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1. WO2020126787 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHEIBEN MITTELS EINER DRAHTSÄGE, DRAHTSÄGE UND HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM

Veröffentlichungsnummer WO/2020/126787
Veröffentlichungsdatum 25.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/084802
Internationales Anmeldedatum 12.12.2019
IPC
B28D 5/00 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
28Ver- bzw. Bearbeiten von Zement, Ton oder Stein
DBearbeiten von Stein oder steinähnlichen Werkstoffen
5Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen, Kristallen, z.B. von Halbleiter-Werkstoff; Vorrichtungen hierfür
B28D 5/04 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
28Ver- bzw. Bearbeiten von Zement, Ton oder Stein
DBearbeiten von Stein oder steinähnlichen Werkstoffen
5Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen, Kristallen, z.B. von Halbleiter-Werkstoff; Vorrichtungen hierfür
04durch andere nicht rotierende Werkzeuge z.B. hin- und hergehende Werkzeuge
B23D 59/00 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
23Werkzeugmaschinen; Metallbearbeitung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
DHobeln; Stoßen; Scheren; Räumen; Sägen; Feilen; Schaben; ähnliche spanabhebende Metallbearbeitungsvorgänge, soweit nicht anderweitig vorgesehen
59Zubehör für Sägemaschinen oder Sägevorrichtungen
Anmelder
  • SILTRONIC AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • BEYER, Axel
  • WELSCH, Stefan
Vertreter
  • STAUDACHER, Wolfgang
Prioritätsdaten
10 2018 221 922.217.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHEIBEN MITTELS EINER DRAHTSÄGE, DRAHTSÄGE UND HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILIZIUM
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR WAFERS USING A WIRE SAW, WIRE SAW, AND SEMICONDUCTOR WAFERS MADE OF MONOCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN D’UNE SCIE À FIL, SCIE À FIL ET TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Zusammenfassung
(DE)
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus einem Werkstück durch Bearbeiten des Werkstücks mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium. Das Verfahren umfasst das Zustellen des Werkstücks durch eine Anordnung von Drähten, die in Drahtgruppen gegliedert zwischen Drahtführungsrollen gespannt sind und sich in eine Laufrichtung bewegen; das Erzeugen von Schnittspalten beim Eingriff der Drähte in das Werkstück; für jede der Drahtgruppen das Ermitteln einer Fehllage der Schnittspalte der Drahtgruppe; und für jede der Drahtgruppen das Herbeiführen von Ausgleichsbewegungen der Drähte der Drahtgruppe in Abhängigkeit der ermittelten Fehllage der Schnittspalte der Drahtgruppe in eine Richtung senkrecht zur Laufrichtung der Drähte der Drahtgruppe während des Zustellens des Werkstücks durch die Anordnung von Drähten durch Aktivieren mindestens eines Antriebselements.
(EN)
The invention relates to a method for producing semiconductor wafers from a workpiece by machining the workpiece using a wire saw, to a wire saw, and to semiconductor wafers made of monocrystalline silicon. The method has the steps of feeding the workpiece through an assembly of wires which are stretched between wire guide rollers in a divided manner in wire groups and which run in a running direction; producing cutting gaps when engaging the wires into the workpiece; ascertaining an incorrect position of the cutting gaps of the wire groups for each wire group; and, for each wire group, carrying out compensating movements of the wires of the wire group in a direction perpendicular to the running direction of the wires of the wire group on the basis of the ascertained incorrect position of the cutting gaps of the wire group when feeding the workpiece through the assembly of wires by activating at least one drive element.
(FR)
L’invention concerne un procédé de fabrication de tranches de semi-conducteur à partir d’une pièce, par usinage de ladite pièce au moyen d’une scie à fil, une scie à fil et une tranche de semi-conducteur se composant d’un silicium monocristallin. Le procédé comprend les étapes suivantes : faire passer une pièce par un agencement de fils qui sont tendus entre des rouleaux de guidage fils, lesdits fils étant divisés en groupes de fils et se déplaçant dans une direction d’avancement; produire des jeux de coupe lorsque les fils entrent dans la pièce; déterminer pour chaque groupe de fils une mauvaise position des jeux de coupe du groupe de fils; et effectuer ensuite pour chacun des groupes de fils, des mouvements de compensation des fils du groupe de fils en fonction de la mauvaise position déterminée des jeux de coupe du groupe de fils dans une direction perpendiculaire à la direction d’avancement des fils du groupe de fils pendant le passage de la pièce par l’agencement de fils par activation d’au moins un élément d’entraînement.
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