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1. WO2020120298 - SUSZEPTOR EINES CVD-REAKTORS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/120298
Veröffentlichungsdatum 18.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/083925
Internationales Anmeldedatum 06.12.2019
IPC
C23C 16/458 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
458gekennzeichnet durch die Art der Substrat-Halterung im Reaktionsraum
C23C 16/44 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
44gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
H01L 21/687 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683zum Aufnehmen oder Greifen
687mit mechanischen Mitteln, z.B. Halte-, Klemm- oder Pressvorrichtungen
CPC
C23C 16/4584
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
4583the substrate being supported substantially horizontally
4584the substrate being rotated
C23C 16/4585
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
4583the substrate being supported substantially horizontally
4585Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
H01L 21/67103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67103mainly by conduction
H01L 21/6838
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6838with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
H01L 21/68764
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68764characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
H01L 21/68771
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68771characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Anmelder
  • AIXTRON SE [DE]/[DE]
Erfinder
  • KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas
  • LAUFFER, Peter Sebald
Vertreter
  • GRUNDMANN, Dirk
  • MÜLLER, Enno
  • BRÖTZ, Helmut
  • BOURREE, Hendrik
Prioritätsdaten
10 2018 131 751.411.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) SUSZEPTOR EINES CVD-REAKTORS
(EN) SUSCEPTOR OF A CVD REACTOR
(FR) SUSCEPTEUR D'UN RÉACTEUR CVD
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft einen Suszeptor für einen CVD-Reaktor mit einer Lagerfläche (7) zur Lagerung eines Substrathalters (2). In eine innere Radialzone (11) wird ein Trägergas eingespeist, um einen über der Lagerfläche (7) gelagerten Substrathalter (2) in der Schwebe zu halten. Das in die innere Radialzone (11) eingespeiste Gas tritt aus Ableitkanälen (6) aus der zweiten Radialzone (12) und zu einem geringen Teil aus einem die zweite Radialzone (12) umgebenden, einer dritten Radialzone (13) zugeordneten Spalt (9) aus. Die Querschnittsfläche der Ableitkanäle (6) und die radiale Länge des Spaltes (9) sind so dimensioniert, dass der Gasvolumenstrom durch die Gasableitung (6) größer ist als durch den Spalt (9), wenn dieser eine Spalthöhe von 200 μm aufweist.
(EN)
The invention relates to a susceptor for a CVD reactor with a bearing surface (7) for supporting a substrate holder (2). A carrier gas is fed into an inner radial zone (11), in order to floatingly cushion a substrate holder (2) supported above the bearing surface (7). The gas fed into the inner radial zone (11) leaves the second radial zone (12) through discharge channels (6) and to a slight extent through a gap (9) surrounding the second radial zone (12) and assigned to a third radial zone (13). The cross-sectional area of the discharge channels (6) and the radial length of the gap (9) are dimensioned such that the volumetric flow of the gas through the gas discharge conduit (6) is greater than through the gap (9) if the latter has a gap height of 200 µm.
(FR)
L'invention concerne un suscepteur pour un réacteur CVD doté d'une surface d'appui (7) pour l'appui d'un support de substrat (2). Un gaz support est injecté dans une zone radiale interne (11), pour maintenir en suspens un support de substrat (2) appuyé sur la surface d'appui (7). Le gaz injecté dans la zone radiale interne (11) sort par des canaux de dérivation (6) de la deuxième zone radiale (12) et en une faible proportion par une fente (9) associée à une troisième zone radiale (13) entourant la deuxième zone radiale (12). La surface de section transversale des canaux de dérivation (6) et la longueur radiale de la fente (9) sont dimensionnées de telle manière, que le débit du gaz à travers la conduite de gaz (6) est plus grand qu'à travers la fente (9), lorsque celle-ci présente une hauteur de fente de 200 µm.
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