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1. WO2020120735 - VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER HETEROSTRUKTUR UND NACH DEM VERFAHREN ABGESCHIEDENE HETEROSTRUKTUR

Veröffentlichungsnummer WO/2020/120735
Veröffentlichungsdatum 18.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/085073
Internationales Anmeldedatum 13.12.2019
IPC
C30B 25/18 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
18gekennzeichnet durch das Substrat
C30B 29/40 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
10Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen
40AIIIBV-Verbindungen
CPC
C30B 25/183
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
183being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
Anmelder
  • AIXTRON SE [DE]/[DE]
Erfinder
  • FAHLE, Dirk
  • MARX, Matthias
Vertreter
  • GRUNDMANN, Dirk
  • MÜLLER, Enno
  • BRÖTZ, Helmut
  • BOURREE, Hendrik
Prioritätsdaten
10 2018 132 263.114.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER HETEROSTRUKTUR UND NACH DEM VERFAHREN ABGESCHIEDENE HETEROSTRUKTUR
(EN) METHOD FOR DEPOSITING A HETEROSTRUCTURE, AND HETEROSTRUCTURE DEPOSITED ACCORDING TO THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT D'UNE HÉTÉROSTRUCTURE ET HÉTÉROSTRUCTURE DÉPOSÉE SELON LE PROCÉDÉ
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer Heterostruktur aus insbesondere einkristallinen Schichten, wobei auf eine auf einem Substrat (S) aufgebrachte Nukleationsschicht (N) als Bufferschicht eine Vielzahl von aus einer ersten Schicht (A) und einer insbesondere dickeren zweiten Schicht (B) bestehende, aufgrund unterschiedlicher Gitterkonstanten der ersten und zweiten Schichten (A, B) lateral zug- und druckverspannte Schichtenpaare derart abgeschieden werden, dass die Verspannung der zweiten Schicht (B) mit zunehmender Anzahl der Schichtenpaare als Folge einer Relaxation abnimmt. Um den Folgen der Relaxation der zweiten Schicht (B) entgegenzuwirken wird vorgeschlagen, dass nach zumindest fünf Schichtenpaaren eine der zweiten Schicht (B) entgegenverspannte Zwischenschicht (C) abgeschieden wird, die mindestens fünfmal so dick wie die erste Schicht (A) ist und deren Verspannung mit zunehmender Schichtdicke als Folge einer Relaxation abnimmt.
(EN)
The invention relates to a method for depositing a heterostructure made of monocrystalline layers in particular. A plurality of layer pairs, which consist of a first layer (A) and an in particular thicker second layer (B) and which are strained laterally under tension or compression on the basis of different lattice constants of the first and second layer (A, B), are deposited onto a nucleation layer (N), in the form of a buffer layer, which is applied onto a substrate (S), such that the strain on the second layer (B) decreases as the number of layer pairs increases as a result of a relaxation. In order to counteract the relaxation of the second layer (B), an intermediate layer (C) which counter strains the second layer (B) is deposited after at least five layer pairs, wherein the intermediate layer is at least five times as thick as the first layer (A), and the strain on the intermediate layer decreases as the layer thickness increases as a result of a relaxation.
(FR)
L'invention concerne un procédé de dépôt d'une hétérostructure composée de couches en particulier monocristallines, une pluralité de paires de couches constituées d'une première couche (A) et d'une seconde couche (B) en particulier plus épaisse, et soumises à une contrainte de traction ou de compression latéralement en raison de la différence des constantes de réseau entre les première et seconde couches (A, B), étant déposées sur une couche de nucléation (N) appliquée sur un substrat (S) en tant que couche tampon, de façon à ce que la contrainte de la seconde couche (B) diminue proportionnellement à l'augmentation du nombre des paires de couches à la suite d'une relaxation. Selon l'invention, afin de contrecarrer les effets de la relaxation de la seconde couche (B), une couche intermédiaire (C) soumise à une contrainte opposée par rapport à la seconde couche (B) est déposée après au moins cinq paires de couches, la couche intermédiaire étant au moins cinq fois plus épaisse que la première couche (A), et sa contrainte diminuant proportionnellement à l'augmentation de l'épaisseur de couche à la suite d'une relaxation.
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