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1. WO2020120577 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EPITAXIERTEN HALBLEITERSCHEIBE

Veröffentlichungsnummer WO/2020/120577
Veröffentlichungsdatum 18.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/084648
Internationales Anmeldedatum 11.12.2019
IPC
C30B 25/02 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02Epitaktisches Schichtenwachstum
C30B 29/06 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
02Elemente
06Silicium
C30B 33/12 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
33Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur
08Ätzen
12in Gasatmosphäre oder Plasma
H01L 21/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
CPC
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 33/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
08Etching
12in gas atmosphere or plasma
H01L 21/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Anmelder
  • SILTRONIC AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • HAGER, Christian
  • MAY, Katharina
Vertreter
  • STAUDACHER, Wolfgang
Prioritätsdaten
10 2018 221 605.313.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EPITAXIERTEN HALBLEITERSCHEIBE
(EN) PROCESS FOR MANUFACTURING AN EPITAXIAL SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR PAR ÉPITAXIE
Zusammenfassung
(DE)
Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe, wobei die Oberflächenrauigkeit der epitaktisch abgeschiedenen Schicht während des Abkühlvorgangs in der Reaktorkammer gezielt durch den eingeleiteten Wasserstoffstrom und gleichzeitig durch die Abkühlrate beim Abkühlen eingestellt wird.
(EN)
Disclosed is a process for manufacturing an epitaxial semiconductor wafer, wherein during the cooling process in the reaction chamber, the surface roughness of the epitaxially deposited layer is specifically adjusted using the introduced hydrogen stream and simultaneously using the cooling speed during the cooling process.
(FR)
Procédé de fabrication d'une plaquette de semi-conducteur par épitaxie, la rugosité de surface de la couche déposée par épitaxie étant réglée pendant le processus de refroidissement dans la chambre de réacteur de manière ciblée en agissant simultanément sur le flux d'hydrogène introduit et sur la vitesse de refroidissement lors du refroidissement.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten