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1. WO2020109530 - OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITER-BAUELEMENT MIT STROMVERTEILUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITER-BAUELEMENTS

Veröffentlichungsnummer WO/2020/109530
Veröffentlichungsdatum 04.06.2020
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2019/083046
Internationales Anmeldedatum 29.11.2019
IPC
H01S 5/042 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
04Verfahren oder Geräte zur Anregung, z.B. zum Pumpen
042Elektrische Anregung
CPC
H01S 5/0421
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
042Electrical excitation ; ; Circuits therefor
0421characterised by the semiconducting contacting layers
H01S 5/18305
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18305with emission through the substrate, i.e. bottom emission
H01S 5/18388
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18386Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
18388Lenses
H01S 5/347
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
347in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe- laser
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • BEHRINGER, Martin
  • BEHRES, Alexander
  • MOHAJERANI, Matin
Vertreter
  • MÜLLER HOFFMANN & PARTNER PATENTANWÄLTE MBB
Prioritätsdaten
10 2018 130 562.130.11.2018DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITER-BAUELEMENT MIT STROMVERTEILUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITER-BAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A CURRENT DISTRIBUTION LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE COMPRENANT UNE COUCHE DE RÉPARTITION DE COURANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Ein optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (10, 30) weist eine erste Halbleiterschicht (101, 102) von einem p-Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (111, 112, 115) von einem n-Leitfähigkeitstyp sowie eine n-dotierte Stromverteilungsschicht (122), die ZnSe enthält und an die zweite Halbleiterschicht (111, 112, 115) angrenzt, auf.
(EN)
An optoelectronic semiconductor component (10, 30) has a first semiconductor layer (101, 102) of a p conductivity type, a second semiconductor layer (111, 112, 115) of an n conductivity type and also an n-doped current distribution layer (122) containing ZnSe and adjoining the second semiconductor layer (111, 112, 115).
(FR)
L'invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (10, 30) qui présente une première couche semi-conductrice (101, 102) d'un premier type de conductivité p, une deuxième couche semi-conductrice (111, 112, 115) d'un deuxième type de conductivité n, ainsi qu'une couche de répartition de courant dopée n (122) qui contient du ZnSe et qui est adjacente à la deuxième couche semi-conductrice (111, 112, 115).
Auch veröffentlicht als
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