In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2020114759 - OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN

Veröffentlichungsnummer WO/2020/114759
Veröffentlichungsdatum 11.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/081627
Internationales Anmeldedatum 18.11.2019
IPC
H01L 33/38 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36charakterisiert durch die Elektroden
38mit besonderer Form
H01L 33/14 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
14mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur
CPC
H01L 2933/0016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
0016relating to electrodes
H01L 33/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
14with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
H01L 33/382
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
382the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • PERZLMAIER, Korbinian
  • NEVELING, Kerstin
  • ZULL, Heribert
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2018 131 404.307.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES
Zusammenfassung
(DE)
In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine elektrische Durchkontaktierung (3). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet eine aktive Zone (22) zur Strahlungserzeugung und eine Kontaktschicht (25) zur elektrischen Kontaktierung. Die aktive Zone (22) liegt in einer Ebene (P) senkrecht zu einer Hauptwachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) und befindet sich zwischen einem ersten Halbleiterbereich (21) und einem zweiten Halbleiterbereich (23). Die Kontaktschicht (25) liegt innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs(23). Die Durchkontaktierung (3) reicht durch die Kontaktschicht (25) hindurch und endet bevorzugt innerhalb des zweiten Halbleiterbereichs(23). Eine Kontaktfläche (32) zwischen der Durchkontaktierung (3) und der Kontaktschicht (25) schließt zur Ebene (P) einen Kontaktwinkel (w) von mindestens 20° und höchstens 60° ein.
(EN)
In one embodiment, the optoelectronic semiconductor component (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) and an electrical via (3). The semiconductor layer sequence (2) includes an active zone (22) for generating radiation and a contact layer (25) for electrical contact. The active zone (22) lies in a plane (P) perpendicular to a principal direction of growth (G) of the semiconductor layer sequence (2) and is located between a first semiconductor region (21) and a second semiconductor region (23). The contact layer (25) lies within the second semiconductor region (23). The via (3) extends through the contact layer (25) and preferably ends within the second semiconductor region (23). A contact surface (32) between the via (3) and the contact layer (25) encloses a contact angle (w) of at least 20° and no more than 60° with the plane (P).
(FR)
Selon un mode de réalisation, l’invention concerne un composant semi-conducteur (1) optoélectronique qui comprend une succession de couches semi-conductrices (2) et un trou d’interconnexion (3) électrique. La succession de couches semi-conductrices (2) comprend une zone active (22) destinée à produire un rayonnement et une couche de contact (25) destinée à établir la mise en contact électrique. La zone active (22) se situe dans un plan (P) perpendiculaire à une direction de croissance principale (G) de la succession de couches semi-conductrices (2) et se trouve entre une première zone semi-conductrice (21) et une seconde zone semi-conductrice (23). La couche de contact (25) se situe à l’intérieur de la seconde zone semi-conductrice (23). Le trou d’interconnexion (3) traverse la couche de contact (25) et se termine de préférence à l’intérieur de la seconde zone semi-conductrice (23). Une surface de contact (32) située entre le trou d'interconnexion (3) et la couche de contact (25) forme un angle de contact (w) d'au moins 20° et d'au plus 60° avec le plan (P).
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten