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1. WO2020120299 - VERFAHREN ZUM ANALYSIEREN EINES GASGEMISCHES UND GASSENSOR

Veröffentlichungsnummer WO/2020/120299
Veröffentlichungsdatum 18.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/083929
Internationales Anmeldedatum 06.12.2019
IPC
G01N 27/12 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
NUntersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
27Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Anwendung elektrischer, elektrochemischer oder magnetischer Mittel
02durch ermitteln der Impedanz
04durch Untersuchen des Widerstandes
12eines festen Körpers in Abhängigkeit von der Absorption einer Flüssigkeit; eines festen Körpers in Abhängigkeit von der Reaktion mit einem fließfähigen Medium
G01N 33/00 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
NUntersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
33Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch spezifische Methoden, soweit sie nicht von den Gruppen G01N1/-G01N31/153
CPC
G01N 27/124
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
02by investigating the impedance of the material
04by investigating resistance
12of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid ; , for detecting components in the fluid
122Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
123for controlling the temperature
124varying the temperature, e.g. in a cyclic manner
G01N 33/0044
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
33Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
0027concerning the detector
0036Specially adapted to detect a particular component
0044for H2S, sulfides
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • NOLTE, Philipp
  • MARTINEZ PRADA, Maria
  • LUCKERT, Katrin
Prioritätsdaten
10 2018 221 760.214.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM ANALYSIEREN EINES GASGEMISCHES UND GASSENSOR
(EN) METHODS FOR ANALYSING A GAS MIXTURE AND GAS SENSOR
(FR) PROCÉDÉ D'ANALYSE D'UN MÉLANGE GAZEUX ET CAPTEUR DE GAZ
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Analysieren eines Gasgemisches, in dem eine Schicht, die zur Adsorption und/oder Absorption von Bestandteilen des Gasgemisches eingerichtet ist, dem Gasgemisch ausgesetzt wird. Esumfasst ein Abkühlender Schicht von einer ersten Temperatur (T ) auf eine zweite Temperatur (T 2 ) und ein Erwärmen der Schichtvon der zweiten Temperatur (T 2 ) 10 auf eine dritte Temperatur (T 3 ). Während die Schicht jeweils die erste Temperatur (T ), die zweite Temperatur (T 2 ) und die dritte Temperatur (T 3 ) aufweist, wird jeweils mindestens ein elektrischer Widerstandswert (R) der Schicht gemessen. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren, in demeine erste Schicht und eine zweite Schichtdem Gasgemisch ausgesetzt werden. Die erste Schichtwird1 von einer ersten Temperatur (T ) auf eine zweite Temperatur (T 2 )abgekühltund diezweite Schicht von einer dritten Temperatur (T 3 ) auf eine vierte Temperatur (T 4 )abgekühlt. Die erste Temperatur (T ) unterscheidet sich von der dritten Temperatur (T 3 ) und/oder die zweite Temperatur (T 2 ) unterscheidet sich von der vierten Temperatur (T 4 ). Während die erste Schicht jeweils die erste Temperatur 20 (T ) und die zweite Temperatur (T 2 ) aufweist und die zweite Schicht jeweils die dritte Temperatur (T 3 ) und die vierte Temperatur aufweist, wird jeweils mindestens ein elektrischer Widerstandswert (R)der jeweiligen Schicht gemessen. Die Bestandteile des Gasgemisches werden in beiden Verfahren anhand der Widerstandswerte (R) analysiert.2 (Fig. 3)
(EN)
The invention relates to a method for analysing a gas mixture, in which a layer, designed for the adsorption and/or absorption of components of the gas mixture, is exposed to the gas mixture. The method comprises a cooling of the layer from a first temperature (T) to a second temperature (T2) and a heating of the layer from the second temperature (T2) to a third temperature (T3). While the layer is respectively the first temperature (T), the second temperature (T2) and the third temperature (T3), at least one respective electrical resistance value (R) of the layer is measured. The invention also relates to a method in which a first layer and a second layer are exposed to the gas mixture. The first layer is cooled from a first temperature (T) to a second temperature (T2) and the second layer is cooled from a third temperature (T3) to a fourth temperature (T4). The first temperature (T) differs from the third temperature (T3) and/or the second temperature (T2) differs from the fourth temperature (T4). While the first layer is respectively the first temperature (T) and the second temperature (T2) and the second layer is respectively the third temperature (T3) and the fourth temperature, at least one respective electrical resistance value (R) of the respective layer is measured. The components of the gas mixture are analysed in both methods on the basis of the resistance values (R).
(FR)
L'invention concerne un procédé d'analyse d'un mélange gazeux, dans lequel une couche est exposée au mélange gazeux, laquelle couche est conçue pour l'adsorption et/ou l'absorption de constituants du mélange gazeux. Le procédé comprend un refroidissement de la couche à partir d'une première température (T) à une deuxième température (T2), et un chauffage de la couche à partir d'une deuxième température (T2) à une troisième température (T3). Pendant que la couche présente respectivement la première température (T), la deuxième température (T2) et la troisième température (T3), au moins une valeur de résistance (R) électrique de la couche est mesurée. L'invention concerne également un procédé dans lequel une première couche et une seconde couche sont exposées au mélange gazeux. La première couche est refroidie à partir d'une première température (T) à une deuxième température (T2), et la seconde couche est refroidie à partir d'une troisième température (T3) à une quatrième température (T4). La première température (T) est différente de la troisième température (T3) et/ou la deuxième température (T2) est différente de la quatrième température (T4). Pendant que la première couche présente respectivement la première température (T) et la deuxième température (T2) et que la seconde couche présente respectivement la troisième température (T3) et la quatrième température (T4), au moins une valeur de résistance (R) électrique de la couche respective est mesurée. Les constituants du mélange gazeux sont analysés dans les deux procédés en fonction des valeurs de résistance (R).
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