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1. WO2020127029 - OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL

Veröffentlichungsnummer WO/2020/127029
Veröffentlichungsdatum 25.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/085324
Internationales Anmeldedatum 16.12.2019
IPC
H01L 33/56 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
52Einkapselungen
56Materialien, z.B. Epoxid- oder Silikonharze
H01L 33/60 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
58Bestandteile zur Formung optischer Felder
60Reflektierende Bestandteile
H01L 33/40 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36charakterisiert durch die Elektroden
40Materialien hierfür
H01L 33/50 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
50Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H01L 27/15 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
15mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission
H01L 33/08 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • VÖLKL, Michael
  • HERMANN, Siegfried
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 132 651.318.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMICONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (10) eine Emittereinheit (1) und einen Reflektor (4). Die Emittereinheit (1) weist eine Halbleiterschichtenfolge (2) auf, die zwei einander gegenüberliegende Hauptseiten (24, 25), mehrere Seitenflächen (26, 27) und eine aktive Zone (22) zur Strahlungserzeugung umfasst. Die Emittereinheit (1) beinhaltet elektrische Kontaktflächen (31, 32), die sich an den Hauptseiten (24, 25) befinden. Der Reflektor (4) überdeckt die Hauptseiten (24, 25) und alle Seitenflächen (26) bis auf eine einzige, zur Strahlungsemission eingerichtete Seitenfläche (27) zu mindestens 90 %.
(EN)
In one embodiment, the optoelectronic semiconductor component (10) comprises an emitter unit (1) and a reflector (4). The emitter unit (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) having two opposing main sides (24, 25), multiple lateral surfaces (26, 27) and an active zone (22) for generating radiation. The emitter unit (1) includes electrical contact surfaces (31, 32) located on the main sides (24, 25). The reflector (4) covers the main sides (24, 25) and all lateral surfaces (26) apart from up to at least 90% of a single lateral surface (27) designed for radiation emission.
(FR)
Un mode de réalisation de l'invention concerne un composant semiconducteur optoélectronique (10) comprenant une unité d'émission (1) et un réflecteur (4). L'unité d'émission (1) possède une séquence de couches en semiconducteur (2) qui comprend deux côtés principaux opposés (24, 25), plusieurs surfaces latérales (26, 27) et une zone active (22) destinée à générer un rayonnement. L'unité d'émission (1) contient des surfaces de contact électrique (31, 32) qui sont situées sur les côtés principaux (24, 25). Le réflecteur (4) recouvre les côtés principaux (24, 25) et toutes les surfaces latérales (26) sur au moins 90 %, à l'exception d'une seule surface latérale (27) qui est conçue pour l'émission de rayonnement.
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