In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2020114731 - HOCHFREQUENZ-LEISTUNGSTRANSISTOR UND HOCHFREQUENZ-LEISTUNGSVERSTÄRKER

Veröffentlichungsnummer WO/2020/114731
Veröffentlichungsdatum 11.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/081064
Internationales Anmeldedatum 12.11.2019
IPC
H03F 1/02 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
FVerstärker
1Einzelheiten von Verstärkern, die nur Entladungsröhren, nur Halbleiterbauelemente oder nur im einzelnen nicht spezifizierte Bauelemente als Verstärkerelemente enthalten
02Ausbildungen von Verstärkern zum Steigern des Wirkungsgrades, z.B. gleitende A-Verstärkerstufen, Verwendung einer Hilfsschwingung
H01L 23/66 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
58Strukturen von elektrischen Anordnungen für Halbleiterbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
64Impedanz-Anpassung
66Hochfrequenz-Anpassung
H03F 1/56 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
FVerstärker
1Einzelheiten von Verstärkern, die nur Entladungsröhren, nur Halbleiterbauelemente oder nur im einzelnen nicht spezifizierte Bauelemente als Verstärkerelemente enthalten
56Ausbildung der Eingangs- oder Ausgangs-Impedanzen, soweit anderweitig nicht vorgesehen
H03F 3/195 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
FVerstärker
3Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
189Hochfrequenzverstärker, z.B. Verstärker für Radiofrequenzen
19nur mit Halbleiterbauelementen
195in integrierten Schaltungsanordnungen
CPC
H01L 23/66
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
H03F 1/0211
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
0205in transistor amplifiers
0211with control of the supply voltage or current
H03F 1/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
H03F 3/195
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
195in integrated circuits
Anmelder
  • FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE]/[DE]
Erfinder
  • BENGTSSON, Olof
  • PAUL, Sophie
  • KUREMYR, Tobias
Vertreter
  • GULDE & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWALTSKANZLEI MBB
Prioritätsdaten
10 2018 131 040.405.12.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HOCHFREQUENZ-LEISTUNGSTRANSISTOR UND HOCHFREQUENZ-LEISTUNGSVERSTÄRKER
(EN) HIGH-FREQUENCY POWER TRANSISTOR AND HIGH-FREQUENCY POWER AMPLIFIER
(FR) TRANSISTOR DE PUISSANCE HAUTE FRÉQUENCE ET AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HAUTE FRÉQUENCE
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Leistungstransistor (1) umfassend einen Transistor (2), mindestens einen Kondensator (3) und ein Gehäuse, das den Transistor (2) und den Kondensator (3) zumindest teilweise umgibt. Ein erster Anschluss (4) für einen Hochfrequenz-Eingang und eine Gate-Gleichspannungsversorgung ist an einem Gatekontakt (5) des Transistors (2) angeschlossen. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es einen Hochfrequenz-Leistungstransistor bereitzustellen, der ein besser definierbares Verhalten aufweist. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass ein zweiter Anschluss (6) an einem Drainkontakt (7) des Transistors (2) für einen Hochfrequenz-Ausgang und Drain-Gleichspannungsversorgung angeschlossen ist. An einem Sourcekontakt (8) des Transistors (2) sind ein dritter Anschluss (9) und ein vierter Anschluss (10) angeschlossen. Der erste, zweite, dritte und vierte Anschluss (4, 6, 9, 10) führen alle aus dem Gehäuse heraus. Der dritte Anschluss (9) ist über den Kondensator (3) an den Sourcekontakt (8) angeschlossen und der vierte Anschluss (10) ist über mindestens ein induktives Element (36, 11) an den Sourcekontakt (8) angeschlossen, sodass der dritte Anschluss (9) eine Hochfrequenz-Masse bereitstellt und der vierte Anschluss (10) eine potentialfreie Niederfrequenz-Masse und Source-Gleichspannungsversorgung bereitstellt.
(EN)
The invention relates to a high-frequency power transistor (1) comprising a transistor (2), at least one capacitor (3) and a housing, which at least partially surrounds the transistor (2) and the capacitor (3). A first connection (4) for a high-frequency input and a gate DC supply is connected to a gate contact (5) of the transistor (2). The problem addressed by the present invention is that of providing a high-frequency power transistor having a behaviour that can be better defined. According to the invention, this problem is solved by virtue of the fact that a second connection (6) is connected to a drain contact (7) of the transistor (2) for a high-frequency output and drain DC supply. A third connection (9) and a fourth connection (10) are connected to a source contact (8) of the transistor (2). The first, second, third and fourth connections (4, 6, 9, 10) all lead out of the housing. The third connection (9) is connected to the source contact (8) via the capacitor (3) and the fourth connection (10) is connected to the source contact (8) via at least one inductive element (36, 11) in such a manner that the third connection (9) provides a high-frequency earth and the fourth connection (10) provides a potential-free low-frequency earth and source DC supply.
(FR)
L’invention concerne un transistor de puissance haute fréquence (1) comprenant un transistor (2), au moins un condensateur (3) et un boîtier qui entoure au moins partiellement le transistor (2) et le condensateur (3). Une première borne (4) destinée à une entrée de haute fréquence et à une alimentation en tension continue de grille est raccordée à un contact de grille (5) du transistor (2). Le but de la présente invention est de fournir un transistor de puissance haute fréquence qui offre un meilleur comportement définissable. Selon l’invention, ce but est réalisé en ce qu’une deuxième borne (6) est raccordée à un contact de drain (7), du transistor (2), destiné à une sortie haute fréquence et une alimentation en tension continue de drain. Une troisième borne (9) et une quatrième borne (10) sont raccordées à un contact de source (8) du transistor (2). La première, deuxième, troisième et quatrième borne (4, 6, 9, 10) conduisent toutes à l’extérieur du boîtier. La troisième borne (9) est raccordée au contact de source (8) par l’intermédiaire du condensateur (3) et la quatrième borne (10) est raccordée au contact de source (8) par l’intermédiaire d’au moins un élément inductif (36, 11) de manière telle que la troisième borne (9) fournisse une mise à la terre haute fréquence et que la quatrième borne (10) fournisse une mise à la terre basse fréquence exempte de potentiel et une alimentation en tension continue de Source.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten