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1. WO2020127264 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

ANSPRÜCHE

1. Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, wobei

ein erster Halbleiterwafer (10) bereitgestellt wird, der eine Vielzahl von ersten optoelektronischen Halblei terbauelementen (11) aufweist,

der erste Halbleiterwafer (10) über einem Träger (20) angeordnet wird,

mehrere der ersten optoelektronischen Halbleiterbau elemente (11) mittels einer Laserstrahlung (30) von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennt werden und auf den Träger (20) fallen, und

die von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennten ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) an dem Träger (20) befestigt werden,

wobei Bereiche des ersten Halbleiterwafers (10) zwi schen benachbarten ersten optoelektronischen Halbleiter bauelementen (11) gedünnt werden, bevor die ersten opto elektronischen Halbleiterbauelemente (11) mittels der La serstrahlung (30) von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die ersten optoelektro nischen Halbleiterbauelemente pLEDs (11) sind.

3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf dem Träger (20) Lotdepots (25) platziert werden, wel che vor dem Trennen der ersten optoelektronischen Halb- leiterbauelemente (11) von dem ersten Halbleiterwafer (10) erhitzt werden und welche die auf den Träger (20) gefal lenen ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) an dem Träger (20) befestigen.

4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die ersten optoelektro nischen Halbleiterbauelemente (11) jeweils Kontaktflächen (12) aufweisen und der erste Halbleiterwafer (10) derart über dem Träger (20) angeordnet wird, dass die Kontakt- flächen (12) zu dem Träger (20) weisen, und wobei die

Lotdepots (25) die Kontaktflächen (12) der auf den Träger (20) gefallenen ersten optoelektronischen Halbleiterbau elemente (11) mit dem Träger (20) verbinden.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (20) eine Verdrahtungsschicht aufweist, an wel che die auf den Träger (20) gefallenen ersten optoelekt ronischen Halbleiterbauelemente (11) elektrisch gekoppelt werden .

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei nach dem Anordnen des ersten Halbleiterwafers (10) über dem Träger (20) ein Unterdrück in einem Raum zwischen dem ersten Halbleiterwafer (10) und dem Träger (20) erzeugt wird .

7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Träger (20) Durch gangslöcher (21) aufweist, durch die Luft aus dem Raum zwischen dem ersten Halbleiterwafer (10) und dem Träger (20) zum Erzeugen des Unterdrucks gepumpt wird.

8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (20) Stützpfeiler (23) und/oder Stützwände auf weist, auf die der erste Halbleiterwafer (10) gelegt wird.

9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein zweiter Halbleiterwafer (32) bereitgestellt wird, der eine Vielzahl von zweiten optoelektronischen Halblei terbauelementen (31) aufweist,

der zweite Halbleiterwafer (32) über dem Träger (20) angeordnet wird,

mehrere der zweiten optoelektronischen Halbleiterbau elemente (31) mittels einer Laserstrahlung (30) von dem zweiten Halbleiterwafer (32) getrennt werden und auf den

Träger (20) fallen, und

die von dem zweiten Halbleiterwafer (32) getrennten zweiten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (31) an dem Träger (20) befestigt werden.

10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die ersten optoelektro nischen Halbleiterbauelemente (11) dazu ausgebildet sind, Licht einer ersten Farbe zu emittieren, und die zweiten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (31) dazu ausge- bildet sind, Licht einer zweiten Farbe zu emittieren.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger ein weiterer Halbleiterwafer (20) ist.

12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optoelektronische Leuchtvorrichtung ein Display ist.

13. Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, wobei

ein erster Halbleiterwafer (10) bereitgestellt wird, der eine Vielzahl von ersten optoelektronischen Halblei terbauelementen (11) aufweist,

der erste Halbleiterwafer (10) über einem Träger (20) angeordnet wird,

mehrere der ersten optoelektronischen Halbleiterbau elemente (11) mittels einer Laserstrahlung (30) von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennt werden und auf den Träger (20) fallen, und

die von dem ersten Halbleiterwafer (10) getrennten ersten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11) an dem Träger (20) befestigt werden,

wobei nach dem Anordnen des ersten Halbleiterwafers (10) über dem Träger (20) ein Unterdrück in einem Raum zwischen dem ersten Halbleiterwafer (10) und dem Träger (20) erzeugt wird, und

wobei der Träger (20) Durchgangslöcher (21) aufweist, durch die Luft aus dem Raum zwischen dem ersten Halb-leiterwafer (10) und dem Träger (20) zum Erzeugen des

Unterdrucks gepumpt wird.