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1. WO2020120577 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EPITAXIERTEN HALBLEITERSCHEIBE

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer definierten

Oberflächenrauigkeit einer epitaktisch abgeschiedenen Schicht, umfassend folgende Schritte in der angegebenen Reihenfolge:

1 ) Auflegen einer Halbleiterscheibe auf einen sich in der Kammer eines Epitaxie- Reaktors befindlichen Suszeptors;

2) Erwärmen der Reaktorkammer;

3) Spülen der Reaktorkammer mit Wasserstoff;

4) Einleiten eines Wasserstoff-Chlorwasserstoff-Gemisches in die

Reaktorkammer;

5) Epitaktische Beschichtung der Halbleiterscheibe durch die Zersetzung eines Gases bei einer Abscheidetemperatur T von mehr als 1 100°C;

6) Abkühlen der Reaktorkammer auf eine Entladetemperatur, dadurch

gekennzeichnet, dass die Abkühlrate CR zwischen 1 100°C und 1060°C kleiner 3 K/s beträgt und

7) Einleiten von Wasserstoff mit einem Wasserstofffluss fH2 in den Reaktorraum, dadurch gekennzeichnet, dass der Wasserstofffluss fH2 der Relation fH2 < A x CR + B genügt, wobei der Zahlenwert A=5,08 und der Zahlenwert B = 8,71 betragen.

2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Wasserstofffluss fH2 der Relation fH2 < A x CR + B genügt und der Zahlenwert von B = 1 ,65 beträgt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Wasserstofffluss fH2 der Relation fH2 < A x CR + B genügt und der Zahlenwert von B = -5,39 beträgt.