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1. WO2020115109 - VERFAHREN ZUM IN SITU SCHUTZ EINER ALUMINIUMSCHICHT UND OPTISCHE ANORDNUNG FÜR DEN VUV-WELLENLÄNGENBEREICH

Veröffentlichungsnummer WO/2020/115109
Veröffentlichungsdatum 11.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/083621
Internationales Anmeldedatum 04.12.2019
IPC
G02B 5/08 2006.01
GPhysik
02Optik
BOptische Elemente, Systeme oder Geräte
5Optische Elemente außer Linsen
08Spiegel
G02B 27/00 2006.01
GPhysik
02Optik
BOptische Elemente, Systeme oder Geräte
27Optische Systeme oder Geräte, soweit nicht in einer der Gruppen G02B1/-G02B26/115
G03F 7/20 2006.01
GPhysik
03Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
FFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken ; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20Belichten; Vorrichtungen dafür
CPC
G02B 27/0006
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
0006with means to keep optical surfaces clean, e.g. by preventing or removing dirt, stains, contamination, condensation
G02B 5/0891
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
08Mirrors
0891Ultraviolet [UV] mirrors
G03F 7/70925
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution, removing pollutants from apparatus; electromagnetic and electrostatic-charge pollution
70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants
G03F 7/70958
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
70958Optical materials and coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance
G03F 7/70983
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
Anmelder
  • CARL ZEISS SMT GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • SHKLOVER, Vitaliy
Vertreter
  • KOHLER SCHMID MÖBUS PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFTSGESELLSCHAFT MBB
Prioritätsdaten
10 2018 221 188.407.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM IN SITU SCHUTZ EINER ALUMINIUMSCHICHT UND OPTISCHE ANORDNUNG FÜR DEN VUV-WELLENLÄNGENBEREICH
(EN) METHOD FOR IN SITU PROTECTION OF AN ALUMINUM LAYER AND OPTICAL ARRANGEMENT FOR THE VUV WAVELENGTH RANGE
(FR) PROCÉDÉ DE PROTECTION IN SITU D’UNE COUCHE D’ALUMINIUM ET DISPOSITIF OPTIQUE POUR LE DOMAINE DES LONGUEURS D’ONDE VUV
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum in situ Schutz einer Oberfläche (7a) einer Aluminiumschicht (7) einer VUV-Strahlung (11, 21) reflektierenden Beschichtung (6) eines optischen Elements (4), das in einem Innenraum einer optischen Anordnung für den VUV-Wellenlängenbereich angeordnet ist, vor dem Anwachsen einer Aluminiumoxidschicht (8), umfassend: Durchführen eines Atomlagen-Ätzprozesses zum lagenweisen Entfernen der Aluminiumoxidschicht (8), wobei der Atomlagen-Ätzprozess einen Oberflächen-Modifikationsschritt sowie einen Material-Ablöseschritt umfasst, wobei in dem Oberflächen-Modifikationsschritt dem Innenraum gepulst mindestens ein Borhalogenid als oberflächenmodifizierender Reaktant zugeführt wird, und wobei in dem Innenraum an einer Oberfläche (8a) der Aluminiumoxidschicht (8) zumindest während des Material-Ablöseschritts ein Plasma (31) erzeugt wird. Der Atomlagen-Ätzprozess wird durchgeführt, bis die Aluminiumoxidschicht (8) eine Dicke (D) von weniger als 5 nm erreicht oder die Aluminiumoxidschicht (8) wird durch den Atomlagen-Ätzprozess auf einer Dicke (D) von weniger als 5 nm gehalten. Die Erfindung betrifft auch eine optische Anordnung für den VUV-Wellenlängenbereich, beispielsweise ein Inspektionssystem oder eine VUV-Lithographieanlage.
(EN)
The invention relates to a method for in situ protection of a surface (7a) of an aluminum layer (7) of a coating (6) – which reflects VUV radiation (11, 21) – of an optical element (4), which is arranged in an interior of an optical arrangement for the VUV wavelength range, against the growth of an aluminum oxide layer (8), comprising: carrying out an atomic layer etching process for layer-by-layer removal of the aluminum oxide layer (8), wherein the atomic layer etching process comprises a surface modification step and a material detachment step, wherein, in the surface modification step, at least one boron halide as surface-modifying reactant is fed to the interior in a pulsed manner, and wherein a plasma (31) is generated in the interior at a surface (8a) of the aluminum oxide layer (8) at least during the material detachment step. The atomic layer etching process is carried out until the aluminum oxide layer (8) attains a thickness (D) of less than 5 nm or the aluminum oxide layer (8) is kept at a thickness (D) of less than 5 nm by the atomic layer etching process. The invention also relates to an optical arrangement for the VUV wavelength range, for example an inspection system or a VUV lithography apparatus.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de protection in situ d’une surface (7a) d’une couche d’aluminium (7) d’un revêtement (6) réfléchissant un rayonnement VUV (ultraviolet du vide) (11, 21) d’un élément optique (4), qui est disposé dans un espace interne d’un dispositif optique pour le domaine des longueurs d’onde VUV, avant la croissance d’une couche d’oxyde d’aluminium (8). Ledit procédé comprend : l’exécution d’un processus de corrosion de couches d’atomes pour éliminer couche par couche la couche d’oxyde d’aluminium (8), le processus de corrosion de couches d’atomes comprend une étape de modification de surface ainsi qu’une étape de séparation de matériau. Dans l’étape de modification de surface, au moins un halogénure de bore est introduit dans l’espace intérieur en tant qu’agent réactif modificateur de surface et, au moins durant l’étape de séparation de matériau, un plasma (31) est généré dans l’espace intérieur sur une surface (8a) de la couche d’oxyde d’aluminium (8). Le processus de corrosion de couches d’atomes est exécuté jusqu’à ce que la couche d’oxyde d’aluminium (8) atteigne une épaisseur (D) inférieure à 5 nm ou jusqu’à ce que la couche d’oxyde d’aluminium (8) soit maintenue par le processus de corrosion de couches d’atomes à une épaisseur (D) inférieure à 5 nm. La présente invention concerne en outre un dispositif optique pour le domaine de longueurs d’onde VUV, par exemple un système d’inspection ou une installation de lithographie VUV.
Auch veröffentlicht als
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