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1. WO2020120150 - METALLORGANISCHE VERBINDUNGEN

Veröffentlichungsnummer WO/2020/120150
Veröffentlichungsdatum 18.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/082892
Internationales Anmeldedatum 28.11.2019
IPC
C07F 11/00 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
07Organische Chemie
FAcyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
11Verbindungen, die Elemente der Gruppen 6 oder 16 des Periodensystems enthalten
C23C 16/34 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
23Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
CBeschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase
22gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
30Abscheiden von Verbindungen, Gemischen oder festen Lösungen, z.B. von Boriden, Carbiden, Nitriden
34von Nitriden
H01L 21/768 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
768Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen
CPC
C07F 11/005
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
11Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic System
005compounds without a metal-carbon linkage
C23C 16/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
34Nitrides
C23C 16/45553
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45523Pulsed gas flow or change of composition over time
45525Atomic layer deposition [ALD]
45553characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
Anmelder
  • UMICORE AG & CO. KG [DE]/[DE]
Erfinder
  • PULZ, Susanne
  • SUNDERMEYER, Joerg
  • RIVAS NASS, Andreas
  • BRIEL, Oliver
  • KARCH, Ralf
  • SCHORN, Wolf
  • FREY, Annika
  • DOPPIU, Angelino
  • WOERNER, Eileen
Prioritätsdaten
18212064.212.12.2018EP
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) METALLORGANISCHE VERBINDUNGEN
(EN) ORGANOMETALLIC COMPOUNDS
(FR) COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft eine zweistufige Synthese zur Herstellung von Bis {tertbutylimido)bis(dialkylamido)wolfram-Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel [W(NtBu)2(NRARB)2] (I) betrifft, ausgehend von [W(NtBu)2(NHtBu)2], Die Erfindung betrifft weiterhin Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel [W(NtBu)2(NRARB)2] (I), erhältlich nach dem beanspruchten Verfahren, Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel [W(NtBu)2(NRARB)2] (I), mit Ausnahme von [W(NtBu)2(NMe2)2] und [W(NtBu)2(NEtMe)2], die Verwendung einer Verbindung [W(NtBu)2(NRARB)2] (I) sowie ein Substrat, welches auf einer Oberfläche eine Wolfram-Schicht oder eine Wolfram enthaltende Schicht aufweist. Mit dem beschriebenen Verfahren sind definierte Bis {tertbutylimido)bis(dialkylamido)wolfram-Verbindungen des Typs [W(NtBu)2(NRARB)2] (I) auf einfache, kostengünstige und reproduzierbare Weise in hoher Reinheit und guten Ausbeuten darstellbar. Sie eignen sich aufgrund ihrer hohen Reinheit als Präkursoren zur Herstellung qualitativ hochwertiger Substrate, welche Wolfram-Schichten oder Wolfram enthaltende Schichten aufweisen.
(EN)
The invention relates to a two-stage synthesis for the production of bis(tertbutylimido)bis(dialkylamido)tungsten compounds according to the general formula [W(NtBu)2(NRARB)2] (I), starting from [W(NtBu)2(NHtBu)2]. The invention also relates to compounds according to the general formula [W(NtBu)2(NRARB)2] (I), obtainable according to the claimed method, compounds according to general formula [W(NtBu)2(NRARB)2] (I), with the exception of [W(NtBu)2(NMe2)2] and [W(NtBu)2(NEtMe)2], the use of a compound [W(NtBu)2(NRARB)2] (I), and a substrate which, on a surface, has a tungsten layer or a tungsten-containing layer. Defined bis(tertbutylimido)bis(dialkylamido)tungsten compounds of the type [W(NtBu)2(NRARB)2] (I) can be produced easily, economically and reproducibly in high purity and good yields by means of the described method. On account of their high purity, the compounds are suitable for producing high-quality substrates which have tungsten layers or tungsten-containing layers.
(FR)
L'invention concerne une synthèse en deux phases pour fabriquer des composés de tungstène bis(tertbutylimido)bis(dialkylamido) selon la formule générale [W(NtBu)2(NRARB)2] (I) en partant de [W(NtBu)2(NHtBu)2]. L'invention concerne par ailleurs des composés selon la formule générale [W(NtBu)2(NRARB)2] (I) pouvant être obtenus selon le procédé revendiqué, des composés selon la formule générale [W(NtBu)2(NRARB)2] (I) à l'exception de [W(NtBu)2(NMe2)2] et [W(NtBu)2(NEtMe)2], l'utilisation d'un composé [W(NtBu)2(NRARB)2] (I), ainsi qu'un substrat, lequel comporte sur une surface une couche de tungstène ou une couche contenant du tungstène. Le procédé décrit permet de proposer des composés de tungstène bis(tertbutylimido)bis(dialkylamido)définis du type [W(NtBu)2(NRARB)2] (I) en toute simplicité, avec peu de coûts et de manière reproductible avec une pureté élevée et un bon rendement. Ces composés conviennent, en raison de leur pureté élevée, en tant que précurseurs pour la fabrication de substrats de qualité supérieure, lesquels comportent des couches de tungstène ou des couches contenant du tungstène.
Auch veröffentlicht als
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