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1. WO2020115226 - OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/115226
Veröffentlichungsdatum 11.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/083855
Internationales Anmeldedatum 05.12.2019
IPC
H01L 33/22 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
22Aufgeraute Oberflächen, z.B. an der Grenzfläche zwischen epitaktischen Schichten
H01L 33/38 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36charakterisiert durch die Elektroden
38mit besonderer Form
H01L 33/44 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
H01L 33/46 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
46Reflektierende Beschichtungen, z.B. dielektrische Bragg-Reflektoren
CPC
H01L 2933/0091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/382
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
382the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • VARGHESE, Tansen
  • SCHMID, Wolfgang
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 131 411.607.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Strahlungsseite (10), einer ersten Halbleiterschicht (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht (13), einer zweiten Halbleiterschicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Rückseite (14), die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Die aktive Schicht erzeugt oder absorbiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung. Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine erste Kontaktstruktur (31) und eine zweite Kontaktstruktur (32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge. Die zweite Kontaktstruktur ist auf der Rückseite angeordnet und steht in elektrischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht. Die Strahlungsseite ist zum Einkoppeln oder Auskoppeln der Primärstrahlung in oder aus der Halbleiterschichtenfolge eingerichtet. Die Rückseite ist strukturiert und umfasst Streustrukturen (410), die zur Streuung und Umlenkung der Primärstrahlung eingerichtet sind.
(EN)
The invention relate to an optoelectronic semiconductor chip (100), which, in at least one embodiment, comprises a semiconductor layer sequence (1) having a radiation side (11) of a first conductivity type, an active layer (13), a second semi-conductor layer (12) of a second conductivity type, and a rear side (14), which are arranged one above the other in this sequence. During normal operation, the active layer generates or absorbs electromagnetic primary radiation. The optoelectronic semiconductor chip also comprises a first contact structure (31) and a second contact structure (32) for electrically contacting the semi-conductor layer sequence. The second contact structure is arranged on the rear side and is in electric contact with the second semi-conductor layer. The radiation side is designed to inject or output the primary radiation into or out from the semi-conductor layer sequence. The rear side is structured and comprises scattering structures (410) which are designed for scattering and deflecting the primary radiation.
(FR)
Selon au moins un mode de réalisation, la puce semi-conductrice optoélectronique (100) comprend une séquence de couches semi-conductrices (1) pourvue d’une face de rayonnement (10), d’une première couche semi-conductrice (11) ayant un premier type de conductivité, d’une couche active (13), d’une seconde couche semi-conductrice (12) ayant un second type de conductivité et d’une face arrière (14), qui sont disposées les unes au-dessus des autres dans cet ordre. La couche active produit ou absorbe un rayonnement électromagnétique primaire dans un fonctionnement conforme à l’usage prévu. La puce semi-conductrice optoélectronique comprend en outre une première structure de contact (31) et une seconde structure de contact (32) permettant un contact électrique de la séquence de couches semi-conductrices. La seconde structure de contact est disposée sur la face arrière et est en contact électrique avec la seconde couche semi-conductrice. La face de rayonnement est conçue pour coupler le rayonnement primaire dans la séquence de couches semi-conductrices ou le découpler de celle-ci. La face arrière est structurée et comporte des structures de diffusion (410) qui sont conçues pour diffuser et dévier le rayonnement primaire.
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