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1. WO2020115010 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

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VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS

BESCHREIBUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel len eines optoelektronischen Bauelements.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Prioritäten der deut schen Patentanmeldung 10 2018 131 296.2, deren Offenbarungs gehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Optoelektronische Bauelemente, bei denen ein optoelektroni scher Halbleiterchip an einer Oberseite eines Trägers ange ordnet und in ein Vergussmaterial eingebettet ist, sind aus dem Stand der Technik bekannt.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs gelöst. In den abhängi gen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauele ments umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer über einer Oberseite des Trägers angeordneten opto elektronischen Halbleiterchipkomponente, zum Anordnen eines ersten Vergussmaterials über der Oberseite des Trägers, zum Anordnen eines zweiten Vergussmaterials über dem ersten Ver gussmaterial, wobei das zweite Vergussmaterial eine höhere Dichte aufweist als das erste Vergussmaterial, und zum Ein wirkenlassen einer Kraft auf das erste Vergussmaterial und das zweite Vergussmaterial derart, dass das zweite Vergussma terial in Richtung zur Oberseite des Trägers wandert.

Vorteilhafterweise ermöglicht es dieses Verfahren, das zweite Vergussmaterial bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement nahe der Oberseite des Trägers anzuordnen, obwohl das zweite Vergussmaterial erst nach dem ersten Vergussmaterial aufgebracht wird. Das Aufbringen des zweiten Vergussmaterials erst nach dem Aufbringen des ersten Vergussmaterials kann vorteilhafterweise verhindern, dass das zweite Vergussmaterial Bereiche des Trägers oder der opto elektronischen Halbleiterchipkomponente benetzt, bei denen eine Benetzung durch das zweite Vergussmaterial unerwünscht ist. Ein weiterer Vorteil des Verfahrens besteht darin, dass bei der Wanderung des zweiten Vergussmaterials in Richtung zur Oberseite des Trägers während des Einwirkenlassens der Kraft gegebenenfalls in das zweite Vergussmaterial eingebet tete Partikel mit dem zweiten Vergussmaterial mitgeführt wer den und dadurch ebenfalls in Richtung zur Oberseite des Trä gers wandern.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Ein wirkenlassen der Kraft durch Zentrifugieren des Trägers. Vor teilhafterweise kann hierdurch eine in Richtung zur Oberseite des Trägers gerichtete Kraft einstellbarer Größe auf das ers te Vergussmaterial und das zweite Vergussmaterial ausgeübt werden .

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das erste Ver gussmaterial derart über der Oberseite des Trägers angeord net, dass eine Seitenfläche der optoelektronischen Halb leiterchipkomponente durch das erste Vergussmaterial benetzt wird. Vorteilhafterweise kann die Benetzung der Seitenfläche der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente durch das erste Vergussmaterial eine Benetzung der Seitenfläche der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente durch das zweite Vergussmaterial verhindern oder zumindest begrenzen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des zweiten Vergussmaterials, bevor das erste Vergussmaterial ausgehärtet ist. Vorteilhafterweise wird es dadurch ermög licht, dass das zweite Vergussmaterial während des Zentrifu gierens des Trägers durch das erste Vergussmaterial in Rich tung zur Oberseite des Trägers wandert.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Zentrifugie ren derart durchgeführt, dass sich über der Oberseite des Trägers eine erste Schicht ausbildet, die das zweite Verguss material aufweist, und sich über der ersten Schicht eine zweite Schicht ausbildet, die das erste Vergussmaterial auf weist. Vorteilhafterweise ermöglicht es das Verfahren

dadurch, bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelekt ronischen Bauelement die das zweite Vergussmaterial aufwei sende erste Schicht unterhalb der das erste Vergussmaterial aufweisenden zweiten Schicht auszubilden, obwohl das zweite Vergussmaterial erst nach dem ersten Vergussmaterial aufge bracht wird.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen eines wellenlängenkonvertieren den Materials über der zweiten Schicht. Das wellenlängenkon vertierende Material kann dazu ausgebildet sein, von der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente emittierte elekt romagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagne tische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Materials, bevor die zweite Schicht ausgehärtet ist. Dadurch wird es vorteilhafterweise ermöglicht, dass das wellenlängenkonvertierende Material und/oder in dem wellenlängenkonvertierenden Material enthal tene wellenlängenkonvertierende Partikel zumindest teilweise in die zweite Schicht einsinken.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Materials, nachdem die zweite Schicht ausgehärtet ist. Vorteilhafterweise wird dadurch ver hindert, dass das wellenlängenkonvertierende Material und/oder in dem wellenlängenkonvertierenden Material enthal tene wellenlängenkonvertierende Partikel in die zweite

Schicht einsinken. Dadurch wird sichergestellt, dass das wel lenlängenkonvertierende Material bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement oberhalb der zwei ten Schicht verbleibt.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das wellenlän genkonvertierende Material ein Silikon und in das Silikon eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel auf. Die wellenlängenkonvertierenden Partikel können dazu ausgebildet sein, von der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauele ments emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teil weise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellen länge zu konvertieren.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das erste Ver gussmaterial ein Silikon auf. In diesem Fall können bei spielsweise das die zweite Schicht bildende erste Vergussma terial und das über der zweiten Schicht angeordnete wellen längenkonvertierende Material das gleiche Matrixmaterial auf weisen. Dadurch kann es beispielsweise ermöglicht werden, dass in dem wellenlängenkonvertierenden Material enthaltene wellenlängenkonvertierende Partikel aus dem wellenlängenkon vertierenden Material in das erste Vergussmaterial der zwei ten Schicht wandern.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Zentri fugieren ein weiterer Schritt durchgeführt zum Entfernen zu mindest eines Teils des ersten Vergussmaterials. Vorteilhaf terweise verbleibt bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dann im Wesentlichen nur das zweite Vergussmaterial.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das erste Ver gussmaterial ein Lösungsmittel auf. Dabei wird das Lösungs mittel durch Verdunstung entfernt. Vorteilhafterweise stellt dies eine einfache Möglichkeit dar, nach dem Zentrifugieren zumindest einen Teil des ersten Vergussmaterials zu entfer-nen .

Eine andere Möglichkeit besteht darin, nach dem Zentrifugie ren zumindest einen Teil des ersten Vergussmaterials abzuwa schen. In diesem Fall kann das erste Vergussmaterial bei spielsweise ein Silikonöl aufweisen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das zweite Ver gussmaterial ein Silikon auf. Dabei kann das zweite Verguss material beispielsweise das gleiche Matrixmaterial aufweisen wie das erste Vergussmaterial.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das zweite Ver gussmaterial eingebettete Partikel auf. Vorteilhafterweise werden die eingebetteten Partikel bei diesem Verfahren wäh rend des Zentrifugierens des Trägers in dem zweiten Verguss material mitgeführt und wandern dadurch mit dem zweiten Ver gussmaterial in Richtung zur Oberseite des Trägers. Dadurch können die in das zweite Vergussmaterial eingebetteten Parti kel bei diesem Verfahren vorteilhafterweise auch dann in Richtung zur Oberseite des Trägers bewegt werden, wenn die eingebetteten Partikel beispielsweise so klein sind, dass ei ne Sedimentation der eingebetteten Partikel nicht möglich ist .

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das zweite Ver gussmaterial zwischen 30 Gewichtsprozent und

50 Gewichtsprozent eingebettete Ti02-Partikel mit einem mitt leren Durchmesser zwischen 100 nm und 300 nm auf. Vorteilhaf terweise eignet sich Vergussmaterial mit derartigen eingebet teten Partikeln gut zur Herstellung optisch reflektierender Schichten .

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das erste Ver gussmaterial eine Dichte zwischen 1 g/cm3 und 1,3 g/cm3 auf. Dabei weist das zweite Vergussmaterial eine Dichte zwischen 1,4 g/cm3 und 2,2 g/cm3 auf. Vorteilhafterweise weist das zweite Vergussmaterial dadurch eine höhere Dichte auf als das erste Vergussmaterial. Dadurch wird es ermöglicht, dass das zweite Vergussmaterial während des Zentrifugierens des Trä gers in Richtung zur Oberseite des Trägers wandert.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die optoelekt ronische Halbleiterchipkomponente einen optoelektronischen Halbleiterchip auf. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Zentri fugieren ein weiterer Schritt durchgeführt zum Entfernen des Trägers. Dadurch ermöglicht das Verfahren vorteilhafterweise die Herstellung eines chipskaligen optoelektronischen Bauele ments, das außer dem Vergussmaterial keine tragenden Kompo nenten aufweist und sehr geringe äußere Abmessungen besitzt.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu tert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstel lung

Fig. 1 eine geschnittene Seitenansicht einer über einer Ober seite eines Trägers angeordneten optoelektronischen Halb leiterchipkomponente ;

Fig. 2 den Träger und die optoelektronische Halbleiterchip komponente nach dem Anordnen eines ersten Vergussmaterials über der Oberseite des Trägers;

Fig. 3 den Träger und die optoelektronische Halbleiterchip komponente nach dem Anordnen eines zweiten Vergussmaterials über dem ersten Vergussmaterial;

Fig. 4 den Träger mit der optoelektronischen Halbleiterchip komponente nach einem Zentrifugieren des Trägers;

Fig. 5 eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers mit über seiner Oberseite angeordneten optoelektronischen Halbleiter chipkomponenten, einem über der Oberseite des Trägers ange ordneten ersten Vergussmaterial und einem über dem ersten Vergussmaterial angeordneten zweiten Vergussmaterial;

Fig. 6 die Anordnung von Träger, optoelektronischen Halb leiterchipkomponenten, erstem Vergussmaterial und zweitem Vergussmaterial nach einem Zentrifugieren des Trägers;

Fig. 7 eine weitere Anordnung mit einem Träger, einer opto elektronischen Halbleiterchipkomponente, einem über einer Oberseite des Trägers angeordneten ersten Vergussmaterial und einem über dem ersten Vergussmaterial angeordneten zweiten Vergussmaterial ;

Fig. 8 diese Anordnung nach einem Zentrifugieren des Trägers;

Fig. 9 eine geschnittene Seitenansicht der Anordnung nach ei nem Aufbringen eines wellenlängenkonvertierenden Materials;

Fig. 10 eine geschnittene Seitenansicht der Anordnung nach einem Absinken wellenlängenkonvertierender Partikel;

Fig. 11 eine geschnittene Seitenansicht einer weiteren Anord nung mit einem Träger, über einer Oberseite des Trägers ange ordneten optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten, einem über der Oberseite des Trägers angeordneten ersten Vergussma terial und einem über dem ersten Vergussmaterial angeordneten zweiten Vergussmaterial;

Fig. 12 die Anordnung nach einem Zentrifugieren des Trägers;

Fig. 13 die Anordnung nach einem Anordnen eines wellenlängen konvertierenden Materials;

Fig. 14 eine weitere Anordnung mit einem Träger, über einer Oberseite des Trägers angeordneten optoelektronischen Halb- leiterchipkomponenten, einem über der Oberseite des Trägers angeordneten ersten Vergussmaterial und einem über dem ersten Vergussmaterial angeordneten zweiten Vergussmaterial;

Fig. 15 die Anordnung nach einem Zentrifugieren des Trägers; und

Fig. 16 die Anordnung nach einem Aufbringen einer Linsen schicht .

