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1. WO2020127435 - OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN

Veröffentlichungsnummer WO/2020/127435
Veröffentlichungsdatum 25.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/085866
Internationales Anmeldedatum 18.12.2019
IPC
H01L 33/06 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
04mit Quanteneffekt- oder Übergitterstruktur, z.B. Tunnelübergang
06innerhalb des lichtemittierenden Bereichs, z.B. Quantum-Confinement-Struktur oder Tunnelbarriere
H01L 33/00 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H01L 33/24 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
24des lichtemittierenden Bereichs, z.B. nicht-planare Übergänge
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • BEHRINGER, Martin
  • TONKIKH, Alexander
  • VARGHESE, Tansen
Vertreter
  • MÜLLER HOFFMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB
Prioritätsdaten
10 2018 133 123.120.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung
(DE)
Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) weist eine aktive Zone (120) auf, die Teilschichten (111, 112, 113) zur Ausbildung einer Quantentopfstruktur enthält. Dabei sind Energieniveauunterschiede innerhalb der Quantentopfstruktur in einem zentralen Bereich (14) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) kleiner als in einem Randbereich (15) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10). Gemäß weiteren Ausführungsformen weist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) eine aktive Zone (120) auf, die eine Teilschicht, die zur Ausbildung einer Quantentopfstruktur geeignet ist, enthält. Dabei sind in der aktiven Zone (120) in einem zentralen Bereich (14) des optoelektronischen Halbleiterbauelements Quantendotstrukturen (122) ausgebildet. In einem Randbereich (15) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) sind keine Quantendotstrukturen ausgebildet.
(EN)
The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (10) having an active zone (120) which contains partial layers (111, 112, 113) for forming a quantum well structure. Energy level differences within the quantum well structure are smaller in a central region (14) of the optoelectronic semiconductor component (10) than in an edge region (15) of the optoelectronic semiconductor component (10). According to further embodiments, an optoelectronic semiconductor component (10) has an active zone (120) containing a partial layer which is suitable for forming a quantum well structure. Quantum dot structures (122) are formed in the active zone (120) in a central region (14) of the optoelectronic semiconductor component. No quantum dot structures are formed in an edge region (15) of the optoelectronic semiconductor component (10).
(FR)
L'invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (10) présentant une zone active (120) qui contient des couches partielles (111, 112, 113) destinées à former une structure à puits quantiques. Des différences de niveaux d'énergie à l'intérieur de la structure à puits quantiques sont inférieures dans une zone centrale (14) du composant semi-conducteur optoélectronique (10) que dans une zone marginale (15) du composant semi-conducteur optoélectronique (10). Dans d'autres modes de réalisation, un composant semi-conducteur optoélectronique (10) présente une une zone active (120) qui contient une couche partielle appropriée pour former une structure à puits quantiques. Des structures à points quantiques (122) sont formées dans la zone active (120) dans une zone centrale (14) du composant semi-conducteur optoélectronique (10). Aucune structure à points quantiques (122) n'est formée dans une zone marginale (15) du composant semi-conducteur optoélectronique (10).
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