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1. WO2020126316 - NIEDERINDUKTIVE VERBINDUNGSVORRICHTUNG ZUM VERBINDEN EINES HALBLEITERMMODULS UND EINES ZWISCHENKREISKONDENSATORS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/126316
Veröffentlichungsdatum 25.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/082337
Internationales Anmeldedatum 25.11.2019
IPC
H01L 25/07 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
H02M 7/00 2006.01
HElektrotechnik
02Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
MAnlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
7Umformung von Wechselstrom in Gleichstrom; Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom
H01G 4/228 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
GKondensatoren; Kondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs
4Festkondensatoren; Verfahren zu ihrer Herstellung
002Einzelheiten
228Anschlüsse
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • FLAMM, Gunter
  • MAERCKER, Michael
  • ARENZ, Christine
  • SCHUETZ, Reiner
Prioritätsdaten
10 2018 222 017.418.12.2018DE
10 2019 202 777.601.03.2019DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) NIEDERINDUKTIVE VERBINDUNGSVORRICHTUNG ZUM VERBINDEN EINES HALBLEITERMMODULS UND EINES ZWISCHENKREISKONDENSATORS
(EN) LOW-INDUCTANCE CONNECTING DEVICE FOR CONNECTING A SEMICONDUCTOR MODULE AND AN INTERMEDIATE CIRCUIT CAPACITOR
(FR) DISPOSITIF DE CONNEXION À FAIBLE INDUCTANCE POUR CONNECTER UN MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET UN CONDENSATEUR DE CIRCUIT INTERMÉDIAIRE
Zusammenfassung
(DE)
Niederinduktive Verbindungsvorrichtung (10), zum Verbinden eines Halbleitermoduls (20) mit einem Zwischenkreiskondensator (30) umfassend mindestens einen ersten Kontaktbereich (11a) und einen dem ersten Kontaktbereich (11a) gegenpoligen zweiten Kontaktbereich (12), die eingerichtet sind, das Halbleitermodul (20) zu kontaktieren, mindestens einen dem ersten Kontaktbereich (11a) gleichpoligen dritten Kontaktbereich (13a) und einen dem dritten Kontaktbereich (13a) gegenpoligen vierten Kontaktbereich (14), die eingerichtet sind, den Zwischenkreiskondensator (30) zu kontaktieren, mindestens einen ersten Verbindungsbereich (15a), der eingerichtet ist, den ersten Kontaktbereich (11a) und den dritten Kontaktbereich (13a) miteinander zu verbinden, mindestens einen zweiten Verbindungsbereich (16a); der eingerichtet ist, den zweiten Kontaktbereich (12) und denvierten Kontaktbereich (14) miteinander zu verbinden, wobei der erste Verbindungsbereich (15a) und der zweite Verbindungsbereich (16a) jeweils als voneinander getrennte planare Busbar ausgebildet ist.
(EN)
Low-inductance connecting device (10) for connecting a semiconductor module (20) to an intermediate circuit capacitor (30), comprising at least one first contact region (11a) and one second contact region (12) which has opposite polarity to the first contact region (11a), which first and second contact region are designed to make contact with the semiconductor module (20), at least one third contact region (13a) which has the same polarity as the first contact region (11a) and one fourth contact region (14) which has opposite polarity to the third contact region (13a), which third and fourth contact regions are designed to make contact with the intermediate circuit capacitor (30), at least one first connecting region (15a) which is designed to connect the first contact region (11a) and the third contact region (13a) to one another, and at least one second connecting region (16a) which is designed to connect the second contact region (12) and the fourth contact region (14) to one another, wherein the first connecting region (15a) and the second connecting region (16a) are each designed as planar busbars which are separate from one another.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de connexion (10) à faible inductance, pour connecter un module semi-conducteur (20) à un condensateur de circuit intermédiaire (30) contenant au moins une première zone de contact (11a) et une deuxième zone de contact (12) opposée à la première zone de contact (11a) conçues pour joindre le module semi-conducteur (20), au moins une troisième zone de contact (13a) également opposée à la première zone de contact (11a) et une quatrième zone de contact (14) opposée à la troisième zone de contact (13a) conçues pour joindre le condensateur de circuit intermédiaire (30), au moins une première zone de connexion (15a) conçue pour relier la première zone de contact (11a) et la troisième zone de contact (13a), au moins une deuxième zone de connexion (16a) conçue pour relier la deuxième zone de contact (12) et la quatrième zone de contact (14). La première zone de connexion (15a) et la deuxième zone de connexion (16a) sont chacune réalisées sous la forme d’une barre omnibus plane séparée l’une de l’autre.
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