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
12105Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
H01L 2224/73267
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73251on different surfaces
73267Layer and HDI connectors
H01L 23/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
15Ceramic or glass substrates
H01L 23/3735
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
373Cooling facilitated by selection of materials for the device ; or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
H01L 23/4334
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
42Fillings or auxiliary members in containers ; or encapsulations; selected or arranged to facilitate heating or cooling
433Auxiliary members ; in containers; characterised by their shape, e.g. pistons
4334Auxiliary members in encapsulations
Anmelder
  • ROGERS GERMANY GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • GIL, Vitalij
Vertreter
  • MÜLLER SCHUPFNER & PARTNER
Prioritätsdaten
10 2018 133 479.621.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONIKMODULS UND ELEKTRONIKMODUL
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC MODULE, AND ELECTRONIC MODULE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MODULE ÉLECTRONIQUE ET MODULE ÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls (1), umfassend: -Bereitstellen (101) eines mit einem ersten elektronischen Bauteil (30) bestückten Trägersubstrats (10), wobei das Trägersubstrat(10)eine Primärschicht (11), eine Sekundärschicht (12) und eine zwischen der Primärschicht (11) und der Sekundärschicht (12) angeordnete metallische Zwischenschicht (16) aufweist, wobei die Primärschicht (11) zumindest eine erste Aussparung (41) aufweist, -zumindest teilweise Verkapseln (102) des bestückten Trägersubstrats (10) mit einer Verkapselung (20) -Realisieren einer zweiten Aussparung (42) in der Verkapselung (20) und -Ausbilden (103) einer Durchkontaktierung (5) zum Bereitstellen einer elektrischen Verbindung zwischen einem zweiten elektronischen Bauteil (31) an einer Außenseite (A) der Verkapselung (20) und der metallischen Zwischenschicht (16), wobei die erste Aussparung (41) in der Primärschicht (16) und die zweite Aussparung (42) in der Verkapselung (20) in einem Arbeitsschritt mit einem elektrisch leitfähigen Material gemeinsam gefüllt und/oder miteinander elektrisch kontaktiert werden.
(EN)
Method for producing an electronic module (1), comprising: - providing (101) a carrier substrate (10) populated with a first electronic component (30), the carrier substrate (10) having a primary layer (11), a secondary layer (12) and a metal intermediate layer (16) arranged between the primary layer (11) and the secondary layer (12), the primary layer (11) having at least one first cut-out (41); - at least partially encapsulating (102) the populated carrier substrate (10) with an encapsulation (20); - creating a second cut-out (42) in the encapsulation (20); and - forming (103) a via (5) in order to provide an electrical connection between a second electronic component (31) on an exterior (A) of the encapsulation (20) and the metal intermediate layer (16), the first cut-out (41) in the primary layer (16) and the second cut-out (42) in the encapsulation (20) being jointly filled with an electrically conductive material and/or brought into electrical contact with one another in a work step.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un module électronique (1), comprenant les étapes consistant : - à prendre (101) un substrat de support (10) équipé d'un premier composant électronique (30), le substrat de support (10) comportant une couche primaire (11), une couche secondaire (12) et une couche intermédiaire métallique (16) placée entre la couche primaire (11) et la couche secondaire (12), la couche primaire (11) comportant au moins un premier évidement (41), à enrober au moins partiellement (102) le substrat de support équipé (10) au moyen d'une encapsulation (20), à réaliser un second évidement (42) dans l'encapsulation (20) et à former (103) un trou d'interconnexion (5) pour permettre une connexion électrique entre un second composant électronique (31), au niveau d'un côté extérieur (A) de l'encapsulation (20), et la couche intermédiaire métallique (16), le premier évidement (41) réalisé dans la couche primaire (16) et le second évidement (42) réalisé dans l'encapsulation (20) étant remplis ensemble d'un matériau électriquement conducteur et/ou mis en contact électrique l'un avec l'autre en une étape.
Auch veröffentlicht als
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