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1. WO2020120137 - OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/120137
Veröffentlichungsdatum 18.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/082725
Internationales Anmeldedatum 27.11.2019
IPC
H01L 33/64 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
64Bestandteile zur Wärmeableitung oder zum Kühlen
H01S 5/042 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
04Verfahren oder Geräte zur Anregung, z.B. zum Pumpen
042Elektrische Anregung
H01S 5/022 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
H01S 5/024 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
024Kühlanordnungen
H01S 5/22 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
20Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
22mit einer Kammstruktur oder einer Streifenstruktur
CPC
H01L 2933/0066
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0066relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
H01L 2933/0075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0075relating to heat extraction or cooling elements
H01L 33/642
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
64Heat extraction or cooling elements
642characterized by the shape
H01L 33/647
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
64Heat extraction or cooling elements
647the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
H01S 5/02268
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02236Mounts or sub-mounts
02256Details of fixing the laser diode on the mount
02268Positioning, e.g. using marks for positioning of the laser diode
H01S 5/02469
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Cooling arrangements
02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • GERHARD, Sven
  • SOMERS, André
  • KÖNIG, Harald
  • ALI, Muhammad
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 131 579.110.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit: - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, und - einer metallischen Schicht (3), die auf dem Halbleiterchip (2) angeordnet ist, wobei - eine Außenfläche der metallischen Schicht (4) eine Strukturierung (5) aufweist, - mittels der Strukturierung (5) eine Identifikation des Bauteils (1) ermöglicht ist, und - die metallische Schicht (3) zusammenhängend ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.
(EN)
Disclosed is an optoelectronic component (1), comprising: - an optoelectronic semiconductor chip (2) which generates electromagnetic radiation during operation, and - a metallic layer (3) provided on the semiconductor chip (2), wherein - an outer surface of the metallic layer (4) has patterning (5), - the component (1) can be identified by means of the patterning (5), and - the metallic layer (3) is continuous. Also disclosed is a method for producing an optoelectronic component (1).
(FR)
La présente invention concerne un composant optoélectronique (1) qui comprend : - une puce semi-conductrice optoélectronique (2) qui produit, en service, un rayonnement électromagnétique ; et - une couche métallique (3) qui est disposée sur la puce semi-conductrice (2). Une surface externe de la couche métallique (4) comprend une structuration (5) ; la structuration (5) rend possible une identification du composant (1) ; et la couche métallique (3) est formée d’un seul tenant. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un composant optoélectronique (1).
Auch veröffentlicht als
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