Fig. 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei nes Trägers 100 mit einer Oberseite 101. Der Träger 100 kann auch als Substrat bezeichnet werden. Der Träger 100 kann bei spielsweise als keramischer oder metallischer Träger oder als Leiterplatte ausgebildet sein. Der Träger 100 kann auch ein Teil eines Kunststoffgehäuses sein.

An der Oberseite 101 des Trägers 100 ist eine optoelektroni sche Halbleiterchipkomponente 200 angeordnet worden. Die optoelektronische Halbleiterchipkomponente 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf. Zwischen der Oberseite 201 und der Unter seite 202 erstrecken sich Seitenflächen 203 der optoelektro nischen Halbleiterchipkomponente 200. Die optoelektronische Halbleiterchipkomponente 200 ist derart an der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet, dass die Unterseite 202 der opto elektronischen Halbleiterchipkomponente 200 der Oberseite 101 des Trägers 100 zugewandt ist.

Im in Fig. 1 gezeigten Beispiel umfasst die optoelektronische Halbleiterchipkomponente 200 lediglich einen optoelektroni schen Halbleiterchip 210. In anderen Varianten kann die opto elektronische Halbleiterchipkomponente 200 neben dem opto elektronischen Halbleiterchip 210 weitere Komponenten umfas sen, beispielsweise ein wellenlängenkonvertierendes Element. Der optoelektronische Halbleiterchip 210 weist mindestens ei ne elektrische Kontaktfläche 220 auf, die zur Unterseite 202 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 orien- tiert ist. Die elektrische Kontaktflache 220 kann beispiels weise mittels einer Lotverbindung oder einer elektrisch lei tenden Klebeverbindung an der Oberseite 101 des Trägers 100 befestigt sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 210 kann auch mehrere elektrische Kontaktflachen 220 aufweisen.

Der optoelektronische Halbleiterchip 210 kann als lichtemit tierender Halbleiterchip ausgebildet sein, beispielsweise als Leuchtdiodenchip (LED-Chip) . Im in Fig. 1 gezeigten Beispiel kann der optoelektronische Halbleiterchip 210 beispielsweise als volumenemittierender Halbleiterchip ausgebildet sein. In diesem Fall emittiert der optoelektronische Halbleiterchip 210 im Betrieb elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, an der Oberseite 201 und an den Seitenflä chen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200. Der optoelektronische Halbleiterchip 210 kann beispielsweise als Saphir-Flipchip ausgebildet sein.

Fig. 2 zeigt die Anordnung der Fig. 1 in schematischer Dar stellung in einem der Darstellung der Fig. 1 zeitlich nach folgenden Bearbeitungsstand.

Über der Oberseite 101 des Trägers 100 ist ein erstes Ver gussmaterial 310 angeordnet worden. Das erste Vergussmaterial 310 ist neben der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 angeordnet worden und bedeckt zumindest einen Teil des nicht durch die optoelektronische Halbleiterchipkomponente 200 bedeckten Teils der Oberseite 101 des Trägers 100. Das erste Vergussmaterial 310 kann beispielsweise mittels eines Dosierverfahrens (Dispensing) aufgebracht worden sein.

Das über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnete erste Vergussmaterial 310 benetzt nicht nur die Oberseite 101 des Trägers 100 sondern auch zumindest einen Teil der Seitenflä chen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200. Das Benetzen der Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 kann beispielsweise dadurch er folgt sein, dass das erste Vergussmaterial 310 nach dem An- ordnen des ersten Vergussmaterials 310 an der Oberseite 101 des Trägers 100 an den Seitenflächen 203 der optoelektroni schen Halbleiterchipkomponente 200 emporgekrochen ist. Auf diese Weise kann das erste Vergussmaterial 310 die Seitenflä chen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 auch dann benetzen, wenn das erste Vergussmaterial 310 nicht das gesamte Volumen in der Umgebung der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 über der Oberseite 101 des Trä gers 100 bis zur Oberseite 201 der optoelektronischen Halb leiterchipkomponente 200 ausfüllt. Das erste Vergussmaterial 310 bildet in diesem Fall nach dem Anordnen über der Obersei te 101 des Trägers 100 keine flache Schicht sondern weist ei ne konkave Oberfläche auf.

Das erste Vergussmaterial 310 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen. Zweckmäßig ist, wenn das erste Vergussmaterial 310 ein Klarsilikon aufweist, das für durch den optoelektroni schen Halbleiterchip 210 der optoelektronischen Halbleiter chipkomponente 200 emittierte elektromagnetische Strahlung weitgehend transparent ist. Das erste Vergussmaterial 310 kann auch ein Epoxid aufweisen. Alternativ kann das erste Vergussmaterial 310 auch beispielsweise ein mit einem Lö sungsmittel vermischtes Klarsilikon, ein Silikonöl oder le diglich ein Lösungsmittel aufweisen. Als Lösungsmittel eignet sich beispielsweise DI-Wasser.

Fig. 3 zeigt die Anordnung der Fig. 2 in einem der Darstel lung der Fig. 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über dem ersten Vergussmaterial 310 ist ein zweites Verguss material 320 angeordnet worden. Auch das Anordnen des zweiten Vergussmaterials 320 kann beispielsweise durch ein Dosierver fahren (Dispensing) erfolgt sein.

Das Anordnen des zweiten Vergussmaterials 320 über dem ersten Vergussmaterial 310 ist erfolgt, bevor das erste Vergussmate rial 310 ausgehärtet ist. Das erste Vergussmaterial 310 ist im in Fig. 3 gezeigten Bearbeitungsstand damit noch fließfä hig .

Das zweite Vergussmaterial 320 weist eine höhere Dichte auf als das erste Vergussmaterial 310. Beispielsweise kann das erste Vergussmaterial 310 eine Dichte zwischen 1 g/cm3 und 1,3 g/cm3 aufweisen. Das zweite Vergussmaterial 320 kann bei spielsweise eine Dichte zwischen 1,4 g/cm3 und 2,2 g/cm3 auf weisen. Insbesondere kann das erste Vergussmaterial 310 bei spielsweise eine Dichte von ungefähr 1,15 g/cm3 aufweisen, während das zweite Vergussmaterial 320 beispielsweise eine Dichte von ungefähr 1,6 g/cm3 aufweisen kann.

Das zweite Vergussmaterial 320 kann ein Silikon aufweisen. Falls auch das erste Vergussmaterial 310 ein Silikon auf weist, so können das erste Vergussmaterial 310 und das zweite Vergussmaterial 320 das gleiche Silikon aufweisen. Das zweite Vergussmaterial 320 kann auch ein Epoxid aufweisen, bei spielsweise das gleiche Epoxid wie das erste Vergussmaterial 310.

Zusätzlich kann das zweite Vergussmaterial 320 eingebettete Partikel 325 aufweisen, die die Dichte des zweiten Vergussma terials 320 erhöhen. Beispielsweise kann das zweite Verguss material 320 eingebettete lichtreflektierende Partikel 325 aufweisen, durch die das zweite Vergussmaterial 320 eine wei ße Farbe erhält. Als lichtreflektierende Partikel 325 kommen beispielsweise TiCg-Partikel in Frage. Diese TiCg-Partikel können beispielsweise einen mittleren Durchmesser zwischen 100 nm und 300 nm aufweisen. Insbesondere können die TiCg-Partikel beispielsweise einen mittleren Durchmesser von etwa 200 nm aufweisen. Das zweite Vergussmaterial 320 kann bei spielsweise einen Anteil zwischen 30 Gewichtsprozent und 50 Gewichtsprozent, insbesondere beispielsweise einen Anteil von 40 Gewichtsprozent solcher Ti02-Partikel 325 aufweisen.

In diesem Fall kann das zweite Vergussmaterial 320 beispiels weise eine Dichte von ungefähr 1,6 g/cm3 aufweisen.

Alternativ kann das zweite Vergussmaterial 320 auch lichtab sorbierende Partikel 325 oder andere eingebettete Partikel oder Füllstoffe aufweisen.

Fig. 4 zeigt eine schematische Ansicht der Anordnung der Fig. 3 in einem der Darstellung der Fig. 3 zeitlich nachfol genden Bearbeitungsstand.

Der Träger 100 derart zentrifugiert worden, dass eine in eine Richtung 105 zur Oberseite 101 des Trägers 100 gerichtete Kraft auf die über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeord neten Komponenten gewirkt hat. Unter dem Einfluss dieser Kraft ist das zweite Vergussmaterial 320 in Richtung zur Oberseite 101 des Trägers 100 gewandert. Da das zweite Ver gussmaterial 320 eine höhere Dichte aufweist als das erste Vergussmaterial 310, hat das zweite Vergussmaterial 320 das erste Vergussmaterial 310 an der Oberseite 101 des Trägers 100 zumindest teilweise verdrängt. Dadurch hat sich über der Oberseite 101 des Trägers 100 eine erste Schicht 410 ausge bildet, die das zweite Vergussmaterial 320 aufweist. Über der ersten Schicht 410 hat sich eine zweite Schicht 420 ausgebil det, die das erste Vergussmaterial 310 aufweist. Somit hat sich eine Inversion der Anordnung des ersten Vergussmaterials 310 und des zweiten Vergussmaterials 320 ergeben. Die erste Schicht 410 und die zweite Schicht 420 sind im Wesentlichen flache Schichten mit im Wesentlichen planen Oberseiten.

Falls das erste Vergussmaterial 310 und das zweite Vergussma terial 320 einen ausreichend großen Dichteunterschied aufwei sen, kann es möglich sein, auf das Zentrifugieren zu verzich ten. In diesem Fall kann bereits die auf das erste Vergussma terial 310 und das zweite Vergussmaterial 320 einwirkende Schwerkraft ausreichen, um das zweite Vergussmaterial 320 in Richtung zur Oberseite 101 des Trägers 100 zu treiben.

Im dargestellten Beispiel wurden die Menge des über der Ober seite 101 des Trägers 100 angeordneten ersten Vergussmateri als 310 und die Menge des über dem ersten Vergussmaterial 310 angeordneten zweiten Vergussmaterials 320 so bemessen, dass die aus dem zweiten Vergussmaterial 320 gebildete erste

Schicht 410 eine geringere Dicke aufweist als die aus dem ersten Vergussmaterial 310 gebildete zweite Schicht 420. Die Menge des ersten Vergussmaterials 310 und des zweiten Ver gussmaterials 320 wurden außerdem so bemessen, dass die von der Oberseite 101 des Trägers 100 abgewandte Oberfläche der zweiten Schicht 420 im Wesentlichen bündig mit der Oberseite 201 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 ab schließt. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Die Oberfläche der zweiten Schicht 420 könnte auch unterhalb der Oberseite 201 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 angeordnet sein. Ebenfalls möglich ist, dass das erste Vergussmaterial 310 beim Ausbilden der zweiten Schicht 420 die Oberseite 201 der optoelektronischen Halbleiterchipkompo nente 200 bedeckt.

Da das erste Vergussmaterial 310 die Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 bereits vor dem Anordnen des zweiten Vergussmaterials 320 benetzt hat, konnte das zweite Vergussmaterial 320 die Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 nachfol gend nicht mehr benetzen. Dadurch sind die Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 auch nach dem Zentrifugieren nicht durch das zweite Vergussmaterial 320 bedeckt .

Die das zweite Vergussmaterial 320 aufweisende erste Schicht 410 bildet eine dünne reflektierende Schicht an der Oberseite 101 des Trägers 100. Im Betrieb der optoelektronischen Halb leiterchipkomponente 200 von der optoelektronischen Halb leiterchipkomponente 200 in Richtung zur Oberseite 101 des Trägers 100 emittierte elektromagnetische Strahlung kann an der ersten Schicht 410 reflektiert und dadurch genutzt wer den. Da die Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halb leiterchipkomponente 200 nicht durch das reflektierende zwei te Vergussmaterial 320 benetzt sind, wird eine Abstrahlung von elektromagnetischer Strahlung an den Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 nicht be hindert .

Das Zentrifugieren des Trägers 100 wurde vor dem Aushärten des ersten Vergussmaterials 310 und des zweiten Vergussmate rials 320 durchgeführt. Im Anschluss an das Zentrifugieren und das Ausbilden der das zweite Vergussmaterial 320 aufwei senden ersten Schicht 410 und der das erste Vergussmaterial 310 aufweisenden zweiten Schicht 420 können weitere Bearbei tungsschritte zum Aushärten des ersten Vergussmaterials 310 und des zweiten Vergussmaterials 320 erfolgen. Das Aushärten kann beispielsweise durch eine thermische Behandlung und/oder durch Bestrahlung mit Licht erfolgen.

In einer anderen Variante ist es möglich, nach dem Zentrifu gieren des Trägers 100 zumindest einen Teil des ersten Ver gussmaterials 310 und der aus dem ersten Vergussmaterial 310 gebildeten zweiten Schicht 420 zu entfernen. In diesem Fall kann beispielsweise nur die das zweite Vergussmaterial 320 aufweisende erste Schicht 410 an der Oberseite 101 des Trä gers 100 verbleiben. Das Entfernen des ersten Vergussmateri als 310 kann beispielsweise durch Verdunsten des ersten Ver gussmaterials 310 oder durch Abwaschen des ersten Vergussma terials 310 erfolgen. Ein Verdunsten des ersten Vergussmate rials 310 ist beispielsweise möglich, wenn dieses ein Lö sungsmittel aufweist. Ein Abwaschen des ersten Vergussmateri als 310 ist beispielsweise möglich, wenn dieses ein Silikonöl aufweist .

Im in Fig. 4 gezeigten Bearbeitungsstand bildet die in Fig. 4 dargestellte Anordnung ein optoelektronisches Bauelement 10. Der Träger 100 kann als Teil des optoelektronischen Bauele ments 10 verbleiben. Es ist aber auch möglich, den Träger 100 zu entfernen.

Nachfolgend werden mehrere Varianten und Erweiterungen des vorstehend anhand der Fig. 1 bis 4 beschriebenen Herstel lungsverfahrens erläutert. Dabei werden nachfolgend nur je- weils die Abweichungen von dem vorstehend beschriebenen Ver fahren erklärt. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung auch für die nachfolgend dargestellten Herstellungsverfahren und die durch die Herstellungsverfahren erhältlichen opto elektronischen Bauelemente.

Fig. 5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 100 mit mehreren über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200. Zwischen und neben den optoelektronischen Halbleiter chipkomponenten 200 ist das erste Vergussmaterial 310 über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet worden. Über dem ersten Vergussmaterial 310 ist das zweite Vergussmaterial 320 angeordnet worden. Damit entspricht der in Fig. 5 gezeigte Bearbeitungsstand dem in Fig. 3 gezeigten Bearbeitungsstand.

Im Unterschied zu der anhand der Fig. 1 bis 4 erläuterten Va riante weisen die optoelektronischen Halbleiterchipkomponen ten 200 im in Fig. 5 gezeigten Beispiel jeweils zusätzlich zu dem optoelektronischen Halbleiterchip 210 eine den optoelekt ronischen Halbleiterchip 210 teilweise einbettende Konverter schicht 230 auf. Im dargestellten Beispiel bedeckt die Kon verterschicht 230 die Oberseite und die Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 210. Die Oberseiten 201 und die Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiter chipkomponenten 200 werden damit durch die Konverterschichten 230 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 ge bildet. Die optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 stellen damit Beispiele für chipskalige Packages dar. Die Konverterschicht 230 ist bei jeder optoelektronischen Halb leiterchipkomponente 200 dazu vorgesehen, von dem optoelekt ronischen Halbleiterchip 210 emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.

Der Träger 100 ist beim in Fig. 5 gezeigten Beispiel ein tem porärer Träger 110, der zum Abschluss der Bearbeitung ent fernt wird. Die optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 sind mittels einer Klebefolie 120 an der Oberseite 101 des Trägers 100 befestigt. Das erste Vergussmaterial 310 ist über der Klebefolie 120 angeordnet worden.

Fig. 6 zeigt eine schematische Darstellung der Anordnung der Fig. 5 in einem der Fig. 5 zeitlich nachfolgenden Bearbei tungsstand .

Der Träger 100 ist derart zentrifugiert worden, dass das zweite Vergussmaterial 320 in Richtung 105 zur Oberseite 101 des Trägers 100 gewandert ist. Dadurch hat sich über der Oberseite 101 des Trägers 100 wiederum die erste Schicht 410 ausgebildet, die das zweite Vergussmaterial 320 aufweist.

Über der ersten Schicht 410 hat sich die zweite Schicht 420 ausgebildet, die das erste Vergussmaterial 310 aufweist.

In einem der Darstellung der Fig. 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt werden der temporäre Träger 100, 110 und die Klebefolie 120 abgelöst. Außerdem wird der durch die Schichten 410, 420 des Vergussmaterials 310, 320 gebildete Körper so in mehrere optoelektronische Bauelemente 10 zer teilt, dass jedes optoelektronische Bauelement 10 eine der optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 umfasst. Das Zerteilen kann vor oder nach dem Ablösen des temporären Trä gers 110 erfolgen.

Anhand der Fig. 7 bis 10 wird nachfolgend eine weitere Vari ante des Herstellungsverfahrens beschrieben. Fig. 7 zeigt ei ne schematische geschnittene Seitenansicht eines Verfahrens stands, der dem in Fig. 3 gezeigten Verfahrensstand ent spricht .

Bei der in Fig. 7 gezeigten Variante wird der Träger 100 durch einen Gehäusekörper 130 mit in den Gehäusekörper 130 eingebetteten Leiterrahmenabschnitten 140 gebildet. Der Ge häusekörper 130 kann auch als QFN-Package bezeichnet werden. Der Gehäusekörper 130 kann beispielsweise ein Kunststoffmate rial aufweisen. Der Gehäusekörper 130 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt sein. Da bei können die Leiterrahmenabschnitte 140 bereits während des Ausbildens des Gehäusekörpers 130 durch Umformen der Leiter rahmenabschnitte 140 in den Gehäusekörper 130 eingebettet worden sein.

Der Gehäusekörper 130 weist eine Kavität 160 auf. Ein Boden bereich der Kavität 160 bildet die Oberseite 101 des Trägers 100. An dem die Oberseite 101 des Trägers 100 bildenden Bo denbereich der Kavität 160 liegen die Leiterrahmenabschnitte 140 teilweise frei.

Die optoelektronische Halbleiterchipkomponente 200 umfasst in diesem Beispiel lediglich einen als volumenemittierender Sa phir-Chip ausgebildeten optoelektronischen Halbleiterchip 210. Die optoelektronische Halbleiterchipkomponente 200 ist an der Oberseite 101 des Trägers 100 in der Kavität 160 des Gehäusekörpers 130 angeordnet worden. Anschließend ist das erste Vergussmaterial 310 über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet worden. Das erste Vergussmaterial 310 hat die Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkompo nente 200 zumindest teilweise benetzt. Außerdem hat das erste Vergussmaterial 310 eine die Kavität 160 begrenzende Gehäuse wandung 170 des Gehäusekörpers 130 zumindest teilweise be netzt. Anschließend ist das zweite Vergussmaterial 320 über dem ersten Vergussmaterial 310 angeordnet worden.

Fig. 8 zeigt die Anordnung der Fig. 7 in einem zeitlich nach folgenden Bearbeitungsstand.

Der Träger 100 ist derart zentrifugiert worden, dass das zweite Vergussmaterial 320 in Richtung 105 zur Oberseite 101 des Trägers 100 gewandert ist. Dadurch hat sich über der Oberseite 101 des Trägers 100 die erste Schicht 410 ausgebil det, die das zweite Vergussmaterial 320 aufweist. Über der ersten Schicht 410 hat sich die zweite Schicht 420 ausgebil det, die das erste Vergussmaterial 310 aufweist.

Eine von der Oberseite 101 des Trägers 100 abgewandte Ober seite der zweiten Schicht 420 ist im gezeigten Beispiel nicht plan sondern leicht konkav ausgebildet. Durch die Benetzung der Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchip komponente 200 schließt die Oberseite der zweiten Schicht 420 etwa bündig mit der Oberseite 201 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 ab. Die Kavität 160 des Gehäuse körpers 130 ist durch die optoelektronische Halbleiterchip komponente 200 und die Schichten 410, 420 der Vergussmateria lien 310, 320 nicht vollständig ausgefüllt.

Fig. 9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der Anordnung der Fig. 8 in einem der Darstellung der Fig. 8 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über der zweiten Schicht 420 ist ein wellenlängenkonvertie rendes Material 330 angeordnet worden. Das Anordnen des wel lenlängenkonvertierenden Materials 330 kann beispielsweise durch ein Dosierverfahren (Dispensing) erfolgt sein. Das wel lenlängenkonvertierende Material 330 ist über der zweiten Schicht 420 und über der Oberseite 201 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 angeordnet und bildet eine drit te Schicht 430. Im dargestellten Beispiel ist die Menge des wellenlängenkonvertierenden Materials 330 so bemessen, dass der nach dem Einfüllen des ersten Vergussmaterials 310 und des zweiten Vergussmaterials 320 noch verbliebene Leerraum der Kavität 160 vollständig aufgefüllt wird.

Das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Materials 330 über der zweiten Schicht 420 ist erfolgt, bevor das erste Vergussmaterial 310 der zweiten Schicht 420 ausgehärtet ist.

Das wellenlängenkonvertierende Material 330 weist ein Matrix material und in das Matrixmaterial eingebettete wellenlängen konvertierende Partikel 335 auf. Das Matrixmaterial kann bei spielsweise ein Silikon sein. Zweckmäßig ist, wenn das Mat rixmaterial des wellenlängenkonvertierenden Materials 330 ähnlich oder gleich dem ersten Vergussmaterial 310 ist. Die wellenlängenkonvertierenden Partikel 335 des wellenlängenkon vertierenden Materials 330 sind dazu ausgebildet, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 210 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.

Fig. 10 zeigt die Anordnung der Fig. 9 in einem der Darstel lung der Fig. 9 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Durch Sedimentation sind die in dem wellenlängenkonvertieren den Material 330 enthaltenen wellenlängenkonvertierenden Par tikel 335 abgesunken. Ein Teil der wellenlängenkonvertieren den Partikel 335 ist bis zur Oberseite 201 der optoelektroni schen Halbleiterchipkomponente 200 abgesunken. Ein Teil der wellenlängenkonvertierenden Partikel 335 ist bis in das erste Vergussmaterial 310 der zweiten Schicht 420 abgesunken. Es kann sogar ein Teil der wellenlängenkonvertierenden Partikel 335 in das zweite Vergussmaterial 320 der ersten Schicht 410 abgesunken sein. In der über der zweiten Schicht 420 angeord neten dritten Schicht 430 ist im Wesentlichen nur das Matrix material des wellenlängenkonvertierenden Materials 330 ver blieben, das dem ersten Vergussmaterial 310 entsprechen kann.

Fig. 11 zeigt in schematischer geschnittener Seitenansicht einen der Darstellung der Fig. 3 entsprechenden Bearbeitungs stand während der Durchführung einer weiteren Variante des oben beschriebenen Herstellungsverfahrens.

Der Träger 100 ist bei dieser Variante wieder als temporärer Träger 110 ausgebildet. An der Oberseite 101 des temporären Trägers 100, 110 ist wieder eine Klebefolie 120 angeordnet. Mehrere optoelektronische Halbleiterchipkomponenten 200 sind mittels der Klebefolie 120 an der Oberseite 101 des Trägers 100 befestigt.

Außerdem ist an der Oberseite 101 des Trägers 100 ein Gehäu serahmen 150 angeordnet und durch die Klebefolie 120 fixiert.

Der Gehäuserahmen 150 kann beispielsweise ein Kunststoffmate rial aufweisen, beispielsweise ein Epoxy. Der Gehäuserahmen 150 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfah ren) vorab hergestellt worden sein.

Der Gehäuserahmen 150 ist als Gitter mit einer regelmäßigen Anordnung von Öffnungen ausgebildet, die Kavitäten 160 bil den. In jeder Kavität 160 des Gehäuserahmens 150 ist im dar gestellten Beispiel eine optoelektronische Halbleiterchipkom ponente 200 angeordnet. Das Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 an der Oberseite 101 des Trä gers 100 kann vor oder nach dem Anordnen des Gehäuserahmens 150 an der Oberseite 101 des Trägers 100 erfolgt sein.

Die optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 weisen im dargestellten Beispiel lediglich jeweils einen optoelekt ronischen Halbleiterchip 210 auf, der als Saphir-Flipchip ausgebildet sein kann. Die optoelektronischen Halbleiterchip komponenten 200 könnten aber auch anders ausgebildet sein.

Nach dem Anordnen des Gehäuserahmens 150 und der optoelektro nischen Halbleiterchipkomponenten 200 ist das erste Verguss material 310 über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeord net worden. Danach wurde das zweite Vergussmaterial 320 über dem ersten Vergussmaterial 310 angeordnet. Das erste Verguss material 310 hat die Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 und die die Kavitäten 160 be grenzenden Gehäusewandungen 170 des Gehäuserahmens 150 zumin dest teilweise benetzt, sodass das zweite Vergussmaterial 320 diese Flächen nicht mehr benetzen konnte.

Fig. 12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der in Fig. 11 gezeigten Anordnung in einem der Darstellung der Fig. 11 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der Träger 100 ist derart zentrifugiert worden, dass das zweite Vergussmaterial 320, das eine höhere Dichte aufweist als das erste Vergussmaterial 310, in Richtung 105 zur Oberseite 101 des Trägers 100 gewandert ist. Dadurch haben sich wieder die über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnete erste Schicht 410 und die über der ersten Schicht 410 angeordnete zweite Schicht 420 ausgebildet. Die erste Schicht 410 weist das zweite Vergussmaterial 320 auf. Die zweite Schicht 420 weist das erste Vergussmaterial 310 auf.

Fig. 13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der in Fig. 12 dargestellten Anordnung in einem der Darstel lung der Fig. 12 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über der zweiten Schicht 420 und über den Oberseiten 201 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 ist wellen längenkonvertierendes Material 330 angeordnet worden. Das wellenlängenkonvertierende Material 330 bildet die dritte Schicht 430 und füllt die zuvor noch verbliebenen Leerräume der Kavitäten 160 des Gehäuserahmens 150 im Wesentlichen vollständig aus.

Im Unterschied zu der anhand der Fig. 7 bis 10 beschriebenen Variante des Herstellungsverfahrens, ist das wellenlängenkon vertierende Material 330 erst nach dem Aushärten der zweiten Schicht 420 angeordnet worden. Dadurch wird verhindert, dass die in dem wellenlängenkonvertierenden Material 330 enthalte nen wellenlängenkonvertierenden Partikel 335 in die zweite Schicht 420 sedimentieren .

In einem der Darstellung der Fig. 13 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt werden der temporäre Träger 100, 110 und die Klebefolie 120 abgelöst. Außerdem wird der durch die Schichten 410, 420, 430 und den Gehäuserahmen 150 gebildete Körper so in mehrere optoelektronische Bauelemente 10 zer teilt, dass jedes optoelektronische Bauelement 10 eine der optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 umfasst. Das Zerteilen kann vor oder nach dem Ablösen des temporären Trä gers 110 erfolgen.

Fig. 14 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines der Darstellung der Fig. 3 entsprechenden Bearbeitungs- Stands während der Durchführung einer weiteren Variante des Herstellungsverfahrens .

Auch bei der in Fig. 14 gezeigten Variante ist der Träger 100 als temporärer Träger 110 ausgebildet. An der Oberseite 101 des Trägers 100 ist wiederum eine Klebefolie 120 angeordnet.

Über der Oberseite 101 des Trägers 100 sind mehrere opto elektronische Halbleiterchipkomponenten 200 angeordnet wor den. Bei dieser beispielhaften Variante des Herstellungsver fahrens umfasst jede optoelektronische Halbleiterchipkompo nente 200 einen optoelektronischen Halbleiterchip 210, der beispielsweise als oberflächenemittierender Flipchip ausge bildet ist. An der Strahlungsemissionsfläche des optoelektro nischen Halbleiterchips 210 ist eine Konverterschicht 230 an geordnet, die dazu vorgesehen ist, zumindest einen Teil der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 210 emittierten elektromagnetischen Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Über der Konver terschicht 230 ist eine Abdeckung 240 angeordnet. Die Abde ckung 240 kann beispielsweise als Glasplättchen ausgebildet sein. Eine von der Konverterschicht 230 abgewandte Oberfläche der Abdeckung 240 bildet die Oberseite 201 der optoelektroni schen Halbleiterchipkomponente 200. Die elektrischen Kontakt flächen 220 des optoelektronischen Halbleiterchips 210 sind bei jeder optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 in einen Formkörper 250 eingebettet, der die lichtemittierende Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips 210 trägt. Ei ne von der lichtemittierenden Schicht des optoelektronischen Halbleiterchips 210 abgewandte Unterseite des Formkörpers 250 bildet die Unterseite 202 der optoelektronischen Halbleiter chipkomponente 200. An der Unterseite 202 der optoelektroni schen Halbleiterchipkomponente 200 liegen die elektrischen Kontaktflächen 220 frei.

Nach dem Anordnen der optoelektronischen Halbleiterchipkompo nenten 200 über der Oberseite 101 des temporären Trägers 100, 110 ist das erste Vergussmaterial 310 über der Oberseite 101 des Trägers 100 angeordnet worden. Dabei hat das erste Ver gussmaterial 310 die Seitenflächen 203 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 zumindest teilweise benetzt. Anschließend ist über dem ersten Vergussmaterial 310 das zweite Vergussmaterial 320 angeordnet worden.

Fig. 15 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der in Fig. 14 gezeigten Anordnung in einem der Darstellung der Fig. 14 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Der Träger 100 ist derart zentrifugiert worden, dass das zweite Vergussmaterial 320 in Richtung 105 zur Oberseite 101 des Trägers 100 gewandert ist. Dadurch haben sich über der Oberseite 101 des Trägers 100 wieder die erste Schicht 410 und die über der ersten Schicht 410 angeordnete zweite

Schicht 420 ausgebildet. Die erste Schicht 410 weist das zweite Vergussmaterial 320 auf. Die zweite Schicht 420 weist das erste Vergussmaterial 310 auf. Die Grenzfläche zwischen der ebenen ersten Schicht 410 und der ebenen zweiten Schicht 420 liegt etwa auf Höhe der Konverterschichten 230 der opto elektronischen Halbleiterchipkomponenten 200. Die zweite Schicht 420 schließt etwa bündig mit den Oberseiten 201 der optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 ab.

Der aus der ersten Schicht 410 und der zweiten Schicht 420 gebildete Körper könnte nun von dem temporären Träger 100,

110 und der Klebefolie 120 abgelöst und zerteilt werden, um mehrere optoelektronische Bauelemente 10 zu erhalten, die je weils eine optoelektronische Halbleiterchipkomponente 200 aufweisen. Es kann zuvor aber auch noch der nachfolgend be schriebene Bearbeitungsschritt durchgeführt werden.

Fig. 16 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der in Fig. 15 gezeigten Anordnung in einem der Darstellung der Fig. 15 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über der zweiten Schicht 420 ist eine Linsenschicht 440 ange ordnet worden. Die Linsenschicht 440 weist ein Linsenmaterial 340 auf. Das Linsenmaterial 340 ist transparent für durch die optoelektronischen Halbleiterchipkomponenten 200 emittierte elektromagnetische Strahlung. Das Linsenmaterial 340 kann beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid aufweisen. Die Linsenschicht 440 kann beispielsweise mittels eines Formver fahrens (Moldverfahren) aufgebracht worden sein.

Die Linsenschicht 440 bildet im dargestellten Beispiel über jeder optoelektronischen Halbleiterchipkomponente 200 eine konvexe optische Linse 445. Diese optischen Linsen 445 sind ausgebildet, von den optoelektronischen Halbleiterchipkompo nenten 200 emittierte elektromagnetische Strahlung zu bün deln. Eine andere Gestaltung der optischen Linsen 445 ist möglich .

In der Darstellung der Fig. 16 nachfolgenden Bearbeitungs schritten werden der temporäre Träger 100, 110 und die Klebe folie 120 abgelöst. Außerdem wird der durch die erste Schicht 410, die zweite Schicht 420 und die Linsenschicht 440 gebil dete Körper derart zerteilt, dass jeder Teil ein optoelektro nisches Bauelement 10 mit einer optoelektronischen Halb leiterchipkomponente 200 und einer optischen Linse 445 bil det. Das Zerteilen kann vor oder nach dem Ablösen des tempo rären Trägers 100, 110 erfolgen.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abge leitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlas-sen

BEZUGSZEICHENLISTE

10 optoelektronisches Bauelement

100 Träger

101 Oberseite

105 Richtung zur Oberseite des Trägers

110 temporärer Träger

120 Klebefolie

130 Gehäusekörper

140 Leiterrahmenabschnitt

150 Gehäuserahmen

160 Kavität

170 Gehäusewandung

200 optoelektronische Halbleiterchipkomponente

201 Oberseite

202 Unterseite

203 Seitenfläche

210 optoelektronischer Halbleiterchip

220 elektrische Kontaktfläche

230 Konverterschicht

240 Abdeckung

250 Formkörper

310 erstes Vergussmaterial

320 zweites Vergussmaterial

325 Partikel

330 wellenlängenkonvertierendes Material 335 wellenlängenkonvertierende Partikel

340 Linsenmaterial

410 erste Schicht

420 zweite Schicht 430 dritte Schicht 440 Linsenschicht 445 optische Linse