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1. WO2020125932 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM

Veröffentlichungsnummer WO/2020/125932
Veröffentlichungsdatum 25.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2018/085306
Internationales Anmeldedatum 17.12.2018
IPC
C01B 33/035 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
01Anorganische Chemie
BNichtmetallische Elemente; deren Verbindungen
33Silicium; dessen Verbindungen
02Silicium
021Herstellung
027durch Zersetzung oder Reduktion von gasförmigen oder dampfförmigen Siliciumverbindungen außer Siliciumdioxid oder Material, das Siliciumdioxid enthält
035durch Zersetzung oder Reduktion von gasförmigen oder dampfförmigen Siliciumverbindungen in Gegenwart erhitzter Filamente von Silicium, Kohlenstoff oder einem hochtemperaturbeständigen Metall, z.B. Tantal oder Wolfram, oder in Gegenwart von erhitzten Siliciumstäben, auf welche das geformte Silicium aufgebracht wird, wobei ein Siliciumstab erhalten wird, z.B. Siemens-Verfahren
Anmelder
  • WACKER CHEMIE AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • WENZEIS, Markus
Vertreter
  • BELZ, Ferdinand
  • BITTERLICH, Bianca
  • BUDCZINSKI, Angelika
  • DEFFNER-LEHNER, Maria
  • EGE, Markus
  • FRÄNKEL, Robert
  • FRITZ, Helmut
  • MAI, Marit
  • MIESKES, Klaus
  • POTTEN, Holger
  • RIMBÖCK, Karl-Heinz
  • SCHUDERER, Michael
Prioritätsdaten
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM
(EN) PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Zusammenfassung
(DE)
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium in einem Gasphasenabscheidungsreaktor, wobei außerhalb des Reaktors an zumindest einer Position wenigstens eines Reaktorbauteils Schwingungen des Reaktors mit einer Messvorrichtung gemessen und gegebenenfalls aufgezeichnet werden. Ferner ist Gegenstand der Erfindung ein Reaktor zur Durchführung des Verfahrens.
(EN)
The invention relates to a process for producing polycrystalline silicon in a gas phase deposition reactor, vibrations of the reactor being measured by a measuring device outside the reactor in at least one position of at least one reactor component and optionally being recorded. The invention further relates to a reactor for carrying out the process.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin dans un réacteur de dépôt en phase vapeur, les oscillations du réacteur étant mesurées et éventuellement enregistrées au moyen d'un dispositif de mesure à l'extérieur du réacteur, en au moins un emplacement d'au moins un composant du réacteur. L'invention concerne en outre un réacteur pour la mise en oeuvre dudit procédé.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten