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1. WO2020126784 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHEIBEN MITTELS EINER DRAHTSÄGE

Veröffentlichungsnummer WO/2020/126784
Veröffentlichungsdatum 25.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/084799
Internationales Anmeldedatum 12.12.2019
IPC
B28D 5/00 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
28Ver- bzw. Bearbeiten von Zement, Ton oder Stein
DBearbeiten von Stein oder steinähnlichen Werkstoffen
5Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen, Kristallen, z.B. von Halbleiter-Werkstoff; Vorrichtungen hierfür
B28D 5/04 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
28Ver- bzw. Bearbeiten von Zement, Ton oder Stein
DBearbeiten von Stein oder steinähnlichen Werkstoffen
5Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen, Kristallen, z.B. von Halbleiter-Werkstoff; Vorrichtungen hierfür
04durch andere nicht rotierende Werkzeuge z.B. hin- und hergehende Werkzeuge
B23D 59/00 2006.01
BArbeitsverfahren; Transportieren
23Werkzeugmaschinen; Metallbearbeitung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
DHobeln; Stoßen; Scheren; Räumen; Sägen; Feilen; Schaben; ähnliche spanabhebende Metallbearbeitungsvorgänge, soweit nicht anderweitig vorgesehen
59Zubehör für Sägemaschinen oder Sägevorrichtungen
Anmelder
  • SILTRONIC AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • BEYER, Axel
  • FRINTERT, Carl
  • WIESNER, Peter
  • GMACH, Wolfgang
  • KREUZEDER, Robert
Vertreter
  • STAUDACHER, Wolfgang
Prioritätsdaten
10 2018 221 921.417.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHEIBEN MITTELS EINER DRAHTSÄGE
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR WAFERS USING A WIRE SAW
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN D’UNE SCIE À FIL
Zusammenfassung
(DE)
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus einem Werkstück durch Bearbeiten des Werkstücks mittels einer Drahtsäge, umfassend das Zustellen des Werkstücks durch eine Anordnung von Drähten, die zwischen Drahtführungsrollen gespannt sind und sich in eine Laufrichtung bewegen; das Erzeugen von Schnittspalten beim Eingriff der Drähte in das Werkstück; das Ermitteln einer Fehllage der Schnittspalte; und das Herbeiführen einer Ausgleichsbewegung des Werkstücks in Abhängigkeit der ermittelten Fehllage entlang einer Längsachse des Werkstücks während des Zustellens des Werkstücks durch die Anordnung von Drähten.
(EN)
The invention relates to a method for producing semiconductor wafers from a workpiece by machining the workpiece using a wire saw, having the steps of feeding the workpiece through an assembly of wires which are stretched between wire guide rollers and move in a running direction; producing cutting gaps when engaging the wires into the workpiece; ascertaining an incorrect position of the cutting gaps; and carrying out a compensating movement of the workpiece along the longitudinal axis of the workpiece on the basis of the ascertained incorrect position when feeding the workpiece through the assembly of wires.
(FR)
L’invention concerne un procédé de fabrication de tranches de semi-conducteur à partir d’une pièce, par usinage de ladite pièce au moyen d’une scie à fil, ledit procédé comprenant les étapes suivantes: faire passer une pièce par un agencement de fils qui sont tendus entre des rouleaux de guidage de fils et se déplacent dans une direction d’avancement, produire des jeux de coupe lors de l’entrée des fils dans la pièce, déterminer une mauvaise position des jeux de coupe; et effectuer un mouvement de compensation de la pièce en fonction de la mauvaise position déterminée le long d’un axe longitudinal pendant le passage de la pièce par l’agencement de fils.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten