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1. WO2020115148 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL

Veröffentlichungsnummer WO/2020/115148
Veröffentlichungsdatum 11.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/083702
Internationales Anmeldedatum 04.12.2019
IPC
H01L 33/62 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
62Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
CPC
H01L 2933/0016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0016relating to electrodes
H01L 31/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • PORTEN, Pascal
  • KÄMPF, Mathias
  • ZENGER, Marcus
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 131 386.107.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Chipträgers (13), B) Erzeugen von Löchern (14) für elektrische Durchkontaktierungen im Chipträger (13), C) Erzeugen einer dünnen Metallisierung (21) in den Löchern (14), D) Verfüllen der metallisierten Löcher (14) mit einer Füllung (3) aus einem Kunststoff, und E) Anbringen von optoelektronischen HalbleiterChips (4) auf den metallisierten Löchern (14), sodass die HalbleiterChips (4) ohmsch leitend mit der zugehörigen Metallisierung (21) verbunden werden.
(EN)
In one embodiment the method for producing optoelectronic semiconductor components (1) comprises the following steps: A) providing a chip substrate (13); B) creating holes (14) for electrical vias in the chip substrate (13); C) producing a thin metallization (21) in the holes (14); D) filling the metallized holes (14) with a plastic filler (3); and E) attaching optoelectronic semiconductor chips (4) to the metallized holes (14) so that the semiconductor chips (4) are connected ohmically conductively to the associated metallization (21).
(FR)
Dans un mode de réalisation, le procédé de fabrication de composants semi-conducteurs optoélectroniques (1) comprend les étapes consistant à : A) fournir un support de puce (13), B) créer des trous (14) pour le contact électrique traversant dans le support de puce (13), C) créer une fine métallisation (21) dans les trous (14), D) remplir les trous métallisés (14) d'une charge (3) en plastique, et E) appliquer des puces semi-conductrices optoélectroniques (4) sur les trous métallisés (14) de telle manière que les puces semi-conductrices (4) sont reliées à la métallisation correspondante (21) de façon ohmiquement conductrice.
Auch veröffentlicht als
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten