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1. WO2020127429 - OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ZWISCHENSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/127429
Veröffentlichungsdatum 25.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/085859
Internationales Anmeldedatum 18.12.2019
IPC
H01L 33/12 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
12mit spannungsabbauender Struktur, z.B. einer Pufferschicht
H01L 21/02 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H01L 33/14 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
14mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • TOLLABI MAZRAEHNO, Mohammad
Vertreter
  • MÜLLER HOFFMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB
Prioritätsdaten
10 2018 133 526.121.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ZWISCHENSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING AN INTERMEDIATE LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE COMPRENANT UNE COUCHE INTERMÉDIAIRE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE L'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die erste Halbleiterschicht (110) die Zusammensetzung AlxGa1-xN hat. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst weiterhin eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Zone (115) zwischen der ersten Halbleiterschicht (110) und der zweiten Halbleiterschicht (120), wobei die aktive Zone (115) eine Quantentopfstruktur (114) aufweist, sowieeine Zwischenschicht (125) zwischen der ersten Halbleiterschicht (110) und der aktiven Zone (115). Die Zwischenschicht (125) umfasst ein Halbleitermaterial der Zusammensetzung AlyGa1-yN, mit x*1,05 ≤ y ≤1.
(EN)
A semiconductor component (10) comprises a first semiconductor layer (110) of a first conductivity type, the first semiconductor layer (110) having the composition AlxGa1-xN. The optoelectronic semiconductor component (10) also comprises a second semiconductor layer (120) of a second conductivity type, an active zone (115) between the first semiconductor layer (110) and the second semiconductor layer (120), the active zone (115) having a quantum well structure (114), and an intermediate layer (125) between the first semiconductor layer (110) and the active zone (115). The intermediate layer (125) comprises a semiconductor material of the composition AlyGa1-yN, with x*1.05 ≤ y ≤1.
(FR)
Un élément semi-conducteur optoélectronique (10) comprenant une première couche semi-conductrice (110) d’un premier type de conductivité, la première couche semi-conductrice (110) ayant la composition AlxGa1-xN. L'élément semi-conducteur optoélectronique (10) comprend en outre une deuxième couche semi-conductrice (120) d’un deuxième type de conductivité, une zone active (115) entre la première couche semi-conductrice (110) et la deuxième couche semi-conductrice (120), la zone active (115) présentant une structure à puits quantique (114), ainsi qu’une couche intermédiaire (125) entre la première couche semi-conductrice (110) et la zone active (115). La couche intermédiaire (125) comprend un matériau semi-conducteur de la composition AlyGa1-yN, avec x*1,05 ≤ y ≤1.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten