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1. WO2020115010 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/115010
Veröffentlichungsdatum 11.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/083406
Internationales Anmeldedatum 03.12.2019
IPC
H01L 33/52 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
52Einkapselungen
H01L 33/56 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
52Einkapselungen
56Materialien, z.B. Epoxid- oder Silikonharze
CPC
H01L 2933/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
005relating to encapsulations
H01L 33/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
H01L 33/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
H01L 33/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • BELLYNCK, Gregory
  • TANGRING, Ivar
Vertreter
  • PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK
Prioritätsdaten
10 2018 131 296.207.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer über einer Oberseite des Trägers angeordneten optoelektronischen Halbleiterchipkomponente, zum Anordnen eines ersten Vergussmaterials über der Oberseite des Trägers, zum Anordnen eines zweiten Vergussmaterials über dem ersten Vergussmaterial, wobei das zweite Vergussmaterial eine höhere Dichte aufweist als das erste Vergussmaterial, und zum Einwirkenlassen einer Kraft auf das erste Vergussmaterial und das zweite Vergussmaterial derart, dass das zweite Vergussmaterial in Richtung zur Oberseite des Trägers wandert.
(EN)
The invention relates to a method for producing an optoelectronic component comprising steps of: providing a substrate with an optoelectronic semiconductor chip component arranged on an upper face of the substrate; arranging a first potting material on the upper face of the substrate; arranging a second potting material over the first potting material, the second potting material having a higher density than the first potting material; and allowing a force to act on the first potting material and the second potting material in such a manner that the second potting material migrates towards the upper face of the substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d’un composant optoélectronique, comprenant des étapes suivantes consistant à préparer un support avec un composant de type puce semi-conductrice optoélectronique disposé sur une surface supérieure du support ; déposer un premier matériau d’enrobage sur la surface supérieure du support ; déposer un second matériau d’enrobage sur le premier matériau d’enrobage, le second matériau d’enrobage présentant une densité plus importante que celle du premier matériau d’enrobage ; et laisser agir une force sur le premier matériau d’enrobage et sur le second matériau d’enrobage de manière que le second matériau d’enrobage transite en direction de la surface supérieure du support.
Auch veröffentlicht als
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