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1. WO2020120578 - SUBSTRATHALTER ZUR VERWENDUNG IN EINEM CVD-REAKTOR

Veröffentlichungsnummer WO/2020/120578
Veröffentlichungsdatum 18.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/084649
Internationales Anmeldedatum 11.12.2019
IPC
C23C 16/458 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
458gekennzeichnet durch die Art der Substrat-Halterung im Reaktionsraum
C30B 25/12 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
12Substrathalter oder -träger
H01L 21/687 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683zum Aufnehmen oder Greifen
687mit mechanischen Mitteln, z.B. Halte-, Klemm- oder Pressvorrichtungen
CPC
C23C 16/4583
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
4583the substrate being supported substantially horizontally
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
H01L 21/6875
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
6875characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
H01L 21/68764
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68764characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Anmelder
  • AIXTRON SE [DE]/[DE]
Erfinder
  • RUDA Y WITT, Francisco
  • KOLLBERG, Marcel
  • SCHÖN, Oliver
Vertreter
  • GRUNDMANN, Dirk
  • MÜLLER, Enno
  • BRÖTZ, Helmut
  • BOURREE, Hendrik
Prioritätsdaten
10 2018 131 987.812.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) SUBSTRATHALTER ZUR VERWENDUNG IN EINEM CVD-REAKTOR
(EN) SUBSTRATE HOLDER FOR USE IN A CVD REACTOR
(FR) PORTE-SUBSTRAT DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS UN RÉACTEUR CVD
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Verwendung in einem CVD-Reaktor (1), aufweisend einen Substrathalter (10) mit mindestens drei aus einer Breitseitenfläche (12) entspringenden Tragvorsprüngen (13), die in einer gemeinsamen Ebene liegende Tragflächen (14) mit einem kreisäquivalenten ersten Durchmesser (D1) aufweisen und die derart angeordnet sind, dass eine Zentralzone (Z) eines Substrates (17), die von einer sich auf den Tragflächen (14) abstützenden Randzone (R) umgeben ist, einen Abstand (a) zur Breitseitenfläche (12) aufweist. Die Tragvorsprünge (13) können unmittelbar am Rand der Breitseitenfläche (12) oder in einem Randstreifen mit einer radialen Erstreckung von 600 μm angeordnet sein. Ferner können die Tragvorsprünge (13) mehrstufig ausgebildet sein.
(EN)
The invention relates to an apparatus for use in a CVD reactor (1), having a substrate holder (10) having at least three support protrusions (13) arising from a broadside face (12), which have support faces (14) lying in a common plane and having a circle-equivalent first diameter (D1) and which are arranged such that a central zone (Z) of a substrate (17), which is surrounded by an edge zone (R) supported on the support faces (14), has a distance (a) from the broadside face (12). According to the invention, the support protrusions (13) can be arranged directly on the edge of the broadside face (12) or in an edge strip having a radial extension of 600 μm. The support protrusions (13) can furthermore be multilevel.
(FR)
L'invention concerne un dispositif destiné à être utilisé dans un réacteur CVD (1), présentant un porte-substrat (10) comportant au moins trois saillies porteuses (13) dépassant d'une surface à côté large (12), lesquelles saillies porteuses présentent des surfaces porteuses (14) se trouvant dans un plan commun et comportant un premier diamètre (D1) équivalent à un cercle, et sont agencées de façon à ce qu'une zone centrale (Z) d'un substrat (17), qui est entourée par une zone de bord (R) reposant contre les surfaces porteuses (14), présente une distance (a) par rapport à la surface à côté large (12). Les saillies porteuses (13) peuvent être directement agencées sur le bord de la surface à côté large (12) ou dans une bande de bord comportant une extension radiale de 600 μm. En outre, les saillies porteuses (13) peuvent être formées de manière étagée.
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